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[发明专利]GaN器件与SiC器件的集成芯片及其制作方法-CN202310185737.4在审
发明人：潘茂林;王路宇;徐敏;王强;张鹏浩;谢欣灵;黄海;樊蓉;杨妍楠;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN器件与SiC器件的集成芯片，包括：第一SiC衬底；GaN驱动电路，所述GaN驱动电路包括第一沟道层；所述第一沟道层外延形成于所述第一SiC衬底上，且直接接触所述第一SiC衬底；第一功率器件，所述第一功率器件与所述GaN驱动电路均形成于所述第一SiC衬底上；其中，所述第一SiC衬底的晶格常数适配于所述第一沟道层的晶格常数。本发明提供的技术方案，实现了GaN器件与SiC器件的集成的同时，保证了第一SiC衬底表面生长的第一沟道层的质量，实现了器件性能的提升。
gan 器件 sic 集成芯片及其制作方法

[发明专利]GaN HEMT功率器件与驱动模块的集成芯片及制作方法-CN202310070433.3在审
发明人：潘茂林;王路宇;徐敏;王强;张鹏浩;谢欣灵;黄海;樊蓉;杨妍楠;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT功率器件与驱动模块的集成芯片，包括：衬底；衬底包括第一区域与第二区域；第一区域与第二区域沿第一方向依次排列；第一方向平行于衬底所在的平面；GaN HEMT功率器件与驱动模块；GaN HEMT功率器件与驱动模块分别形成于第一区域与第二区域；第一外延层与第二外延层；第一外延层与第二外延层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上，且位于驱动模块与衬底之间；其中，第一外延层是N+型掺杂、N‑型掺杂或N型掺杂，第二外延层是P+型掺杂。该技术方案解决了传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式存在的寄生电容电感的的问题，同时避免了集成之后的GaN HEMT功率器件与驱动模块，在GaN HEMT功率器件的高压应用中可能出现的背栅问题。
gan hemt 功率器件驱动模块集成芯片制作方法

[发明专利]增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备-CN202211255562.1在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;王强;潘茂林;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。
增强沟道氮化功率器件及其制备方法以及电子设备

[发明专利]外延结构的制备方法、氮化镓器件及器件制备方法-CN202211255257.2在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;王强;潘茂林;杨妍楠;樊蓉;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延结构的制备方法、氮化镓器件及器件制备方法，外延结构的制备方法包括：提供一衬底并对其进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD设备的反应腔中并通入H2、NH3进行高温处理；在高温处理后的衬底上生成AlN成核层；在AlN成核层上依次生长缓冲层以及GaN沟道层；在GaN沟道层上外延AlN空间插入层；在AlN空间插入层上外延AlxGaN势垒层；在AlxGaN势垒层上外延AIN钝化层；在AlN钝化层上外延SiN钝化层；上述SiN/AlN/AlxGaN/AlN/GaN层均在MOCVD设备的反应腔中原位进行。由于MOCVD高温生长的AlN为单晶，与GaN的晶格失配很小，因而可以形成较高质量的界面，极大改善其动态特性。使用该外延结构的氮化物半导体器件可以有效抑制器件的“电流崩塌”效应，同时提高氮化物半导体器件的耐压性能。
外延结构制备方法氮化器件

[发明专利]增强型氮化镓晶体管、制作方法、设备的制备方法及设备-CN202211255239.4在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;王强;潘茂林;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管，该晶体管包括：衬底，以及沿远离所述衬底方向形成于所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN层；其中，所述p‑GaN层包括第一p‑GaN层以及第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于栅极区域；所述第二p‑GaN层形成于非栅极区域；源极、漏极以及栅极，所述源极、所述栅极以及所述漏极分别形成于所述p‑GaN层上的源区、所述栅极区域以及漏区；所述栅极包括所述第一p‑GaN层以及形成于所述第一p‑GaN层顶端的栅金属层；以及钝化层，其中，所述第一p‑GaN层包括钝化了的Mg离子；以使得所述栅极在零栅压时不导通。该技术方案解决了如何避免第一p‑GaN层的刻蚀损伤的问题。
增强氮化晶体管制作方法设备制备方法

[发明专利]带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路-CN202211255254.9在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;杨妍楠;樊蓉;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路，包括：衬底；形成在所述衬底上第三区域的常开型氮化镓功率器件和第一区域与第二区域的负压驱动模块；其中，所述负压驱动模块用于保持所述常开型氮化镓功率器件在非工作状态时关断。解决了如何减少常开型氮化镓功率器件和负压驱动模块之间因互连线或导线而产生的寄生电感的问题。实现了提高常开型氮化镓功率器件和负压驱动模块的可靠性的技术效果。
带有驱动模块常开氮化功率器件集成电路

