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[发明专利]控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法-CN200710135811.2无效
发明人：魏正泉;黄琮民;江明晁;薛正诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法，其提供容纳有被加热至高温的磷酸的蚀刻槽。磷酸中的硅浓度被控制以维持在一所欲的位准，此所欲的位准是与所欲的氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比相关。硅浓度的量测是在硅处于可溶解状态且二氧化硅尚未沉淀出之前进行。为回应前述的量测步骤，在需要维持所欲的浓度、氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比、及避免二氧化硅沉淀出时，加入被加热的新磷酸至蚀刻槽中。此被加热的新磷酸的加入可使蚀刻槽维持在一稳定状态温度。可使用原子吸收光谱仪来监控硅浓度，此硅浓度的获得是以冷去离子水稀释磷酸样本并在二氧化硅沉淀尚未发生前进行量测。
控制氮化蚀刻装置方法

[发明专利]选择性应力记忆作用的半导体元件及其制造方法-CN200710185177.3无效
发明人：王美匀;薛正诚;翁武安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性应力记忆作用的半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括半导体衬底，具有第一区域与第二区域，各个该第一与第二区域具有第一掺杂区域与第二掺杂区域并被相隔以绝缘区。PMOS晶体管设置于该第一掺杂区域上，且NMOS晶体管设置于该第二掺杂区域上。第一顶盖层覆盖该NMOS晶体管于该第一区域上，以及第二顶盖层覆盖该PMOS晶体管于该第一区域上。该第一顶盖层的厚度与该第二顶盖层的厚度不同，由此分别作用不同的应力于该PMOS晶体管与该NMOS晶体管。位于该第二区域上的该PMOS晶体管与该NMOS晶体管被硅化。本发明的优点在于省略传统SMT或SSMT方法所需使用的保护抗氧化层，降低工艺步骤所需的制造成本，且元件电性能及工艺窗口或裕度皆得以提升。
选择性应力记忆作用半导体元件及其制造方法

[发明专利]绝缘结构及其形成方法、以及浅沟槽绝缘结构的形成方法-CN200710002274.4无效
发明人：蔡正原;林志隆;薛正诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-17 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘结构的形成方法，其包括以下步骤：(a)于基底中形成开口；(b)沿着该开口顺应性的形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及(c)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。
绝缘结构及其形成方法以及沟槽

[发明专利]编码程序化光罩式只读存储器的方法-CN200410063304.9有效
发明人：杨大弘;张庆裕;钟维民;薛正诚 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明揭露一种编码程序化光罩式只读存储器的方法。根据本方法，于已植入位线的基板的字符线以与门极氧化层上形成第一光阻层。接着，图案化第一光阻层，以于所有的存储单元上形成对应交叉字符线及位线的预编码透光孔。再利用粒子植入或电浆方式固化第一光阻层。然后，在第一光阻层上形成第二光阻层，并图案化第二光阻层，以于编码为逻辑值0的存储单元上形成实际码透光孔。透过预编码透光孔以及实际码透光孔，对每一个待编码存储单元进行粒子植入。
编码程序化光罩式只读存储器方法

[发明专利]自对准双位非易失性存储单元及其制造方法-CN03158502.7有效
发明人： 薛正诚 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准双位非易失性存储单元及其制造方法，该自对准双位非易失性存储单元的结构包括：每一存储单元具有两分离的电荷储存区，分别可储存一位的数据。此两分离的电荷储存区为物理上地分离。控制栅极和保护层位于两分离的电荷储存区之间和上方。而且，此两分离的电荷储存区由自动对准制程制造而成。
对准双位非易失性存储单元及其制造方法

[发明专利]避免定位误差的双镶嵌结构制作方法-CN02124883.4有效
发明人：钟嘉麒;薛正诚 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制作一双镶嵌结构的方法。本发明方法采用一种称为DiRECT的低温化学气相沉积技术，可于一限定双镶嵌结构的光致抗蚀剂层上沉积一低温氟碳薄膜。此氟碳薄膜由于是在一低于100℃的沉积条件下形成，因此不会破坏光致抗蚀剂层，并且可以防止光致抗蚀剂定位误差所造成内连线可靠度问题。
避免定位误差镶嵌结构制作方法

[发明专利]只读存储器的制造方法-CN02108434.3有效
发明人：杨大弘;钟维民;薛正诚;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种只读存储器的制造方法，此方法提供具有存储单元区与周边电路区的基底，其中存储单元区已形成存储单元阵列，周边电路区已形成多个晶体管。然后于存储单元区形成具有多个第一开口的精准层，上述第一开口位于存储单元阵列的每一存储单元的信道区上方并具有相同的关键尺寸。接着，于基底上形成具有多个第二开口与第三开口的罩幕层，上述第二开口位于存储单元区的多个欲编码存储单元区上方，且上述第三开口位于周边电路区的晶体管的栅极上方。之后，以精准层与罩幕层为罩幕，进行一离子植入工艺，以对欲编码存储单元区内的存储单元进行编码并对晶体管进行临限电压调整。
只读存储器制造方法

[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法-CN01129594.5有效
发明人： 薛正诚 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-06-28 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种罩幕式只读存储器的制造方法，首先在一基底上形成埋入式位线，再在基底上形成栅极介电层与字符线，其中字符线与埋入式位线垂直。此时位于一对埋入式位线之间，并位于一条字符线下方的部分的基底作为一存储单元。接着在基底上覆盖第一介电层，再在第一介电层中形成数个编码窗口，位于部分的存储单元的上方。然后在编码窗口下方的存储单元中植入一离子，再在基底上形成第二介电层以填满所有编码窗口。
罩幕式只读存储器制造方法

[发明专利]镶嵌结构的制造方法-CN01129351.9有效
发明人：郑吉峰;薛正诚 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-06-13 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种镶嵌结构的制造方法,提供一个基底,再在基底上形成介电层,其中此介电层的材质是氮氧硅化物,且介电层的反射率在1.55至1.74左右;接着,在介电层中形成开口,再在基底上形成填满开口的金属层;然后,以介电层表面为研磨终点,以化学机械研磨法移除开口之外的金属层,其中介电层的被研磨移除率小于金属层的被研磨移除率。
镶嵌结构制造方法

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