专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种化学气相沉积设备-CN202222063450.8有效
  • 蒋新和;叶致峰 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2022-08-05 - 2022-12-20 - C23C16/455
  • 本实用新型提供一种化学气相沉积设备,所述化学气相沉积设备包括:炉管及至少一个气体注入装置;所述炉管包括炉管主体、炉腔及进气口,所述炉腔设于所述炉管主体内,所述进气口设于所述炉管主体的下部区域且贯穿所述炉管主体;所述气体注入装置包括至少一个直形进气管路及n个环形出气管路,所述直形进气管路通过所述进气口竖直设于所述炉腔内,n个所述环形出气管路与所述直形进气管路连通,并在竖直方向上间隔排布;其中,n为大于等于2的整数。通过本实用新型提供的化学气相沉积设备,解决了现有的化学气相沉积设备不同高度位置制备的晶圆之间膜厚均匀性差的问题。
  • 一种化学沉积设备
  • [发明专利]晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法-CN202110601946.3有效
  • 蒋新和;任宏志 - 北海惠科半导体科技有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-08-05 - H01L21/673
  • 本申请实施例公开了一种晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法,包括:若干固定柱、固定板和承载结构以及连接台,所述固定板与若干所述固定柱连接;所述承载结构设置有多个,多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上,若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆,其中,所述晶圆包括产品晶圆和控片晶圆;所述承载结构包括产品承载部和控片承载部,所述产品承载部用于承载所述产品晶圆,所述控片承载部用于承载所述控片晶圆;所述连接台固定在若干所述固定柱之间;所述连接台位于所述控片承载部的上方。本申请实施例通过上述技术方案,在保证均匀性,热量的情况下,有效地减少了清洗物料和测试人力,避免造成材料的浪费,节约了成本。
  • 晶舟扩散设备半导体器件制造方法
  • [实用新型]晶舟以及扩散设备-CN202121198823.1有效
  • 蒋新和;任宏志 - 北海惠科半导体科技有限公司
  • 2021-05-31 - 2021-12-17 - H01L21/673
  • 本申请实施例公开了一种晶舟及扩散设备,用于承载晶圆,包括:固定柱、固定板和承载结构,所述固定柱设置有多个;所述固定板与多个所述固定柱固定连接;所述承载结构设置有多个,多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上;多个所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载所述晶圆;其中,所述承载结构上设置有凸起,所述凸起通过所述承载结构与所述晶圆接触。本申请实施例提供的晶舟通过上述技术方案,减小卡托与晶圆的接触面积,增强晶圆的氧化沉积,防止卡托与晶圆氧化沉积过程中发生粘黏。
  • 以及扩散设备
  • [发明专利]晶舟及扩散设备-CN202110601926.6在审
  • 蒋新和;任宏志 - 北海惠科半导体科技有限公司
  • 2021-05-31 - 2021-10-08 - H01L21/223
  • 本申请公开了一种晶舟及扩散设备,包括:若干固定柱、固定板和承载结构,所述固定板与若干所述固定柱连接;所述承载结构设置有多个,多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上,若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆;其中,所述固定柱设有第一通孔,所述第一通孔有多个,所述第一通孔位于同一所述固定柱上相邻两个所述承载结构之间。通过以上方式,本申请增加气体与晶圆的接触面积,改善晶圆表面与气体反应形成的镀膜的均匀性。
  • 扩散设备
  • [发明专利]扩散设备和扩散系统-CN202110601929.X在审
  • 蒋新和;王国峰;任宏志 - 北海惠科半导体科技有限公司
  • 2021-05-31 - 2021-09-10 - C30B31/06
  • 本申请实施例公开了一种扩散设备和扩散系统,用于对晶圆进行氧化沉积制程,其特征在于,包括:炉体、进气口、出气口和晶舟以及导流管,炉体内部中空结构;进气口设置在所述炉体上,用于进气;进气口和出气口分别位于炉体底部的两侧;晶舟设置在炉体内,用于承载晶圆;导流管设置在炉体内,导流管的一端与进气口连接,另一端延伸至炉体的上部,导流管设置有第一开口,第一开口设置在导流管上,靠近炉体的上部;其中,扩散设备还设置有第二开口,对应晶舟的下部设置,将反应气体导入到晶舟的下部。以使整个炉体都能迅速接触到气体参与反应,改善晶圆氧化沉积的均匀性。
  • 扩散设备系统

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