专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]碘钨灯低真空加热装置-CN202320344715.3有效
  • 王新;杨钢;薛聪 - 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-10-10 - H01K7/00
  • 本实用新型公开了一种碘钨灯低真空加热装置。所述碘钨灯低真空加热装置包括:光源,包括至少一个发光机构;基座,所述基座的内部具有至少一可供换热介质流通的流道;聚光抛物面反光镜,设置在所述基座上且与所述基座导热配合,所述聚光抛物面反光镜与所述发光机构相对设置,并用于将所述发光机构发出的多个入射光线聚焦、反射形成多个平行的反射光线射出;换热介质循环机构,与所述流道相连通,并至少用于向所述流道内提供换热介质,流经所述流道内的换热介质能够与所述基座发生热交换。本实用新型采用夹式接触方式固定发光机构,排除了在高温环境下因虚接触导致的漏电现象发生,从而保证了系统的稳定性。
  • 碘钨灯真空加热装置
  • [发明专利]多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法-CN202310806544.6在审
  • 顾俊;薛聪;王庶民;董建荣 - 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-09-22 - H01S5/125
  • 本发明公开了一种多孔DBR的VCSEL芯片及其制备方法。所述制备方法包括制作外延结构,所述外延结构包括沿第一方向层叠设置的第一超晶格DBR层、n型半导体层、有源区、电子阻挡层、p型半导体层和第二超晶格DBR层;采用电化学腐蚀的方式对所述外延结构进行选择性腐蚀,以在所述第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层内形成多个多孔层,第一超晶格DBR层和第二超晶格DBR层中的多个多孔层沿第一方向依次间隔设置;制作p电极和n电极,且使所述p电极与所述p型半导体层电连接,所述n电极与n型半导体层电连接。本发明采用一次外延获得两对DBR,且使用一次电化学腐蚀即可获得两对多孔DBR。
  • 多孔dbrvcsel芯片及其制备方法
  • [发明专利]灰尘传感器-CN201611060886.4有效
  • 陆鹏;王宇锋;薛聪 - 江苏日盈电子股份有限公司
  • 2016-11-25 - 2023-07-25 - G01N15/00
  • 本发明的灰尘传感器,可以同时获得车内和车外的空气相关数据。车内通道和车外通道相互隔离,使车内车外风路互不干扰。同时,采用同一个发光管发出光线,通过光学透镜组分别射入车内通道和车外通道,可保证相对数据的精确。风扇的设置使得传感器内外产生压力差,进而促使外部空气进入传感器内部。而车内风道出口和车外风道出口相互靠近或为同一通孔,使得两路风路的出口可以设置同一风扇,即内部风场是由同一个风扇转动产生,能够保证两个测量区域风场数据的稳定。
  • 灰尘传感器
  • [实用新型]一种晶圆托盘装置-CN202320399288.9有效
  • 翟勇鹏;王庶民;薛聪;董建荣 - 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-07-25 - C30B25/12
  • 本实用新型公开了一种晶圆托盘装置,包括托盘主体和活动支架,托盘主体上至少设置有一个用于放置晶圆的晶圆槽及至少一个支架槽,每个晶圆槽对应一个或多个支架槽,每个支架槽内设置一活动支架,活动支架设置在晶圆槽的周围,且活动支架转动设置于对应的支架槽内且沿竖直方向上转动;当晶圆放入晶圆槽内,活动支架靠近晶圆的一端被晶圆压下,另一端翘起突出托盘主体上表面;当机械手夹爪压下活动支架的另一端,活动支架靠近晶圆的一端翘起,晶圆被顶起至机械手夹爪内,供机械手搬运晶圆。本实用新型设计简单巧妙、结构紧凑、成本很低、效率很高,且使得机械手可以直接抓取和放置晶圆片。
  • 一种托盘装置
  • [发明专利]一种半导体过渡区的生长方法及相关设备-CN202310304415.7在审
  • 张振普;倪健;楼厦;薛聪 - 埃特曼(北京)半导体技术有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-07-14 - C30B23/02
  • 本申请实施例提供了一种半导体过渡区的生长方法,用于控制过渡区的生长质量。本申请实施例方法包括:构建目标开度函数,所述目标开度函数为在过渡区外延生长的元素材料的生长函数;关闭第一源炉的输入管及第二源炉的输入管,并根据所述目标开度函数调低所述第二源炉的阀门的开度大小;根据所述目标开度函数打开第三源炉的输入管及阀门,并将所述第三源炉的输入管的压力值调整为目标压力值;打开所述第一源炉的输入管和阀门及第四源炉的输入管和阀门,以根据所述目标压力值于所述过渡区外延生长与所述第一源炉、所述第三源炉及所述第四源炉对应的元素材料。
  • 一种半导体过渡生长方法相关设备
  • [发明专利]真空样品驱动装置-CN202110069780.5有效
  • 楼厦;倪健;薛聪 - 埃特曼半导体技术有限公司
  • 2021-01-19 - 2023-07-11 - B65G54/02
  • 本发明公开了一种真空样品驱动装置,包括设置于真空腔室内并和样品承载台相连接的第一磁性部件;设置于真空腔室外的第二磁性部件;第二磁性部件和第一磁性部件之间通过磁场力相互磁耦合,且第一磁性部件和第二磁性部件之间的真空腔室的腔壁为一体结构;第二磁性部件为对第一磁性部件施加的磁场力可调的磁性件;当第一磁性部件受第二磁性部件的磁场力变化时,第一磁性部件受变化的磁场力驱动带动样品承载台移动,以驱动样品承载台上的样品移动到设定位置。本申请所提供的真空环境中的样品转运的装置,不需要将驱动电机、轴承等驱动设备封装于真空环境中,提高真空腔室的密封性和真空环境的洁净度。
  • 真空样品驱动装置

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