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[发明专利]一种纳米复合光催化材料及其制备方法-CN202011421769.2在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合光催化材料，所述纳米复合光催化材料为多个表面包覆石墨烯的球状二氧化钛颗粒堆叠而成的块体结构；所述块体结构为表面包覆石墨烯的球状二氧化钛颗粒相互堆叠之间形成的多个内外相连的孔洞结构；所述表面包覆石墨烯的球状二氧化钛颗粒包括内层球状二氧化钛和外层石墨烯包覆层；所述表面包覆石墨烯的球状二氧化钛颗粒相互之间通过石墨烯表面的悬挂键键合在一起。
一种纳米复合光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011363122.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，降低多晶占比，将大籽晶块设计成长条形，减少籽晶接缝，减少了硅片的位错缺陷。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]一种基于纳米纤维宏量化成形用多纺丝头静电纺丝器-CN202210070509.8在审
发明人：李喆;钱佳奂;孙卫华;朱冰洁;生俊露;尹岸林;许志;姚勇波;颜志勇;李海东 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： D01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米纤维宏量化成形用多纺丝头静电纺丝器，包括供液池和电动伸缩杆，所述供液池的底壁安装有两组对称布置的吸盘，所述吸盘的顶部安装有电动伸缩杆；所述电动伸缩杆的顶部安装有导轨，所述导轨的表面套接有等距布置的纺丝头，所述滑板的内部贯穿设有通孔，所述供液池的底部四角均安装有调节杆，所述供液池的底部设有贯穿的圆孔，且所述圆形柱槽的内部贯穿安装有纱线束。本发明通过设置有储料箱，在供液池内部纺丝溶液含量下降后，高浓度纺丝溶液经过起泡器排放至供液池的内部，不仅扩大溶解面还能够有效避免溶解时的搅拌处理，保证导轨内部的纤维或者纱线处于恒定状态，以此维持静电纺丝效果的均匀性。
一种基于纳米纤维宏量化成形用多纺丝静电

[发明专利]一种滑翔飞行器高精度临近最优减速控制方法-CN202210045346.8在审
发明人：杨垣鑫;许志;张迁;李嘉诚;曹颜钦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G05D1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种滑翔飞行器高精度临近最优减速控制方法，该方法的实际输入条件是惯性导航器件提供的滑翔飞行器当前飞行时间、位置矢量、速度矢量，利用飞行器参数及初始指令序列，通过数值积分得到初始飞行轨迹参数及终端偏差量；然后通过飞行轨迹参数求解出状态敏感度矩阵序列，从而根据逆序递归格式快速得到指令反馈矩阵；根据基函数更新量，再次通过数值求得终端偏差量，重复上述步骤进行多次快速迭代，得到满足终端偏差的新指令序列，根据目标点参数及基准指令解算新的指令角，可构成指令更新闭环格式，且求解过程具有快速性、可靠性的重要特性，因此能够高效的实现高精度减速控制的目的。
一种滑翔飞行器高精度临近最优减速控制方法

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011154191.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，能够显著改善铸造单晶硅片的位错缺陷及多晶占比，从而改善铸造单晶硅片质量。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]一种铸造单晶硅的前处理方法-CN202011146517.3在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造单晶硅的前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：使用砂浆线切割设备将铸造单晶硅锭切割成铸造单晶硅片；利用酸性溶液清洗去除铸造单晶硅片表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；在硅片表面沉积一层磷硅玻璃层，并进行退火处理；将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质。
一种铸造单晶硅处理方法

[发明专利]一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法-CN202011147172.3在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型掺杂层朝前的异质结光伏电池的制备方法，所述方法包括如下步骤：硅片预清洗；PSG氧化层沉积及高温处理；去除表面的PSG/USG氧化层，用碱液去损伤和制绒，并清洗；PECVD镀膜制备表面钝化膜层和掺杂膜层；PVD磁控溅射制备透明导电膜；表面形成金属栅线。本发明把P型掺杂的薄膜层前置，可以降低对硅片品质的敏感性，为了消除原有P型非晶硅的缺点，用含氧型P型微晶代替传统P行非晶硅膜层，同时增大能带带隙和提高导电性，传统上成本较低的铸锭单晶方式也可以导入异质结的规模量产，对异质结的持续降本非常有利，同时现有的多晶炉可以经简单改造，形成有效产能，减少设备的投资浪费。
一种掺杂朝前异质结光伏电池制备方法

[发明专利]基于惯组测量信息的滑翔飞行器在线气动辨识及修正方法-CN202210026031.9在审
发明人：张皓;许志;张迁 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于惯组测量信息的滑翔飞行器在线气动辨识及修正方法，将惯性器件给出的实时弹体加速度测量信息及基准气动参数表给出的参考加速度，依据力学关系列写得到辨识方程；再通过伪逆或递推最小二乘的方式得出基于基准气动参数表格的修正系数；最后，为将全程随时间变化的气动系数辨识时间序列结果简化为单一的气动修正系数表格，运用力学等效方法实现气动修正表格的构建。本发明有助于将基准气动表与滑翔飞行器的实时飞行环境作比对，定量对所建立气动模型准确程度加以评估。
基于测量信息滑翔飞行器在线气动辨识修正方法

