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[发明专利]包含双偶极阻挡电介质层的三维平面存储器装置及其制造方法-CN201980006261.5有效
发明人： 西川昌利;榊原清彦 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：绝缘条带和导电条带的交替堆叠，其位于衬底上方并且通过线型沟槽彼此横向间隔开，所述线型沟槽沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向间隔开；以及存储器堆叠结构，其布置成沿着所述第一水平方向延伸的行。每一行存储器堆叠结构位于所述线型沟槽的相应侧壁上。所述存储器堆叠结构中的每一个包含竖直半导体通道、接触所述竖直半导体通道的隧穿电介质、接触所述隧穿电介质的电荷存储层，以及复合阻挡电介质。所述复合阻挡电介质包含第一含偶极的阻挡电介质层堆叠、均质阻挡电介质层以及第二含偶极的阻挡电介质层堆叠。
包含双偶极阻挡电介质三维平面存储器装置及其制造方法

[发明专利]包含三维位线放电晶体管的三维存储器装置及其制造方法-CN201980006262.X有效
发明人： 西川昌利;H.齐布冯戈德泽 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，其位于衬底上方；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述第一交替堆叠；以及位线，其上覆于所述存储器堆叠结构。提供竖直放电晶体管，其中每一个竖直放电晶体管包含延伸穿过第二绝缘层和第二导电层的第二交替堆叠的相应竖直放电晶体管通道，所述第二交替堆叠与所述第一交替堆叠横向间隔开。
包含三维放电晶体管存储器装置及其制造方法

[发明专利]含有氢扩散阻挡结构的三维存储器装置及其制造方法-CN201980005829.1有效
发明人： T.藤田;K.宍户;小川裕之;西川昌利;A.西田;M.乔杜里 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体结构包含半导体装置、上覆氮化硅扩散屏障层，以及延伸穿过所述氮化硅扩散屏障层的互连结构。所述互连结构包含钛扩散屏障结构，其与所述氮化硅扩散屏障层接触以形成连续氢扩散屏障结构。
含有扩散阻挡结构三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]包含多层级漏极选择栅极隔离的三维存储器装置及其制造方法-CN201980005833.8有效
发明人： 西川昌利;S.矢田;张艳丽 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层与字线层级导电层的交替堆叠，和位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级导电层。存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级导电层。包含相应一对笔直侧壁的电介质分隔物结构，和包含相应一对侧壁的漏极选择层级隔离结构将所述漏极选择层级导电层划分成多个条带，所述隔离结构的相应一对侧壁包含相应一组凹入竖直侧壁分段。所述漏极选择层级导电层和所述漏极选择层级隔离结构是通过用导电材料替换漏极选择层级牺牲材料层，和通过用电介质材料部分替换漏极选择层级牺牲线型结构而形成。
包含多层级漏极选择栅极隔离三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]用于3D存储器器件中的垂直晶体管的均匀阈值电压的外延源极区-CN201680050590.6有效
发明人： 西川昌利;榊原清彦;小川裕之;皆川修二 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：在衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。穿过交替堆叠体形成存储器堆叠体结构。形成背侧沟槽，并且用导电层替换牺牲材料层。在沟槽中形成绝缘间隔体之后，从背侧沟槽下面的半导体部分生长外延基座结构。通过在外延生长期间和/或之后将掺杂剂引入到外延基座结构和下面的半导体部分中来形成源极区。可替代地，可以与形成存储器开口同时地形成背侧沟槽。可以与在每个存储器开口的底部处形成外延沟道部分同时地形成外延基座结构。在背侧沟槽中形成并后续移除虚设沟槽填充结构之后，通过将掺杂剂引入到外延基座结构中来形成源极区。
用于存储器器件中的垂直晶体管均匀阈值电压外延源极区

[发明专利]用于三维存储器器件的阵列内替换开口-CN201680055326.1有效
发明人： 西川昌利;M.宫本;J.卡伊 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：牺牲材料层和绝缘层的交替堆叠形成在基底上。可以采用开口的子集来执行利用导电层替换牺牲材料层。采用开口的主要子集来在其中形成存储器堆叠结构。开口的次要子集被采用作为接入开口，用于引入蚀刻剂去除牺牲材料层以形成横向凹陷并提供用于在横向凹陷中沉积导电层的反应物。通过将接入开口分布在整个开口上并消除使用背侧沟槽来替换牺牲材料层的需要，背侧沟槽的尺寸和横向范围可以减小到足以仅容纳背侧接触通孔结构的水平。
用于三维存储器器件阵列替换开口

[发明专利]具有凹陷的非活性的半导体沟道截面的3D半圆形垂直NAND串-CN201680055146.3有效
发明人： 西川昌利;H.井内;M.宫本 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：包括每个存储器开口中的每级双存储器单元的垂直存储器器件可以具有突出到存储器开口内的存储器堆叠结构的面向的一对侧壁中的电介质分离器电介质结构。面向电介质分离器电介质结构的垂直半导体沟道的一对非活性的部分从控制栅极电极横向地凹陷。由于电介质分离器电介质结构，可以增强对这种垂直存储器器件的阈值电压的控制。由于控制栅极电极与垂直半导体沟道的非活性的部分之间的增加的距离，来自控制栅极电极的边缘电场较弱。存储器堆叠结构可以具有接触电介质分离器电介质结构的凹的侧壁和朝向控制栅极电极突出的凸的侧壁。
具有凹陷活性半导体沟道截面半圆形垂直 nand

