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[发明专利]具有自对准连接源极的场板的晶体管-CN202211492605.8在审
发明人： 贝恩哈德·格罗特;菲利普·雷诺;胡马云·卡比尔;布鲁斯·麦克雷·格林;易卜拉欣·哈利勒 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：通过使用多个电介质层来优化场效应晶体管中的场板的放置，使得场板的第一末端通过第一组一个或多个不同电介质材料层与所述晶体管的沟道区分隔开。所述场板的第二末端覆盖在所述沟道区和控制电极上，通过所述第一组电介质层和一个或多个额外电介质层与所述控制电极分隔开。通过单处理步骤确定所述控制电极和所述场板的相对定位，使得所述场板与所述控制电极自对准，以便减少与制造过程变化相关联的晶体管性能变化。
具有对准连接晶体管

[发明专利]具有连接源极的场板的晶体管-CN202211532650.1在审
发明人：朱从佣;贝恩哈德·格罗特;布鲁斯·麦克雷·格林 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：通过使用多个电介质层来优化场效应晶体管中的场板的放置，使得场板的第一末端通过第一组一个或多个不同电介质材料层与所述晶体管的沟道区分隔开。所述场板的第二末端覆盖在所述沟道区和控制电极上，通过所述第一组电介质层和一个或多个额外电介质层与所述控制电极分隔开。
具有连接晶体管

[发明专利]具有连接源极的场板的晶体管-CN202211533954.X在审
发明人：朱从佣;贝恩哈德·格罗特;布鲁斯·麦克雷·格林 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过使用多个电介质层来优化场效应晶体管中的场板的放置，使得场板的第一末端通过第一组一个或多个不同电介质材料层与所述晶体管的沟道区分隔开。所述场板的第二末端覆盖在所述沟道区和控制电极上，通过所述第一组电介质层和一个或多个额外电介质层与所述控制电极分隔开。
具有连接晶体管

[发明专利]具有载流电极和导电元件的半导体装置及其制造方法-CN202211068430.8在审
发明人：菲利普·雷诺;贝恩哈德·格罗特;布鲁斯·麦克雷·格林 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种半导体装置的实施例包括半导体衬底、第一介电层、形成于所述半导体衬底上方的第一载流电极和第二载流电极。所述第一载流电极和所述第二载流电极包括形成于所述第一介电层中形成的第一开口内的第一导电层。控制电极形成于所述半导体衬底上方，处于所述第一载流电极与所述第二载流电极之间。包括所述第一导电层的第一导电元件形成于所述第一介电层上方、邻近所述控制电极并且处于所述控制电极与所述第二载流电极之间。
具有流电导电元件半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有形成于介电层上的导电元件的半导体装置及制造方法-CN202111329600.9在审
发明人：易卜拉欣·哈利勒;贝恩哈德·格罗特;胡马云·卡比尔;布鲁斯·麦克雷·格林 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体装置的实施例包括：半导体基板；第一介电层，所述第一介电层安置在所述半导体基板的所述上部表面上；以及第一载流电极和第二载流电极，所述第一载流电极和所述第二载流电极在形成于所述第一介电层中的开口内形成于所述半导体基板上。控制电极形成于所述半导体基板上，且安置在所述第一载流电极与第二载流电极之间和所述第一介电层上。第一导电元件形成于所述第一介电层上、邻近所述控制电极且在所述控制电极与所述第二载流电极之间。第二介电层安置在所述控制电极上和所述第一导电元件上。第二导电元件安置在所述第二介电层上和所述第一导电元件上。
具有形成介电层上导电元件半导体装置制造方法

[发明专利]用于沟槽场板功率MOSFET的终端-CN202110380127.0在审
发明人：塔努杰·萨克塞纳;维什努·克姆卡;贝恩哈德·格罗特;覃甘明;莫安斯·齐图尼 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包括衬底，所述衬底具有相对的第一主表面和第二主表面、有源区域以及终端区域。绝缘沟槽从所述第一主表面朝向所述第二主表面延伸，每一个所述绝缘沟槽包括导电场板和上覆于所述导电场板的栅极电极，所述栅极电极通过栅极‑场板绝缘体与所述场板分离。所述场板在所述有源区域和所述终端区域中均纵向延伸并且所述终端区域中不存在所述栅极电极。第一导电类型的主体区在所述绝缘沟槽对之间横向延伸。第二导电类型的第一间隔区和第二间隔区在所述终端区域处在所述绝缘沟槽的所述对之间横向延伸以在所述第一间隔区与所述第二间隔区之间产生所述第一导电类型的区段，所述区段与所述主体区隔离。
用于沟槽功率 mosfet 终端

[发明专利]具有场板结构的晶体管沟槽-CN202110326480.0在审
发明人：索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉;贝恩哈德·格罗特;柳博·拉迪克 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括在沟槽中形成单独的导电沟槽结构，接着去除所述导电结构中的一个导电结构的上部部分，其中剩余部分充当晶体管的场板。去除所述上部部分包括形成第二沟槽。所述第二沟槽填充有栅极材料，所述栅极材料用作所述晶体管的栅极。所述晶体管包括在所述沟槽的一侧的所述晶体管的源极区和在所述沟槽的另一侧的所述晶体管的漏极区，其中所述漏极区包括位于半导体材料的上部部分的一部分。所述晶体管包括沟道区，所述沟道区具有沿沟槽的侧壁安置的一部分。
具有板结晶体管沟槽

[发明专利]具有不同横截面宽度的沟槽-CN202110337092.2在审
发明人：苏米特拉·拉杰·梅赫罗特拉;贝恩哈德·格罗特;柳博·拉迪克 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包括在半导体材料中的沟槽，所述沟槽具有装置区段和终端区段。栅极结构位于所述沟槽中。在一些实施例中，所述终端区段的横截面宽度比所述装置区段的横截面宽度宽。
具有不同横截面宽度沟槽

[发明专利]具有基极链路区的半导体装置及其方法-CN202011513555.8在审
发明人：柳博·拉迪克;杰伊·保罗·约翰;贝恩哈德·格罗特;詹姆斯·艾伯特·基希格斯纳 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种半导体装置包括半导体衬底和在所述半导体衬底内形成的集电极区。包括第一基极区和第二基极区的基极区在所述集电极区上方形成。非本征基极区横向邻近于所述第二基极区形成且耦合到所述第二基极区。基极链路区安置成接近于所述第二基极区，其中所述基极链路区将所述非本征基极侧壁耦合到所述第二基极区。一种用于形成半导体装置的方法包括：在所述半导体衬底内形成所述集电极区；在所述集电极区上方形成多个电介质层；在所述集电极区上方形成非本征基极层；蚀刻发射极窗口；在所述集电极区上方形成所述第一基极区；在所述第一基极区上方形成所述第二基极区，其中形成所述第二基极区包括形成所述基极链路区。
具有基极链路区半导体装置及其方法

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