[发明专利]一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法-CN202011131573.X在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，所述方法包括如下步骤：用湿化学溶液清洗硅片，去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；硅片表面沉积一层N型非晶或微晶硅氧薄膜并进行一系列退火处理；进行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；进行表面制绒；进行氢处理；进行非晶硅或微晶层镀膜，形成有效的PN结发射层和背电场；在硅片薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片正反面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成制作流程。本发明中进行退火处理，有利于钝化晶界和提升少子寿命，将体硅中晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，并进行氢处理，利用H原子进一步修复晶格缺陷，提高后续的钝化水平。
一种铸锭多晶硅异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202011132671.5在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸锭晶硅异质结太阳能电池，包括：铸锭晶硅衬底，所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒；设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面，其中，金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构；设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层，其中，所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚；设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层；及设置在透明导电膜层之上的金属电极。
一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池制备方法-CN202011133338.6在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池制备方法，所述方法包括以下步骤：提供一种N型单晶硅片；化学抛光：处理硅片机械损伤层，去除硅片表面杂质；在硅片表面通过扩散形成一层磷扩散层与PSG层；腐蚀清洗：去除硅片表面的PSG层；制绒清洗：在硅片表面形成金字塔绒面；在硅片其中一面形成本征非晶硅层与N型非晶硅层，另一面形成本征非晶硅层与P型非晶硅层；在硅片正背面沉积透明导电膜层；在硅片正背面形成金属栅线电极。本发明在制绒清洗前对硅片进行磷扩散、高温氧化处理，大幅改善了硅片内部晶格缺陷，减少了硅片内部的碳、硫以及金属等杂质，从而提升了硅片的体少子寿命，改善了硅片沉积非晶硅后的界面钝化，进而提升了电池的转换效率。
一种硅基异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种组织等效正比计数器模拟谱生成方法及其应用-CN202111512628.6在审
发明人：陈宝维;赵飞;许志;杨中建;张煜;谢伟民;程昊 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种组织等效正比计数器模拟谱生成方法及其应用，通过收集国内外发表的国际空间站环境、单能粒子、γ场、中子场中利用组织等效正比计数器测得的数据，并对收集的数据进行处理以形成基础谱，在基础谱的基础上生成满足上述不同辐射场中组织等效正比计数器测量分布规律的模拟谱，并由该谱得到品质因数Q、吸收剂量D与剂量当量H值，可应用于对组织等效正比计数器硬件测量系统及信号处理模块进行校准。采用本发明所公开的组织等效正比计数器校准方法，具有校准效率高、可实时进行校准，并且应用范围广的优点。
一种组织等效正比计数器模拟生成方法及其应用

[发明专利]一种电喷涂电池的制备方法-CN202111609385.8在审
发明人：胡转;鲁兵安;许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：本发明提供一种电喷涂电池的制备方法，其包括：静电纺丝制备隔膜；在隔膜的两面分别电喷涂正负极材料制备集成电极；集成电极切割；电解液浸润及电池组装。该方法通过静电纺丝的方法制备PAN隔膜,该隔膜具有高柔韧性，且其产生的多孔纳米纤维膜可以促进电解液的吸收。通过电喷涂的方法制备集成电极，然后统一滚压后形成的集成电极可直接切割用于电池组装，电喷涂使喷涂在隔膜上的材料更均匀和致密，可以统一进行压实处理和实现高负载量。该制备方法的工艺简单，大大降低了生产成本和生产时间。同时还具有原材料利用率高，材料兼容性高，适用各种电极的制备等优点。
一种喷涂电池制备方法

[发明专利]一种具有低剪切应力结构的不定岛纺丝组件-CN202111528933.4在审
发明人：许志 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： D01D5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低剪切应力结构的不定岛纺丝组件，包括防护圆筒和套管，所述防护圆筒的内壁安装有喷丝板和分配板，所述防护圆筒的顶部嵌合安装有套管；所述套管的内壁安装有挡块，所述挡块的顶部螺纹安装有连接块，所述连接块的内部安装有位移感应器和计时器，所述连接块的顶部安装有压盘，所述压盘的顶部通过轴承安装有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧的顶部安装有过滤框，所述过滤框的内部安装有滤网；所述喷丝板的内部设有贯穿的流通孔。本发明通过设置有过滤框，可根据滤网回弹时的位移距离和位移时长判断滤网的堵塞状况，进而及时提醒使用者替换滤网，此外贯通孔和流通空的设计，可有效降低熔体经过本纺丝组件内部时的剪切应力。
一种具有剪切应力结构不定纺丝组件

[外观设计]组织等效正比计数器-CN202130710179.0有效
发明人：陈宝维;赵飞;许志;张煜;杨楠;杨中建;程昊;谢伟民 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：组织等效正比计数器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于辐射剂量监测。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
组织等效正比计数器