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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410308831.5有效
  • 虞肖鹏;丁士成 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-06-30 - 2018-12-21 - H01L21/266
  • 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有第一栅极结构和第二栅极结构，衬底表面、第一栅极结构表面以及第二栅极结构表面形成有第一掩膜层；刻蚀第一栅极结构两侧的衬底形成第一凹槽，且第一区域剩余的第一掩膜层形成第一偏移侧墙；在第一偏移侧墙下方的衬底内形成第一轻掺杂区；形成填充满第一凹槽的第一应力层；形成第二掩膜层；刻蚀第二栅极结构两侧的衬底形成第二凹槽，且第二区域剩余的第二掩膜层和第一掩膜层形成第二偏移侧墙；在第二偏移侧墙下方的衬底内形成第二轻掺杂区；形成填充满所述第二凹槽的第二应力层。本发明在提高半导体器件载流子迁移率的同时，有效的缓解热载流子效应问题，优化半导体器件的电学性能。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201510014277.4有效
  • 曾以志;虞肖鹏 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2015-01-12 - 2018-12-21 - H01L21/336
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成有多个伪栅极结构，在伪栅极结构的顶面上形成有保护层；在保护层、伪栅极结构暴露的四周表面和半导体衬底暴露的表面上形成掩蔽层；沉积形成牺牲层覆盖半导体衬底，其中牺牲层的顶面低于保护层上的掩蔽层的顶面；对保护层上暴露的掩蔽层进行离子注入；去除牺牲层以及位于半导体衬底表面上的部分掩蔽层；蚀刻半导体衬底，以在所述伪栅极结构的两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽中形成应力层。根据本发明的制作方法，对虚拟栅极结构起到更好的保护作用，避免多晶硅虚拟栅极的蘑菇效应的产生和多晶硅栅极去除过程中对器件的污染问题。
  • 一种半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410131218.0有效
  • 虞肖鹏;丁士成 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2014-04-02 - 2018-03-30 - H01L21/8238
  • 一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，所述衬底表面分别形成有第一栅极结构、第二栅极结构，所述表面、第一栅极结构表面以及第二栅极结构表面形成有第一掩膜层；刻蚀第一栅极结构两侧的衬底形成第一凹槽，且刻蚀后第一区域剩余的第一掩膜层形成紧挨第一栅极结构侧壁的第一侧墙；形成填充满第一凹槽的第一应力层；形成覆盖第一区域和第二区域的第二掩膜层；刻蚀第二栅极结构两侧的衬底形成第二凹槽，且刻蚀后第二区域剩余的第二掩膜层和第一掩膜层形成紧挨第二栅极结构侧壁的第二侧墙；形成填充满所述第二凹槽的第二应力层。本发明避免去除剩余的第一掩膜层、第二掩膜层的工艺步骤，减少刻蚀时间，从而减少半导体器件中的缺陷，提高良率。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410076992.6有效
  • 傅丰华;虞肖鹏;洪中山 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2014-03-04 - 2018-02-16 - H01L21/336
  • 一种半导体器件的形成方法，包括提供表面具有栅极结构的衬底，栅极结构两侧的衬底内具有源区和漏区，源区和漏区表面具有停止层，衬底、栅极结构和停止层表面具有介质层，停止层和介质层的材料不同；刻蚀部分介质层，直至暴露出停止层表面为止，在介质层内形成第一开口；采用无定形化工艺处理第一开口底部的停止层，使第一开口底部的停止层形成无定形层，无定形层的密度小于未经无定形化处理工艺的停止层密度；去除第一开口底部的无定形层，并暴露出第一开口底部的源区和漏区表面、以及停止层的侧壁表面，第一开口底部的停止层侧壁表面相对于第一开口侧壁的介质层表面齐平；之后，在第一开口内形成导电结构。所形成的半导体器件性能改善。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410196545.4在审
  • 毛刚;俞少峰;陈林林;杨正睿;虞肖鹏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-05-09 - 2015-11-25 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在半导体衬底表面形成隔离层；在所述鳍部表面和隔离层表面形成栅介质层；在部分栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极；在栅介质层和栅极表面形成侧墙材料层；对侧墙材料层进行第一角度等离子体刻蚀，去除鳍部一侧的侧壁上的侧墙材料层；对侧墙材料层进行第二角度等离子体刻蚀，去除鳍部另一侧的侧壁上的侧墙材料层和栅介质层上剩余的侧墙材料层，形成位于栅极侧壁表面的侧墙。上述方法可以在形成栅极侧壁上的侧墙的同时，去除位于鳍部侧壁表面的侧墙材料层，提高最终形成的鳍式场效应晶体管的性能。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201410181377.1在审
  • 赵海;虞肖鹏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-04-30 - 2015-11-25 - H01L21/336
  • 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；采用沉积工艺形成覆盖于所述鳍部表面的屏蔽层，且所述沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体；在所述屏蔽层表面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对部分鳍部进行掺杂工艺；去除所述图形化的光刻胶层；去除所述屏蔽层。本发明形成屏蔽层的工艺过程中对鳍部材料的消耗少甚至不消耗鳍部的材料，保持鳍部的特征尺寸不变，且所述屏蔽层能够防止显影处理过程对鳍部材料造成的损伤，使得形成的鳍式场效应管具有优良的电学性能。
  • 场效应形成方法
  • [发明专利]MOS晶体管及其形成方法-CN201310380216.0在审
  • 虞肖鹏 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-08-27 - 2015-03-18 - H01L21/336
  • 一种MOS晶体管及其形成方法，其中MOS晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；以栅极结构为掩模，在栅极结构两侧的半导体衬底内进离子注入，形成轻掺杂区；在半导体衬底上形成具有第一低介电常数的第一介质层，且所述第一介质层包围栅极结构；在第一介质层上形成具有第二低介电常数的第二介质层，所述第二低介电常数高于所述第一低介电常数；依次刻蚀第二介质层和第一介质层至露出半导体衬底，在栅极结构两侧形成侧墙；以栅极结构及侧墙为掩膜，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成重掺杂区。本发明MOS晶体管侧墙的介电常数K降低，使MOS晶体管的总电容相应减小。
  • mos晶体管及其形成方法
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