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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种图像采集方法、装置、扫描电子显微镜和存储介质-CN202310484665.3在审
发明人：张韩;李扬;张琛;谭宇琦;费雅茜 -专利权人：聚束科技（北京）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H04N23/63 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种图像采集方法，包括：获取感兴趣区域中第一参考位置处图像清晰时对应的物镜电流值和样品台的Z轴参数；在所述物镜电流值不变的情况下，基于所述样品台的Z轴参数确定若干个第二参考位置处图像清晰时对应的样品台的Z轴参数；基于不同参考位置处图像清晰时对应的样品台的Z轴参数确定样品在预设方向的高度差；基于所述高度差和扫描电子显微镜的景深确定图像采集过程中Z轴插值的桩点信息；基于所述桩点信息和所述物镜电流值进行所述感兴趣区域的图像采集。本申请实施例还提供了实现所述方法的装置、扫描电子显微镜和存储介质。
一种图像采集方法装置扫描电子显微镜存储介质

[发明专利]一种聚焦控制方法、装置、扫描电子显微镜和存储介质-CN202310437430.9在审
发明人： 谭宇琦;张韩;李杨;费雅茜;张琛 -专利权人：聚束科技（北京）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04N23/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种聚焦控制方法，包括：以预设个数的图像区块为单位将感兴趣区域划分为若干大小相等的图像矩阵；确定每个所述图像矩阵的聚焦原点以及所述聚焦原点对应的聚焦参数；将每个聚焦原点对应的聚焦参数依次应用到所述聚焦原点所属图像矩阵中除所述聚焦原点以外的图像区块进行图像采集，依次完成每个图像矩阵的图像采集。本申请实施例还提供了实现所述方法的装置、扫描电子显微镜和存储介质。
一种聚焦控制方法装置扫描电子显微镜存储介质

[发明专利]扫描电子显微镜的样品及其制备方法-CN202310282701.8在审
发明人：张韩;谭宇琦;李杨;张琛;费雅茜 -专利权人：聚束科技（北京）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本申请公开了一种扫描电子显微镜的样品及其制备方法。其中，该制备方法包括：将初始样品固定于制样模板的指定区域；在制样模板上相应于初始样品的边缘间隔设置与初始样品等高的第一导电胶层；对带有初始样品及第一导电胶层的制样模板进行镀膜处理，得到供扫描电子显微镜观测的成品样品。本申请实施例制备的成品样品，通过在初始样品的边缘设置等高的第一导电胶层，使得样品的边缘与中心所受的电场力均匀，像散接近一致，利于在图像采集过程进行像散参数的调试，可以避免样品边缘的虚图情况，进而能够使得在减速模式下的扫描电子显微镜获取样品质量良好且图像质量较佳的完整数据。
扫描电子显微镜样品及其制备方法

[发明专利]一种芯片样品、芯片样品制样工具和制样方法-CN202310259818.4在审
发明人：李杨;张韩;谭宇琦;张琛;费雅茜 -专利权人：聚束科技（北京）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种芯片样品，包括：支撑边框、芯片和凝固的胶液；其中，所述支撑边框为中空无底的柱状结构；所述凝固的胶液充满所述支撑边框内部、且与支撑边框的两个底面共平面；除所述芯片待观察面之外，所述芯片的其他部分被所述凝固的胶液包裹；所述芯片待观察面与所述凝固的胶液形成的两个底面中的一个共平面。本申请实施例还提供了一种芯片样品制样工具和制样方法。
一种芯片样品工具方法

[发明专利]一种聚焦控制方法、装置、扫描电子显微镜和存储介质-CN202310318162.9在审
发明人：张琛;谭宇琦;张韩;李杨;费雅茜 -专利权人：聚束科技（北京）有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种聚焦控制方法，包括：基于待测样品表面的特征信息将已选定的感兴趣区域划分为至少两个子区域；为每个子区域分别配置对应的聚焦和调节象散的方式；基于所述聚焦和调节象散的方式对所述感兴趣区域整体进行逐行拍摄，获得相应图像。本申请实施例还提供了实现所述方法的装置、扫描电子显微镜和存储介质。
一种聚焦控制方法装置扫描电子显微镜存储介质

[外观设计]茶杯柜-CN201930025759.9有效
发明人： 谭宇琦 -专利权人：广东索奇实业有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶杯柜。2.本外观设计产品的用途：用作消毒、烘干等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计烘干消毒图片

[外观设计]层架（可移动可拆卸茶杯柜层架）-CN201930026082.0有效
发明人： 谭宇琦 -专利权人：广东索奇实业有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：层架（可移动可拆卸茶杯柜层架）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于放置物品。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计柜层架可拆卸可移动层架放置物品图片

[发明专利]浅沟槽隔离方法-CN201310263816.9在审
发明人： 谭宇琦 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离方法，包括以下步骤：步骤一、提供基底，基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对步骤二得到高密度等离子体氧化物层进行腐蚀，在高密度等离子体氧化物层上形成开口，开口的深宽比小于浅沟槽的深宽比；步骤四、在开口内进一步填充所述高密度等离子体氧化物以与步骤三的高密度等离子体氧化物形成对浅沟槽的完整填充。上述浅沟槽隔离方法，能够形成对浅沟槽的完整填充，有效避免浅沟槽的洞口过早封死而影响高密度等离子体氧化物的填充，避免产生空隙。
沟槽隔离方法

[发明专利]一种化学机械研磨方法-CN201110397770.0无效
发明人： 谭宇琦 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B24B37/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：对介质层执行第一阶段化学机械研磨以使其初步平坦化；在初步平坦化的介质层表面沉积修补层；以及对所述修补层执行第二阶段化学机械研磨以将所述修补层的高于所述介质层表面的部分去除。本发明所提供的方法消耗小，流程短，效率高并且具有很强的操作性。通过采用本发明的方法可以大大减少由一般的化学机械研磨所造成的凹陷，有效避免了半导体器件的电路失效，从而减少晶片报废的情况并且大大提高产品的良率。
一种化学机械研磨方法

[发明专利]晶片承接设备和常压化学气相沉积装置-CN201110341983.1有效
发明人： 谭宇琦 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备和常压化学气相沉积装置用。该晶片承接设备包括：承接平台，所述承接平台用于承接从所述常压化学气相沉积装置的晶片出口掉落的晶片；驱动器，所述驱动器驱动所述承接平台在水平面内移动；控制器，所述控制器在所述常压化学气相沉积装置出现故障时，控制所述驱动器驱动所述承接平台移动，以承接掉落的晶片。本发明的用于常压化学气相沉积装置的晶片承接设备可以在常压化学气相沉积装置出现故障时，及时启动以承接从晶片出口掉落的晶片，并通过在水平面内移动来防止后续输送的多个晶片发生叠加，从而避免晶片受损，降低工艺成本。
晶片承接设备常压化学沉积装置

[发明专利]金属层表面处理方法-CN200910049995.X无效
发明人：周俊;赵东涛;李彬;谭宇琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层表面处理方法，包括：提供一具有金属层的半导体衬底；以及使用弱酸溶液清洗所述金属层表面，本发明可以有效的去除金属层表面的氧化铜，避免气泡的产生，解决了由于气泡造成的半导体器件产率下降的问题，并且不会对金属互连制程带来任何副作用，本发明还可去除其它附着于金属层表面的碱性杂质，提高了半导体器件的电学性能。
金属表面处理方法

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