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- [发明专利]一种光电器件的电子阻挡层结构-CN201510030768.8有效
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李淼;黄宏嘉
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西安神光皓瑞光电科技有限公司
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2015-01-21
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2018-12-04
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H01L33/14
- 本发明提出了一种光电器件的电子阻挡层结构，尽可能通过晶格结构和禁带宽度的调整来达到与量子阱和P层间的结构匹配；同时减少极化电场的形成，尽可能减弱电子阻挡层内的负电荷区域形成，进而提升效率；并减弱电子阻挡层的能带弯曲导致的电子泄露和P层空穴势能的增加。该光电器件的电子阻挡层结构采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分≤10％,Al组分≤40％；在电子阻挡层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立；对于AlInGaN/InGaN超晶格结构的电子阻挡层，In组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者这两处都存在渐变。
- 一种光电器件电子阻挡结构
- [发明专利]一种LED外延生长方法-CN201510068384.5有效
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商毅博
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西安神光皓瑞光电科技有限公司
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2015-02-10
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2018-04-17
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H01L33/00
- 本发明提供一种新的LED外延生长方法，能有效提升LED内量子效率，提高LED的发光强度，并使LED发光波长稳定性得到提高。该LED外延生长方法，包括依次进行低温缓冲层、无掺杂高温GaN层、掺Si的高温GaN层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、p‑AlGaN层以及掺Mg的p‑GaN层的生长，0≤x≤1，0≤y≤1；至少有一个周期的InxGa1‑xN量子阱生长过程中插入了晶格常数更小的多个InaGa1‑aN薄层，0≤a＜x≤1；至少有一个周期的AlyGa1‑yN量子垒生长过程中插入了晶格常数更大的多个AlbGa1‑bN薄层，0≤b＜y≤1。
- 一种led外延生长方法
- [发明专利]一种垂直结构LED芯片制备方法-CN201510080028.5有效
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宁磊
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西安神光皓瑞光电科技有限公司
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2015-02-13
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2017-08-25
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H01L33/00
- 本发明提供了一种新的制备垂直结构的方法，重点有三个环节其一是U‑GaN生长结束后，进行KOH和H3PO4湿法腐蚀，可最终使GaN与蓝宝石之间形成了点接触，有利于之后的激光剥离形成垂直结构；其二是在GaN外延层表面制备反射镜(Ni/Ag或Ni/Al)与键合层(Cr/Ag/Sn)之前，利用激光划片机对晶圆表面进行盲划，盲划尺寸与所需芯片尺寸相同，通过盲划工艺使晶圆表面有规律的产生裂纹，可以释放外延生长过程中产生的应力，晶圆键合过程中减少对氮化镓外延的破坏。其三是激光剥离时，对激光光斑及扫描步进进行调整，使之与盲划后的芯片大小相匹配，其过程可以解决激光剥离过程中的均匀性差问题。
- 一种垂直结构led芯片制备方法
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