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[实用新型]IC控制氮化镓MOS的堆叠结构-CN202321124626.4有效
发明人：杨振;蔡择贤;陈勇;曹周;张怡;曾文杰;桑林波;王仁怀;孙少林 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，框架本体具有基岛和若干第一引脚，基岛的上表面设有GaN MOS芯片，GaN MOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，第一重布线的一端通过金属线与对应的第一引脚电性连接，GaN MOS芯片的上方倒装堆叠有IC芯片，IC芯片的下表面电性连接有若干第一凸柱，第一凸柱的下端与对应的第一重布线的另一端电性连接，GaN MOS芯片上还设有G极，IC芯片的下表面电性连接有第二凸柱，第二凸柱的下端与G极电性连接，实现IC芯片和GaN MOS芯片堆叠合封到一个塑封体中，减小半导体器件体积和内阻，只需单次合封成型，降低生产成本。
ic 控制氮化 mos 堆叠结构

[发明专利]双面打线的键合、倒装组合堆叠芯片结构及制备方法-CN202310705441.0有效
发明人： 蔡择贤;曹周;陈勇;桑林波;张怡;孙少林;王仁怀;雷楚宜;曾文杰;卢茂聪 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了双面打线的键合、倒装组合堆叠芯片结构及制备方法，涉及半导体技术领域，芯片结构包括第一裸片及化合物层，第一裸片下表面设置第二裸片，第一裸片上表面设置第三裸片，第一裸片下表面设置若干第一金属凸块，第一裸片内设置若干硅通孔，硅通孔两端分别贯穿第一裸片上下两侧，硅通孔上下两端分别设置第三金属凸块与第二金属凸块，第二裸片通过第二引线与第二金属凸块下端连接，第三裸片通过第三引线与第三金属凸块上端连接。本发明中，第二裸片与第三裸片分别设置在第一裸片两侧，缩短了裸片间的距离，从而缩短了裸片间的连接线路，降低了连接电阻，使得信号延迟减少，具有较好的高频率特性，提高了产品的电性能。
双面倒装组合堆叠芯片结构制备方法

[实用新型]一种适用于MSOP8的测试压盖-CN202320278226.2有效
发明人：官朝伟;刘志业;陈彪;简泓丞;陈勇;张怡;蔡择贤 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于MSOP8的测试压盖，涉及芯片测试技术领域，包括测试座，测试座为芯片测试调试设备上的一个用于与芯片对接的结构，且测试座上设置与芯片引脚对接的结构，从而使测试座形成SOCKET接口，实际使用时，将MSOP8封装芯片放置在测试座上建立连接后，即可利用芯片测试调试设备对芯片进行测试调试，测试座的上方设置有支撑架，支撑架的内部设置有螺纹杆。本实用新型通过将芯片放入至测试座上，而后旋转螺纹杆，使其下移，利用抵压柱的底端抵住芯片的背面，即可使芯片与测试座建立稳定的连接，且无需操作人员手按芯片，在保证芯片稳定的测试的同时，也能减少操作人员的劳动，从而有效的提高了MSOP封装芯片测试调试的效率。
一种适用于 msop8 测试压盖

[发明专利]一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法-CN202310718302.1在审
发明人： 蔡择贤;曹周;陈勇;桑林波;张怡;孙少林;王仁怀;雷楚宜;曾文杰;卢茂聪 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，管芯热量通过封装盖板传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果。
一种增强散热盖板封装结构及其制备方法

[发明专利]一种大功率器件的封装结构和方法-CN202310580845.1有效
发明人：曹周;桑林波;陈勇;张怡;孙少林;蔡择贤;王仁怀;雷楚宜;曾文杰;唐朝宁;卢茂聪 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率器件的封装结构和方法，涉及芯片封装技术领域，包括基岛、芯片、塑封体及引脚，基岛上粘接若干芯片，若干芯片之间通过第一金属线连接，基岛上设置弹性材料层，弹性材料层包覆在芯片及第一金属线外围，弹性材料层及基岛外围包覆塑封体，塑封体上开设通孔，通孔一端与塑封体外部连通，通孔另一端延伸至弹性材料层外部，引脚一端嵌埋于塑封体内并通过第二金属线与芯片连接，引脚另一端延伸至塑封体外部。本发明中，通过弹性材料层覆盖芯片及第一金属线，产品工作时，弹性材料层能够吸收温度循环时因热膨胀系数不匹配而产生的内应力，大幅度降低易分层截面的应力，解决界面分层问题，大幅度提升产品使用寿命。
一种大功率器件封装结构方法

