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[发明专利]细胞分选器-CN201810214326.2在审
发明人：今井快多;香西昌平;秋元阳介;西垣亨彦;小野冢丰;永井弥夕 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：实施方式涉及从检体液中分取特定的细胞等微粒的细胞分选器。该细胞分选器不对检体液中的细胞等颗粒造成损伤地分取检体液中的特定颗粒。实施方式涉及的细胞分选器具备：从一端侧供给包含颗粒的检体液的流路(20)；连接于流路(20)的另一端侧的多个分支流路(21、22)；具有覆盖从流路(20)到分支流路(21、22)的像素区域的图像传感器(40)；根据图像传感器(40)的流路(20)的部分的像素区域的计测信号对检体液中的颗粒的特征进行判定的判定部(50)；以及与流路(20)和分支流路(21、22)的连接部相邻地设置并基于判定部(50)的判定结果将检体液中的颗粒导向分支流路(21、22)中的任意分支流路的分支部(60)。
体液分支流路流路细胞分选器图像传感器像素区域判定部细胞计测信号颗粒导向判定结果分支部判定损伤覆盖

[发明专利]光学传感器-CN201810213282.1在审
发明人：秋元阳介;香西昌平;今井快多;西垣亨彦;小野冢丰;永井弥夕 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：提供能够防止噪声的产生、以高灵敏度检测来自检体的荧光的光学传感器。实施方式的光学传感器具备：第1基板，其具有检测由从侧方照射出的光而从荧光材料所产生的荧光的光检测区域；第1绝缘膜，其设置在所述第1基板上；第2基板，其支承所述第1绝缘膜；以及遮光膜，其设置于所述第1基板的侧面、所述第1绝缘膜的侧面、所述第2基板的侧面、和在所述第1基板的背面的除了与所述光检测区域对应的区域以外的区域。
第1基板光学传感器绝缘膜光检测区域第2基板荧光侧面高灵敏度荧光材料遮光膜检测侧方检体支承噪声照射

[发明专利]致动器-CN200910004248.4有效
发明人：川久保隆;长野利彦;西垣亨彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明解决驱动电压偏移、电极的粘着等问题，由此，提供一种经时变化小、具有稳定的驱动特性的压电驱动方式的致动器。本发明提供一种致动器，具备：基板；设置在上述基板的主面上的固定电极；设置在上述固定电极上、由结晶体构成的第1电介质膜；与上述主面相对、在上述基板的上方空出间隙地被保持的可动梁；设置在上述可动梁的与上述固定电极相对的面上、在与上述固定电极之间被施加交流电压的可动电极；以及设置在上述可动电极的与上述固定电极相对的面上、由结晶体构成的第2电介质膜。
致动器

[发明专利]致动器以及使用其的电子设备-CN200910002664.0有效
发明人： 西垣亨彦;长野利彦;板谷和彦;川久保隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H02N2/02 文献下载
摘要：本发明提供一种致动器以及使用其的电子设备，该致动器通过降低梁的翻翘的影响，最大静电电容大，此外缓和了在最大静电电容附近的静电电容的急剧的变化。本发明提供一种致动器，具备：第1梁，其从第1固定端延伸到第1连接端；第1固定部，其连结第1固定端与基板，并使上述第1梁在基板的主面的上方空出间隙地支撑第1梁；第2梁，其从第2连接端延伸到第1作用端，与第1梁并排地设置，并且具有由从第1作用端向着第2连接端延伸的第1缝隙分割而成的第1分割部；第1连接部，其连结第1连接端与第2连接端，并且使上述第2梁在基板的主面的上方空出间隙地保持第2梁；第1固定电极，其与第1分割部的、第1作用端侧的一部分相对，并且设置在基板的主面上。
致动器以及使用电子设备

[发明专利]压电驱动型MEMS装置及便携终端-CN200810213322.9无效
发明人：川久保隆;长野利彦;西垣亨彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明提供了压电驱动型MEMS装置及便携终端，其使尽量地增大作用部和固定电极的接触面积成为可能。具备：基板(1)；设置在基板上支持部(2)；设置在基板上的固定电极(11)；和执行器(3)，具有第1电极(4)、第1电极上形成的压电膜(5)和压电膜上形成的第2电极(6)，一端经过支持部固定在基板上，另一端配置为与固定电极相对并变为作用部(10)，作用部被贯穿第1电极、压电膜及第2电极的多个缝隙分割为多个电极部，各电极部的至少一部分与相邻电极部的一部分连接，各电极部可以个别地产生弯曲变形。
压电驱动 mems 装置便携终端

[发明专利]MEMS器件和具有所述MEMS器件的便携式通信终端-CN200810087276.2无效
发明人：川久保隆;长野利彦;西垣亨彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01H57/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件和具有所述MEMS器件的便携式通信终端。具体地说，提供一种工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件成为可能。一种MEMS器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的支撑单元；设置在所述衬底上的固定电极；致动器，其包括第一电极、形成于所述第一电极上的第一压电膜以及形成于所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线上，并且设置在所述衬底上，以面对所述第一电极。
mems 器件有所便携式通信终端

