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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]移动硬盘读取座-CN202330003608.X有效
发明人：石亮;赵琳娜;许嘉伦 -专利权人：石亮
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： 14-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：移动硬盘读取座。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于固定移动硬盘，并读取和备份硬盘内数据。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
移动硬盘读取

[发明专利]一种涡轮发动机排气机匣轴向包容试验装置及方法-CN202010485617.2有效
发明人：宣海军;许嘉伦;何泽侃;黎晓宇 -专利权人：浙江海骆航空科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01M15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种涡轮发动机排气机匣轴向包容试验装置及方法。装置包括底座、驱动电机、储能飞轮、增速齿轮箱、涡轮转子系统、轴向动作机构、数据采集系统和自动控制系统。本发明方案采用模拟或真实的涡轮转子、排气机匣，通过相对运动主体的转换，在试验状态下实现与工况下等效的轴向包容试验过程，解决了准确模拟轴向包容的冲击过程和冲击能量的问题；能够获得准确的轴向包容过程中转子和机匣的位移、冲击载荷及变形动态响应等关键数据，同时对各部件的损伤和变形等进行测量分析，并考核涡轮发动机机匣的轴向包容能力。
一种涡轮发动机排气轴向包容试验装置方法

[发明专利]用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机制-CN201410315681.0有效
发明人：任启中;许嘉伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机制。提供了用于形成具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的半导体器件的机制的实施例。MIM电容器结构包括衬底、和形成在衬底上的MIM电容器。MIM电容器包括形成在衬底上方的底电极。底电极是顶部金属层。MIM电容器还包括形成在底电极上的绝缘层、和形成在绝缘层上的顶电极。
用于形成金属绝缘体 mim 电容器结构机制

[发明专利]集成电路-CN201310053595.2有效
发明人： 许嘉伦;邓永佳 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路，包括高速信号输入引脚、共同节点、高速信号输出引脚以及核心电路。高速信号输入引脚与高速信号输出引脚配置于集成电路的封装上。共同节点与核心电路配置于该集成电路中。共同节点直接电性耦接至高速信号输入引脚。高速信号输出引脚直接电性耦接至共同节点。核心电路的高速信号输入端直接电性耦接至该共同节点。
集成电路

[发明专利]具有未掺杂源极与汲极区的陷入储存快闪记忆胞结构-CN200610103887.2有效
发明人： 许嘉伦;刘慕义 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明描述制造氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪记忆体的方法，其中每个记忆体单元使用硅翼片来形成氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪单元，在所述氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪单元中，源极区域和汲极区域均未掺杂。一行氮化物捕捉记忆体单元中的所选择的多晶硅闸极的每个邻近多晶硅闸极用于产生反转区域，充当用于传送所需电压的源极区域或汲极区域，其在每个记忆体单元的所述源极区域和所述汲极区域均未掺杂的情况下保存记忆体单元的密度。所述快闪记忆体包括与多个硅翼片层交叉的多个多晶硅层。
具有掺杂汲极区陷入储存记忆结构

[发明专利]横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法-CN200510084136.6有效
发明人： 许嘉伦;刘慕义;卢道政;杨怡箴;陈冠博 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法。此方法包括下面步骤：(a)提供第一导电型的基底；(b)于基底中形成第二导电型的井区，此井区具有极陡峭退后的井轮廓，在其中的掺杂浓度随着深度改变，而于井区的表面区域提供比位于井区的表面区域下面的区域低的淡掺杂浓度；(c)形成闸极层，其部分覆盖井区以及与井区绝缘；以及(d)于井区形成源极区以及汲极区其中之一。此SSR的井区的存在可以提供一较淡的表面掺杂以而可获得具有高崩溃电压的LDMOS，以及可以提供较浓的次－表面掺杂以降低导通阻值。
横向扩散半导体元件及其制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS元件及其加工方法-CN200510085027.6有效
发明人：刘慕义;许嘉伦;杨怡箴;陈冠博;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS元件及其加工方法。LDMOS元件具有基底，基底中形成有源极区与漏极区。在源极与漏极区之间的一部分基底上提供了一个绝缘层，以便在绝缘层与基底表面之间提供一个平面介面。然后在绝缘层的一部分之上形成绝缘构件，在部分绝缘构件与绝缘层之上形成栅极层。通过使用此结构，发现存在有平直的电流通道，使之能减少接通电阻，同时维持高击穿电压。
横向扩散金属氧化物半导体 ldmos 元件及其加工方法

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