“藤山泰治”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法-CN201780078734.3有效
发明人：住田行常;藤山泰治;后藤裕辉;中川拓哉;石原裕次郎 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其具有：准备蓝宝石基板的基板准备工序(S10)；对蓝宝石基板进行热处理的热处理工序(S20)；向蓝宝石基板上供给含金属气体的预流工序(S30)；在蓝宝石基板上，在生长温度：800℃以上且950℃以下、压力：30torr以上且200torr以下的生长条件下，形成缓冲层的缓冲层形成工序(S40)；以及在缓冲层上，在生长温度：800℃以上且1025℃以下、压力：30torr以上且200torr以下、生长速度：10μm/h以上的生长条件下，形成III族氮化物半导体层的生长工序(S50)。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法-CN201780082768.X有效
发明人：住田行常;藤山泰治 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：III族氮化物半导体基板的制造方法，包括：蓝宝石基板准备工序(S10)，准备具有作为主表面的{10‑10}面或{10‑10}面在规定的方向上以规定角度倾斜的面的蓝宝石基板；热处理工序(S20)，一边进行氮化处理一边对蓝宝石基板进行热处理、或者在不进行氮化处理的情况下对蓝宝石基板进行热处理；缓冲层形成工序(S30)，在热处理后的蓝宝石基板的主表面上形成缓冲层；生长工序(S40)，在缓冲层上形成生长面成为规定的面方位的III族氮化物半导体层，对蓝宝石基板的主表面的面方位、热处理时的氮化处理的有无、以及缓冲层形成工序中的生长温度中的至少一个进行调整，使III族氮化物半导体层的生长面成为规定的面方位。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法-CN201780078733.9有效
发明人：住田行常;藤山泰治;后藤裕辉;中川拓哉;石原裕次郎 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法，具有：准备III族氮化物半导体基板的准备工序(S10)，和使III族氮化物半导体在III族氮化物半导体层上外延生长的生长工序(S20)。所述III族氮化物半导体基板，具备：具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板，和位于该主表面上的III族氮化物半导体层，并且在与该主表面垂直的方向上的俯视图中，蓝宝石基板的0002方向和III族氮化物半导体层的10‑10方向不正交。
iii 氮化物半导体制造方法