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- [发明专利]晶圆切割方法-CN202310251345.3在审
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李仁海;陈磊;李文涛
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豪威半导体(上海)有限责任公司
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2023-03-15
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2023-07-18
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H01L21/3213
- 本发明提供一种晶圆切割方法,包括:提供晶圆,晶圆包括衬底和位于衬底上的电路层;采用激光切割预设宽度的电路层暴露出衬底,形成第一沟槽;采用刀片切割第一沟槽两侧的部分宽度的电路层和刀片下方的衬底形成第二沟槽,刀片在晶圆上的投影覆盖第一沟槽,刀片切割宽度大于预设宽度(激光切割宽度),刀痕将激光痕完全覆盖去除。本发明预设宽度的电路层采用激光切割,第一沟槽两侧的少部分宽度的电路层采用刀片切割,降低了刀片切割电路层的量,从而降低刀片切割引起的金属飞溅率和产品脆弱的像素区域损伤风险。刀片切割将第一沟槽残留的熔融物一并切割去除,第二沟槽切割痕边界无激光熔渣,避免熔融物在可靠性测试下形成铜花,有效提高了产品的可靠性。
- 切割方法
- [发明专利]切割机的磨刀方法及晶圆切割方法-CN202310231544.8在审
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李仁海;盛维杰;李文涛
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豪威半导体(上海)有限责任公司
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2023-03-10
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2023-04-25
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B28D5/02
- 本发明提供一种切割机的磨刀方法及晶圆切割方法,包括:提供切割机,切割机包括轴向设置的轮毂、切割刀片和电机;提供裸片晶圆作为磨刀器;全切裸片晶圆,采用切割刀片逐行切透裸片晶圆,形成第一切割槽;单侧切裸片晶圆,采用切割刀片的远离轮毂一侧的部分对第一切割槽远离轮毂一侧的裸片晶圆进行逐行切割,使切割刀片的远离轮毂一侧的部分被磨损;磨刀完成的切割刀片的径向上的最外侧边缘(刀刃)到轴线的距离从电机一侧到轮毂一侧逐渐增大,呈斜坡形。全切结合单侧切的磨刀方法形成的切割刀片的刀刃形状一致性较好。采用该切割刀片切割晶圆品质好。改善了纯刀片切割晶圆的可行性和晶圆的可靠性,省去了激光开槽制程降低了成本。
- 切割机磨刀方法切割
- [发明专利]封装结构及LCOS结构-CN202211613504.1在审
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刘爱军;诸龙清
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豪威半导体(上海)有限责任公司
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2022-12-15
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2023-03-07
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G02F1/1345
- 本发明提供一种封装结构及LCOS结构。封装结构包括:电路板,电路板的第一表面设置有第一接触垫;芯片模组,芯片模组朝向第一表面的一侧设置有第二接触垫,且第二接触垫与第一接触垫相对设置;电连接的导电丝与导电胶;第一接触垫依次通过导电丝、导电胶,或者依次通过导电胶、导电丝与第二接触垫电连接;导电丝靠近导电胶的一侧包裹在导电胶中,导电丝处于松弛状态。本发明第一接触垫与第二接触垫之间通过导电丝结合导电胶的方式电连接,该结构中导电丝处于松弛状态消化吸收导电胶经冷热冲击后产生的内应力,保护导电胶与第一接触垫或第二接触垫接触面结构不受应力破坏,从而解决导电胶回路电阻值不稳定的问题,提高产品的可靠性及品质。
- 封装结构lcos
- [发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202210887391.8在审
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范纯圣;胡诚
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豪威半导体(上海)有限责任公司
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2022-07-26
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2022-10-25
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G01N21/23
- 本发明提供一种图像传感器及其制作方法,包括:半导体衬底,半导体衬底上形成有若干像素区;框胶,框胶形成在半导体衬底上,框胶包括设置于半导体衬底周侧的周圈框胶,和设置于周圈框胶内的若干反应圈框胶;生物液晶,生物液晶至少填充在每个反应圈框胶内;生物液晶具有抗原或抗体修饰的液晶传感界面;玻璃盖板,玻璃盖板与半导体衬底相对设置;粘附层,粘附层将框胶与玻璃盖板粘附在一起;粘附层经加热或紫外线照射可解除粘附力。本发明结合免疫反应的特异性、液晶取向排列技术和图像处理技术制成图像传感器。使用者采用加热或UV照射后,玻璃盖板即可轻易拨离,后再将抗体或抗原滴入生物液晶表层撷取图像传感器画面信号进行后端分析。
- 图像传感器及其制作方法
- [发明专利]LCOS结构及其制作方法-CN202210714466.2在审
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小堺隆;范世伦;格培文
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豪威半导体(上海)有限责任公司
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2022-06-22
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2022-09-23
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G02F1/1339
- 本发明提供一种LCOS结构及其制作方法,包括:半导体基底,其上形成有多个像素区;玻璃基底,玻璃基底与半导体基底相对设置;液晶层,液晶层位于半导体基底与玻璃基底之间;塑料墙,塑料墙设置于半导体基底与玻璃基底之间,塑料墙分隔并包围液晶层以使液晶层与像素区一一对应;第一框胶,每个塑料墙的周圈环绕设置有第一框胶,且第一框胶中不含支撑球。塑料墙支撑形成半导体基底与玻璃基底之间的厚度方向的空间,并容纳液晶层,塑料墙粗略定义能容纳的液晶量并使液晶层尽量避免和第一框胶在固化前接触。通过控制塑料墙高度和滴入的液晶量来控制盒厚。第一框胶中不含支撑球不会对第一框胶下方的电路造成损伤,提高了LCOS结构的良率。
- lcos结构及其制作方法
- [发明专利]LCOS结构及其形成方法-CN202110158064.4有效
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格培文;范纯圣
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豪威半导体(上海)有限责任公司
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2021-02-04
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2022-07-29
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G02F1/1362
- 本发明提供了一种LCOS结构及其形成方法,LCOS结构包括:硅基板、位于硅基板上方的液晶层和透明导电层;硅基板内形成有导电衬垫、暴露出导电衬垫的开口以及至少一层金属层;开口位于液晶层的周侧;导电衬垫的正下方不分布金属层;导电衬垫与至少一层金属层中的其中一层金属层位于同层且电连接;开口内以及硅基板与透明导电层之间的间隙填充有导电胶。透明导电层与导电衬垫通过导电胶中的金属导电粒子电连接,电信号内导引制程连接可缩减LCOS结构尺寸。导电衬垫的正下方不分布金属层,如此一来,在透明导电层与硅基板压合过程中,即使导电衬垫微损,导电衬垫的正下方不再有金属层被损伤,增强了LCOS结构的可靠度。
- lcos结构及其形成方法
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