[发明专利]接收器与无线通信设备-CN200680003626.1无效
发明人：川久保隆;长野利彦;阿部和秀;西垣亨彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-09-25 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H04B1/38 文献下载
摘要：接收器具有：第一电压控制振荡器，其被配置为产生第一振荡信号；第二电压控制振荡器，其被配置为产生具有第一相位的第二振荡信号；第一相位比较器，其被配置为检测第一与第二振荡信号之间的相位差；解调器，其被配置为进行被接收信号的解调处理，并产生包含在第一振荡信号中的第二相位的定时信息；第二相位比较器，其被配置为检测第一与第二振荡信号之间的相位差；第一控制电压发生器，其被配置为基于由第二相位比较器检测得到的相位差产生用于控制第二电压控制振荡器的相位与频率的第一控制电压。
接收器无线通信设备

[发明专利]压电驱动MEMS装置-CN200710112193.X无效
发明人：川久保隆;长野利彦;西垣亨彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H02N2/02 文献下载
摘要：本发明可以提供一种压电驱动MEMS装置，该压电驱动MEMS装置使动作端和固定电极之间的距离保持恒定而不管残余应变是大是小，并且具有再现性和可靠性良好的机构。均具有折叠梁结构的两个压电驱动致动器平行并且以线对称方式布置，并且在动作端附近彼此连接。
压电驱动 mems 装置

[发明专利]压电驱动MEMS器件-CN200710091368.3有效
发明人： 西垣亨彦;长野利彦;宫崎崇;板谷和彦;川久保隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：一种MEMS器件包括：具有第一固定端的第一致动器，其包括第一下电极、第一压电膜、以及第一上电极的层叠结构，并且可通过在第一下电极和第一上电极上施加电压而工作；具有第二固定端的第二致动器，其与第一致动器平行设置，并且包括第二下电极、第二压电膜、以及第二上电极的层叠结构，并且可通过在第二下电极和第二上电极上施加电压而工作；以及电路元件，其具有连接到第一致动器的第一作用部分和连接到第二致动器的第二作用部分。
压电驱动 mems 器件

[发明专利]压电致动器和微机电器件-CN200510103951.2无效
发明人：川久保隆;长野利彦;阿部和秀;西垣亨彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H02N2/02 文献下载
摘要：一种压电致动器，包括第一横梁，第一横梁包括第一底电极，在第一底电极上的第一压电膜，以及在第一压电膜上的第一顶电极，设置在第一横梁的一端并固定在衬底上的固定端，设置在第一横梁的另一端并悬浮在自由空间上的连接端；以及第二横梁，第二横梁包括在连接端连接到第一压电膜的第二压电膜，在第二压电膜下面的第二底电极，以及在第二压电膜上的第二顶电极，设置在第二横梁的一端并悬浮在自由空间上的工作端，该端与设置了连接端的另一端相对；其中固定端与工作端的中心之间的距离比工作端到连接端之间的距离短。
压电致动器微机器件

[发明专利]薄膜压电致动器-CN200510008265.7无效
发明人：川久保隆;尾原亮一;小野富男;长野利彦;西垣亨彦;安本恭章;阿部和秀;佐野贤也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。
薄膜压电致动器

[发明专利]压电薄膜器件及其制造方法-CN200510006851.8无效
发明人：佐野贤也;尾原亮一;梁濑直子;安本恭章;板谷和彦;川久保隆;丰田启;莲沼正彦;长野利彦;阿部和秀;西垣亨彦;柴田浩延 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
压电薄膜器件及其制造方法

[发明专利]表面发光型半导体元件及其制造方法-CN200410092250.9无效
发明人：江崎瑞仙;西垣亨彦;高冈圭儿 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明通过在晶面指数为(100)面等的普通衬底上制作的表面发光型半导体激光元件中，在台面内部的Al高浓度层部分形成非对称的选择氧化结构，对有源层中心部分施加各向异性的应力，从而提高偏振控制性。
表面发光半导体元件及其制造方法

[发明专利]表面发光型半导体激光器及其制造方法-CN200310118604.8有效
发明人：江崎瑞仙;西垣亨彦;高冈圭児 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面发光型半导体激光器，通过设置从包含被氧化层(6a)的台面(100)的侧面使所述被氧化层进行氧化而形成的氧化区域(600)，在所述被氧化层的未被氧化部分使电流狭窄，其特征在于：在所述氧化区域和所述未被氧化部分的边界附近设置有包含质子的质子含有区域(15、16)。通过提高所选择的氧化中的氧化长度和电流狭窄(非氧化)区域的尺寸和形状的控制性能，能提高衬底面内的均匀性和再现性，抑制激光特性元件之间的误差，提高产量及其再现性。
表面发光半导体激光器及其制造方法

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