[发明专利]改善大功率GaN芯片塑料封装热应力的封装结构及方法-CN202310145817.7有效
发明人：郑雪平;曹周;蔡择贤;陈勇;许龙贵;黄炜源;张怡;豆保亮 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善大功率GaN芯片塑料封装热应力的封装结构及方法，包括：散热板和板体，所述散热板上设有芯片和引脚，所述芯片和引脚的上方间隔设有板体，所述板体通过连接体与散热板连接，所述散热板、板体、芯片以及引脚的部分表面通过塑封体封装。通过建立封装结构的三维模型并对其进行热应力分析，板体的设置能够有效降低芯片表面的热应力，并且选用弹性模量和热膨胀系数合适的板体，改善了常规大功率高散热需求的GaN芯片塑料封装由于封装结构各组合材料热膨胀系数不匹配引起的分层问题，大大降低了GaN芯片两端的热应力，保证了器件使用的稳定性。
改善大功率 gan 芯片塑料封装应力结构方法

[发明专利]一种大功率射频器件增强散热的封装结构及制备方法-CN202310199877.7有效
发明人：豆保亮;曹周;陈勇;蔡择贤;李佛琳;黄炜源;张怡;郑雪平 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的一种大功率射频器件增强散热的封装结构，包括：芯片本体、上散热器、下散热器，芯片本体上端设置有上散热器，芯片本体下端设置有下散热器，上散热器与下散热器通过塑封壳封装，上散热器与下散热器延伸出塑封壳之外。芯片工作产生的热量通过上下散热器传出，散热效率大大提升。多个芯片连接柱可以适用多颗芯片封装，同时粘接胶选用高导热性绝缘胶增加对不同类型芯片的适用性。凸起设计增加散热器与塑封料的结合度，同时减少外界湿气对芯片的腐蚀增加封装电气隔离，使芯片可靠性大大提升。连接柱与散热器选用铜材料、铜‑石墨烯复合材料或者石墨烯材料，相比于塑封材料其导热性能大大提升。
一种大功率射频器件增强散热封装结构制备方法

[发明专利]一种GaN芯片的封装结构-CN202310507410.4在审
发明人：曹周;杨振;陈勇;饶锡林;孙少林;张怡;易炳川;蔡择贤;黄乙为;桑林波;王仁怀 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，GaN芯片为场效应管，GaN芯片正装固定在框架基岛上，控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。本发明用了创新型的3D堆叠结构，先把控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，然后将控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的控制引脚与GaN芯片的G极连通距离大幅缩短，而且铜柱的导电面积大，产生的自感电感极小，对GaN芯片开关速度影响大幅减小，从而使GaN芯片充分发挥效能。
一种 gan 芯片封装结构

[实用新型]一种功率器件框架新型扣胶结构-CN202320066498.6有效
发明人：斯毅平;曹周;郑雪平;陈勇;黄源炜;蔡择贤;张怡 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件框架新型扣胶结构，涉及半导体封装结构技术领域，包括框架结构和塑封结构，框架结构包括基岛部分和引脚部分，塑封结构为塑封料，塑封料成型在基岛部分和引脚部分的外部，基岛部分处设置有基岛外露面，基岛部分与塑封料之间形成分层界面，基岛部分底部的外侧设置有底部打凹挤出结构。本实用新型通过增加顶部打凹挤出结构，使底部打凹挤出结构与V形槽结构之间形成双向扣合区，塑封料成型后在底部打凹挤出结构和顶部打凹挤出结构之间形成双向扣合结构，以加强塑封料与基岛部分之间的连接强度，进而可以不减少基岛有效面积，在加工上亦不增加成本，且极大的提高产品的扣胶能力。
一种功率器件框架新型胶结

[实用新型]一种小尺寸无引线封装结构-CN202320074611.5有效
发明人：曹周;陈勇;张怡;蔡择贤;郑雪平;孙少林 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种小尺寸无引线封装结构，包括框架、MOS芯片、铜夹和塑封料，所述MOS芯片倒装地固定在框架上，所述铜夹一端焊接在框架上，另一端焊接在MOS芯片上，所述塑封料用于包裹框架、MOS芯片和铜夹。所述小尺寸无引线封装结构采用倒装封装结构来代替传统的打线工艺，把MOS芯片倒装地固定在框架上，然后再用铜夹连接框架和MOS芯片上，无论是输入电流，还是输出电流都得到大幅提高，整个封装产品的电流通过能力大增，更符合市场的需求和发展趋势。
一种尺寸引线封装结构

