“西森理人”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410373778.7有效
发明人： 西森理人;吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：构造成形成在衬底上的电子渡越层；构造成形成在电子渡越层上的电子供给层；构造成形成在电子供给层上的上表面层；构造成形成在电子供给层或上表面层上的栅电极；构造成形成在上表面层上的源电极和漏电极；以及构造成在形成源电极和漏电极的区域正下方的上表面层和电子供给层中形成的第一导电类型区域。电子供给层由包含In的氮化物半导体形成。上表面层由包括氮化物的材料形成，所述氮化物是选自B、Al和Ga中的一种或更多种元素的氮化物。 1
电子供给层上表面层半导体器件氮化物电子渡越层漏电极源电极第一导电类型区域氮化物半导体材料形成栅电极衬底制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410645228.6有效
发明人： 西森理人;吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；形成在第二氮化物半导体层和第一氮化物半导体层的一部分中的元件隔离区域；形成在第二半导体层和元件隔离区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；以及以从漏电极的侧表面的上部突出的方式形成的漏极场板。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
发明人： 西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310438756.X无效
发明人： 西森理人;渡边芳孝 -专利权人：富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括：化合物半导体层叠结构；以及覆盖化合物半导体层叠结构的表面的层间绝缘膜，层间绝缘膜包括第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上以填充第一绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第二绝缘膜。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310316261.X无效
发明人： 西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括如下化合物半导体层：第一层；形成在第一层上方的第二层，其带隙大于第一层的带隙；形成在第二层上方的第三层，其具有p型导电类型；经由第三层形成在第二层上方的栅电极；形成在第二层上方的与第三层接触的第四层，其带隙大于第二层的带隙；以及形成在第四层上方的与第三层接触的第五层，其带隙小于第四层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210589857.2有效
发明人： 西森理人;吉川俊英;今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路-CN201210385127.0无效
发明人： 西森理人;多木俊裕;吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路。化合物半导体器件包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在第一化合物半导体层上方的供给载流子的第二化合物半导体层；以及设置在第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中第三化合物半导体层包括载流子浓度高于第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。
化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top