[发明专利]氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路-CN202211255255.3在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓集成电路的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成沟道层和势垒层；在势垒层表面沉积硬掩模；刻蚀硬掩模以在硬掩模上形成开孔；在开孔内外延p‑GaN层；在势垒层表面分别沉积金属材料并退火以形成源极和漏极；形成p‑GaN栅极；在p‑GaN栅极的顶端沉积钝化层；形成源极金属互连层与金属场板；源极金属互连层形成于源极的顶端，金属场板形成于p‑GaN栅极的顶端的钝化层的表面；金属场板与源极金属互连层连接；形成漏极金属互连层与栅极金属互连层。本发明提供的技术方案，通过选取外延p‑GaN的方法，有效避免了p‑GaN层的刻蚀工艺导致器件损伤的问题，实现了提升器件输出电流、降低动态导通电阻及提高功率管及栅驱动单元的可靠性的效果。
氮化功率器件制作方法以及集成电路

[发明专利]具有栅极保护功能的GaN HEMT器件结构及其制作方法-CN202211255558.5在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有栅极保护功能的GaN HEMT器件结构，该器件包括：GaN HEMT器件；第一成核层；所述第一成核层形成于所述GaN HEMT器件上；以及形成于所述第一成核层上的PN二极管；其中，所述PN二极管包括：分别形成于所述第一成核层上的第一区域与第二区域的p+型GaN层与n+型GaN层；以及形成于所述GaN HEMT器件上的阴极与阳极，所述阴极与所述p+型GaN层相连，所述阳极与所述n+型GaN层相连；所述第一区域与所述第二区域沿第一方向相对，所述第一方向表征了纸平面上水平方向；其中，所述PN二极管的击穿电压小于所述GaN HEMT器件的击穿电压。本发明提供的技术方案解决了传统结构GaN HEMT器件的栅极容易被击穿的问题，实现了保护GaN HEMT器件不被破坏的技术效果。
具有栅极保护功能 gan hemt 器件结构及其制作方法

[发明专利]增强型氮化镓器件以及器件的制作方法-CN202211255572.5在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓器件，包括：衬底；沿远离衬底方向依次形成于衬底上的沟道层以及势垒层；形成于势垒层上的漏极、栅极和源极；钝化层，钝化层位于势垒层上，且覆盖所述栅极、源极与漏极，并填充栅极与源极以及栅极与漏极之间的间隙；金属互连层，贯穿钝化层，且分别与漏极、栅极和源极连接；栅极场板，栅极场板覆盖于栅极顶端的钝化层的表面上，且与源极金属互连层接触；其中，栅极包括：沿远离势垒层的方向依次形成的p‑GaN层、三族氮化物薄层以及栅金属层；三族氮化物薄层的材料是InN、AlN、InGaN或InAlN。因而本发明提供的技术方案可有效抑制器件的栅极漏电，及长期栅极电应力下产生的栅极击穿问题，实现了提高器件栅控能力和可靠性的目的。
增强氮化器件以及制作方法

[发明专利]一种生长在SiO2-CN201910581439.0有效
发明人：王文樑;李国强;赖书浩;谢欣灵;陈德润 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在SiO2衬底上的二维InGaS纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氮气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将S粉、In颗粒及Ga颗粒放入CVD设备的玻璃管内，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使S、In及Ga在外延生长面恒温生长，得到生长在SiO2衬底上的InGaS纳米材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、生长工艺简单、结晶质量好、成本低、可行性高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度连续可调并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的InGaS二维材料。
一种生长 sio base sub

[发明专利]一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法-CN201910581456.4有效
发明人：王文樑;李国强;陈德润;谢欣灵;赖书浩 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氩气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将Se粉、In颗粒及Ga颗粒放入CVD设备的玻璃管内，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使Se、In及Ga在外延生长面恒温生长，得到生长在Si衬底上的InGaSe纳米材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、生长工艺简单、结晶质量好、成本低、可行性高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度在1.02‑1.67eV范围内连续可调并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的InGaSe二维材料。
一种生长 si 衬底二维 ingase 纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料及其制备方法-CN201910581440.3在审
发明人：王文樑;李国强;谢欣灵;赖书浩;陈德润 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用Si片作为衬底；使用无水乙醇清洗Si片，使外延生长面光滑无尘，风干得到清洗后的Si片；将清洗后的Si片放入CVD设备的玻璃管内，将Se粉、In颗粒放入CVD设备的玻璃管内的相应位置，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使Se在外延生长面恒温生长，升温使In在外延生长面恒温生长，得到生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、实施可行性高等的优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度连续可调，并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的In₂Se₃二维材料。
制备二维材料衬底外延生长面生长恒温生长玻璃管放入清洗无水乙醇清洗抽真空处理太阳能电池氩气光探测器连续可调风干保护气禁带可用无尘光滑应用制造

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