[发明专利]高密度头对头TO247封装引线框架的封装方法-CN202211478258.3有效
发明人：梁大钟;简泓丞;陈勇;曹周;黄源炜;郑雪平;张怡;蔡择贤 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及TO247封装引线框架的封装工艺技术领域，特别涉及一种高密度头对头TO247封装引线框架的封装方法，TO247封装引线框架包括多个引线框架模块，多个引线框架模块分为多组；各组的引线框架模块排列成双排，不同排的引线框架模块一一对应，采用基岛部的远离管脚部侧相对设置，不同排的引线框架模块的相邻基岛部间隔第一距离。封装方法包括在前述TO247封装引线框架的成对引线框架模块相邻基岛之间的间隔位置设置热流道，双排引线框架模块共用同一热流道；将塑封料通过热流道同时注入各个引线框架模块进行封装。本发明可以大大提高了生产效率。
高密度对头 to247 封装引线框架方法

[发明专利]一种改善Flip chip基板翘曲、bump桥接和Die crack的治具-CN202210005270.6有效
发明人：梁大钟;陈勇;饶锡林;张怡;程浪;蔡择贤 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善Flip chip基板翘曲、bump桥接和Die crack的治具，包括：压板，所述压板上形成有多个镂空设置的焊接区域，多个所述焊接区域以外的部分形成所述压板的板框，所述板框通过固定组件固定在基板与倒装芯片待焊接的一侧，且所述板框将所述基板覆盖。通过对基板上单个待焊接倒装芯片以外的部分通过压板进行固定，增加基板被压固的区域，可以减小回流焊后基板的翘曲、凸点之间桥接以及芯片破裂而引起的焊接不良的问题。
一种改善 flip chip 基板翘曲 bump die crack

[实用新型]芯片封装结构-CN202222838061.8有效
发明人：宋晓莉;曹周;郑雪平;陈勇;黄源炜;蔡择贤;张怡 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开一种芯片封装结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，框架本体上设有基岛，基岛的正面设有芯片，框架本体的一侧设有第一引脚，基岛的背面靠近第一引脚的一侧通过第一次冲压形成有第一台阶，第一台阶远离第一引脚的一侧通过第二次冲压形成有第二台阶，第一台阶与基岛背面之间的距离大于第二台阶与基岛背面之间的距离，塑封体部分嵌入第一台阶和第二台阶中，第一台阶和第二台阶均横向延伸至基岛横向两端的端面。本实用新型通过在基岛背面设置相连续的双台阶，封装时，塑封体部分嵌入双台阶中，利用双台阶使得塑封体与基岛之间结合形成锁扣，粘结面积大，结合力更高，防止引线框架与塑封体分层，采用冲压方式成本低，且环保。
芯片封装结构

[实用新型]引线框架封装结构-CN202222808314.7有效
发明人：杜昱;曹周;郑雪平;陈勇;黄源炜;蔡择贤 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2022-10-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开一种引线框架封装结构，包括框架本体和包覆于框架本体上的塑封体，框架本体上设有基岛，基岛的正面设有芯片，框架本体的一侧设有管脚，管脚靠近基岛的一端形成有连接板，芯片与连接板之间通过金属导线焊接连接，连接板的周向侧壁开设有若干凹槽，凹槽贯穿连接板的正面和背面，所有凹槽呈环形分布且围绕在金属导线与连接板之间的焊接点外侧，封装时，塑封体部分嵌入凹槽内形成塑封连筋，塑封连筋将连接板正面与背面的塑封体连为一体。本实用新型可阻止管脚与塑封体之间产生界面分层，避免金属导线与管脚之间的焊接点被拔起；设置凹槽可减小连接板面积，从而减少管脚与塑封体的界面分层区域，内应力更小，焊接点更牢固。
引线框架封装结构

[实用新型]一种内绝缘的双面散热封装结构-CN202222995505.9有效
发明人：雷刚;曹周;郑雪平;陈勇;黄源炜;蔡择贤 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内绝缘的双面散热封装结构，涉及半导体封装技术领域，包括芯片，芯片的底部设置有基岛，芯片的两端均连接有铜夹，铜夹上连接有电极，芯片的顶部设置有T形金属散热块，芯片、基岛、电极、铜夹和T形金属散热块均容纳在塑封体的内部，芯片与基岛之间、芯片与铜夹之间以及铜夹与电极之间均通过导电粘接材料连接，T形金属散热块包括下凸部，下凸部的顶部固定连接有平板部。本实用新型过在芯片上方设置一个T形金属散热块，这样芯片内部的热可以快速被平板部导出到外界。平板部上端大面积外露出陶瓷覆铜板，可以和外界快速进行热交换，可以有效的解决芯片的散热问题。
一种绝缘双面散热封装结构

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