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[发明专利]一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉-CN202110871999.7有效
发明人： 许海仙;张振文;张洋;史常东 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F27B9/24 文献下载
摘要：本发明陶瓷覆铜板技术领域，公开了一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，包括：炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；供氧管道；多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀；测温热电偶和测氧仪，设置在弥散气盒靠近传送带的一侧；保证了铜片氧化环境的稳定，使铜片表面氧化膜厚度均一。
一种提高铜片氧化均匀

[发明专利]一种功率器件模块用覆铜氮化硅管壳及其制备方法-CN202211532043.5在审
发明人：朱家旭;胡竹松;张洋;王轩;张振文;许海仙;耿春磊;周泽安 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷覆铜板外壳制造技术领域，尤其是一种功率器件模块用覆铜氮化硅管壳及其制备方法。本发明管壳包括壳底板和环形焊框，环形焊框围设于壳底板的顶部；壳底板由下至上依次为第一铜片、绝缘基板和第二铜片，绝缘基板上设有若干通孔，通孔内填充有连接第一铜片和第二铜片的导线柱。本发明通过采用陶瓷覆铜板作为外壳底板板，介质材料为氮化硅陶瓷基板，具有导热率高、绝缘耐压大、耐热等优点，且满足封装小型化、大电流和高导热需求。
一种功率器件模块用覆铜氮化管壳及其制备方法

[发明专利]一种高导热氮化硅基板及其制备方法-CN202211540656.3在审
发明人：周泽安;胡竹松;许海仙;张博;朱家旭;张振文;张洋;张浩 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷基板制造技术领域，尤其是一种高导热氮化硅基板及其制备方法。本发明基板由流延后的氮化硅生瓷片依次经过排胶工艺和烧结工艺制得，基板中的氧原子百分比为0～0.01％。通过排胶工艺变化精确控制排胶过程中的碳原子百分比，通过烧结过程中的压力变化精确控制相转变、氧原子百分比组成，进而实现高导热高强度氮化硅基板的制备。
一种导热氮化硅基板及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷结构件的制备方法-CN202111250167.X有效
发明人：郭军;党军杰;张浩;许海仙;张志成;刘小东;曾辉;史常东;崔嵩 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所;合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了结构件的制备方法领域的一种氮化铝陶瓷结构件的制备方法，包括以下步骤：步骤1：制备各组件单元所需的AlN材质的陶瓷基板；步骤2：将各陶瓷基板加工成满足精度要求的组件单元；步骤3：选择组件单元印制银铜钛活性浆料；步骤4：将各组件单元组装焊接成结构件；步骤5：对结构件清洗检验。本发明将结构件分割为若干单元小部件，将单元部件印制银铜钛活性浆料，再通过焊接工艺组装为结构件，该方法无需CNC加工，并且单个精度容易控制、一致性好、成品率高、成本低，满足在‑55℃～400℃范围内长期使用等特点。
一种氮化陶瓷结构件制备方法

[发明专利]一种高强度高导热氮化铝陶瓷基板及其制备方法-CN201911269335.2有效
发明人：党军杰;郭军;张浩;崔嵩;田晨光;孙登琼;许海仙;史常东 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： F24D19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度高导热氮化铝陶瓷基板及其制备方法，包括以下步骤：亚微米级高纯度氮化铝粉体、亚微米级氧化钇烧结助剂、粘结剂、溶剂和添加剂混合均匀；在中性或者还原气氛下脱脂，脱脂后陶瓷素坯的总杂质含量控制在4.6～8.1%之间；将脱脂后的陶瓷素坯于1800～1950℃烧结4～100h后，再于1750～1950℃热处理2‑4h。本发明采用亚微米级的粉体配方结合杂质含量控制和细晶化两步烧结方法，使得制备的氮化铝基板的不仅热导率高而且抗折强度更优异，解决了现有技术中高导热氮化铝陶瓷基板抗折强度不佳的技术问题。
一种强度导热氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种蚀刻方法-CN201911245106.7有效
发明人：张振文;詹俊;崔嵩;许海仙;史常东 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻方法，包括以下步骤：清洗待蚀刻基板的表面后，在基板的上下表面均热压感光膜；设计蚀刻图形，其中，半蚀刻部分设计为透光线条和不透光线条间隔排列的栅格状结构，根据所述蚀刻图形光绘菲林膜后，将所述菲林膜贴合在已经热压感光膜的待蚀刻基板的表面进行曝光；对曝光后的基板进行蚀刻；对蚀刻后的基板表面进行微蚀。本发明中的蚀刻方法采用一次湿法蚀刻同时实现铜片的半蚀刻和全蚀刻，减化了工序。
一种蚀刻方法