[发明专利]用于与多级存储器器件集成的具有多级栅极电极的场效应晶体管-CN202110346759.5在审
发明人： 西川昌利;H.交告;F.富山;J.欧 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：开关场效应晶体管和存储器器件可以采用同一组工艺步骤来形成。在基板之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠。用于存储器器件的存储器堆叠结构和用于场效应晶体管的栅极电介质‑沟道结构可以同时分别形成在存储器区域和晶体管区域中。在用电导电层替换牺牲材料层之后，存储器区域中的电导电层的部分与彼此电隔离，以向存储器器件提供独立控制的控制栅极电极，同时晶体管区域中的电导电层的部分被彼此电短路，以为开关场效应晶体管提供单个栅极电极。
用于多级存储器器件集成具有栅极电极场效应晶体管

[发明专利]用于与多级存储器器件集成的具有多级栅极电极的场效应晶体管-CN201680055220.1有效
发明人： 西川昌利;H.交告;F.富山;J.欧 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：开关场效应晶体管和存储器器件可以采用同一组工艺步骤来形成。在基板之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠。用于存储器器件的存储器堆叠结构和用于场效应晶体管的栅极电介质‑沟道结构可以同时分别形成在存储器区域和晶体管区域中。在用电导电层替换牺牲材料层之后，存储器区域中的电导电层的部分与彼此电隔离，以向存储器器件提供独立控制的控制栅极电极，同时晶体管区域中的电导电层的部分被彼此电短路，以为开关场效应晶体管提供单个栅极电极。
用于多级存储器器件集成具有栅极电极场效应晶体管

[发明专利]存储器芯片中的升压转换器-CN202010227398.8在审
发明人： H.齐布冯戈泽;西川昌利 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：本发明公开了存储器芯片中的升压转换器。包括片内升压转换器的非易失性存储器包括：第一存储器结构，限定设置在第一基板上的控制电路，以及邻近控制电路设置的第一金属层，其中第一金属层耦接控制电路的元件；以及第二存储器结构，该第二存储器结构限定设置在第二基板上的存储器阵列，以及邻近存储器阵列设置的第二金属层，其中第一金属层和第二金属层通过在第一金属层和第二金属层之间形成的永久性物理键合而键合在一起；以及升压转换器，该升压转换器限定设置在第一金属层和第二金属层中的电感器，以及设置在控制电路中的晶体管电路。非易失性存储器，其中电感器还限定耦接到电压源的第一端子和通过晶体管电路耦接到负载的第二端子。
存储器芯片中的升压转换器

[发明专利]含有漏极选择层级气隙的三维存储器装置及其制造方法-CN201980006271.9在审
发明人： 西川昌利;西田彰男 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的绝缘层和字线的交替堆叠；延伸穿过所述交替堆叠且含有相应竖直半导体通道和相应存储器膜的存储器堆叠结构；位于所述交替堆叠上方、沿着第一水平方向延伸且沿着第二水平方向横向隔开的漏极选择栅极电极；以及位于邻近漏极选择栅极电极之间的电介质顶盖层。气隙在邻近漏极选择栅极电极之间位于所述电介质顶盖层中。
含有选择层级三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]含有到竖直通道底部的源极触点的三维存储器装置及其制作方法-CN201980005958.0在审
发明人： 西川昌利;S.矢田;M.堤 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的源极层级材料层，所述源极层级材料层含有源极触点层；位于衬底层级材料层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠，使得所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和具有接触所述源极触点层的相应水平表面的底部表面的竖直半导体通道；以及电介质柱结构，其嵌入于所述衬底层级材料层内且位于所述存储器堆叠结构之间。
含有竖直通道底部触点三维存储器装置及其制作方法

[发明专利]包含凹形字线的三维平面NAND存储器装置及其制造方法-CN201980005963.1在审
发明人： 西川昌利;胡晓龙;张艳丽 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器装置，包含定位于衬底上方且通过竖直波状沟槽彼此横向间隔开的绝缘带与导电带的交替堆叠。所述竖直波状沟槽在所述导电带的层级处比在所述绝缘带的层级处具有更大横向范围。存储器堆叠组合件与介电柱结构的交错二维阵列定位于所述竖直波状沟槽中。每一存储器堆叠组合件包含竖直半导体沟道和包含相应对凸形外部侧壁的一对存储器膜，所述相应对凸形外部侧壁接触所述导电带的凹形侧壁或通过均一距离与所述导电带的凹形侧壁隔开。所述竖直半导体沟道的横向突出顶端处的局部电场由于由所述导电带的所述凹形侧壁提供的几何效果而增强以有助于更快的编程和擦除操作。
包含凹形三维平面 nand 存储器装置及其制造方法

[发明专利]照明装置-CN201310596864.X有效
发明人：神谷优;山本凉平;漆原笃彦;西川昌利;冈田隆;吉幡正英;船户优;别井圭一;村田诚治;沟尾明 -专利权人：日立空调·家用电器株式会社
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明提供制造容易且分解困难的照明装置（1）。该照明装置包括：安装基板（8），安装有发光元件（8d）；电源电路（7），对安装基板供给规定的电力；散热体（2），与安装基板接触，将在安装基板产生的热散出到外部；收纳壳（3），收纳电源电路，使该电源电路与散热体绝缘；透镜（11），靠近发光元件地配置，使发光元件产生的光透过；钩部（9），设置于透镜（11）；和承接部（6），设置于收纳壳，与钩部嵌合，通过钩部与承接部的嵌合，收纳壳和透镜夹持安装基板。具有臂部（5），其一端被支承于收纳壳，另一端相对于安装基板配置于透镜的一侧，在臂部设置有承接部。臂部的一部分埋入到设置于散热体的槽（2h）中，臂部嵌入在设置于安装基板的外周的切口部（8a）。
照明装置

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