[发明专利]一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法-CN202011564291.9在审
发明人： 许海仙;朱家旭;张振文;孙敦龙;史常东 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，包括以下步骤：S1：在清洗去除氧化物、油污后的陶瓷覆铜板上滚压上干膜；S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干制备线路，陶瓷覆铜板可一次性也可分步依次经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱，速度为0.3～1.5m/min；S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；S5：印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后UV全板曝光；S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，依次经蚀刻、退膜、水洗、烘干工序，过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min。
一种蚀刻制备可靠陶瓷方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷浆料及其制备方法和应用-CN202011584664.9在审
发明人：张博;许海仙;张浩;党军杰;史常东 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅陶瓷浆料及其制备方法和应用，包括：氮化硅原料粉体、烧结助剂、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和流平剂，所述氮化硅粉体比表面积为0.2～5m2/g；所述浆料中氮化硅原料粉体、烧结助剂、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和流平剂的质量比为1：0.01～0.05：1～1.3：0.01～0.03：0.1～0.2：0.07～0.2：0.005～0.1。本发明通过在低沸点溶剂中添加适当流平剂，优化了浆料的表面张力，配合低沸点的溶剂，使得浆料在应用能快速实现干燥，对流延机的长度要求低，生瓷片表面平滑，厚度一致性高；配合干燥时多段温度曲线控制、刮刀高度控制，结合等静压处理，制得平整、均一、高密度且厚度可控的陶瓷素坯，有利于后期素坯成型加工及烧结。
一种氮化陶瓷浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化铝粉体前驱体及其制备方法和氮化铝粉体-CN201811498120.3在审
发明人：田晨光;孙登琼;张浩;崔嵩;郭军;党军杰;许海仙;魏鑫;史常东 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝粉体前驱体及其制备方法和氮化铝粉体，将铝源、无机碳源和粘结剂进行机械混合，得到均匀的混合产物；在所述混合产物中加入溶剂，并继续机械混合得到混合物浆料；将所述混合物浆料挤出成型，铸成圆柱形颗粒；将所述圆柱形颗粒进行排胶，得到氮化铝粉体前驱体。制得的氮化铝粉体前驱体为圆柱形多孔颗粒，克服了传统碳热还原反应的原材料混合不均匀、固‑气反应不完全、装载量低无法大批量生产等缺点，原材料充分混合，在碳热还原反应过程中由于前驱体颗粒内部的微小孔洞，固‑气反应完全，并且由于前驱体的强度高可以大批量堆积，满足工业化大批量生产要求，最终可以工业化大批量合成纯度很高的高性能氮化铝粉体。
氮化铝粉体前驱体碳热还原反应圆柱形颗粒混合产物机械混合制备得到混合物混合物浆料前驱体颗粒原材料混合充分混合多孔颗粒合成纯度挤出成型生产要求微小孔洞无机碳源不均匀粘结剂装载量浆料铝源排胶溶剂堆积生产

[发明专利]DBC基板的制造方法及使用该方法制造的DBC基板-CN201710528905.X在审
发明人：张振文;詹俊;崔嵩;许海仙;张浩;史常东 -专利权人：合肥圣达电子科技实业有限公司
申请日： 2017-07-01 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBC基板的制造方法，该方法包括（1）将第一铜片和第二铜片表面清洗，使用碱性溶液除油，再用酸性溶液除去表面氧化层；（2）所述陶瓷基材表面使用碱性溶液清洗；（3）对第一铜片和第二铜片进行氧化处理并形成氧化层；（4）将第一铜片、第二铜片与陶瓷基材贴合并放置在承烧板后同时对第一铜片、第二铜片和陶瓷基材进行烧结处理。这种制造方法适用于特殊规格的DBC基板制造，特别是陶瓷基材的厚度≤0.38毫米、铜片厚度≥0.4毫米的组合，这种制造方法能有效避免常规制造过程中陶瓷碎裂的问题，提高DBC基板的制造率，降低双面分开烧结时不匹配应力造成的局部大泡、表面融化、铜面晶粒增大等问题，提高产品性能，同时节约工艺成本。
dbc 制造方法使用基板

[发明专利]覆铜用氮化铝基板的预处理方法-CN201410641972.9有效
发明人：张振文;耿春磊;许海仙;崔嵩 -专利权人：合肥圣达电子科技实业公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了氮化铝DBC板制备过程的关键工序—覆铜用氮化铝基板的预处理方法，该方法包括：第一步，氮化铝基板表面清洗；第二步，氮化铝基板表面活化，通过碱液使氮化铝暴露出新的、活性高的表面；第三步，氮化铝基板表面过渡层制备，过渡层为含锰、铜、钙、铝离子等的复合层；第四步，氮化铝基板表面进行热氧化处理，形成复合改性层。本发明降低了氮化铝DBC工艺中氮化铝表面预处理的苛刻条件；制备的氮化铝过渡层为复合氧化层，高温下能顺利与无氧铜片表面的氧化铜充分润湿、铺展，并发生反应形成键合，氮化铝与铜片之间附着力强度高，孔洞率低，产品抗温度循环性能良好。
覆铜用氮化铝基板预处理方法

[发明专利]一种氧化锆陶瓷的制备方法-CN201010552565.2有效
发明人： 许海仙;丘泰;杨建;郭坚 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锆陶瓷的制备方法，采用低毒的凝胶体系及分散剂，制备出高固相的浆料，再加引发剂，经真空脱泡后，将浆料注入模具，固化后脱模，得到生坯，干燥后烧结成陶瓷。本发明制备了表面光洁、不起皮、不开裂、均匀性好、强度高的生坯，其强度在20～40MPa，可直接进行机械加工，有效降低了后续加工成本；可一次烧结成瓷，成品率达100％，陶瓷性能优异，稳定性好，强度为800～1200MPa，断裂韧性为10～20MPa·m1/2，较干压成型陶瓷强度平均为550MPa，断裂韧性平均为8MPa·m1/2，其性能有了很大提高。
一种氧化锆陶瓷制备方法

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