专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法-CN201710527246.8有效
  • 赵立波;高文迪;蒋庄德;李支康;赵玉龙;孙东 - 西安交通大学
  • 2017-06-30 - 2019-05-21 - B81B7/02
  • 一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法,结构包括由四根直梁支撑的中间质量块,中间质量块前端设置探针,中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列,平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移,中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触,p型Si基底部分区域形成源、漏极,源、漏极之间的区域形成导电沟道,部分区域形成P+电极;制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化,然后与另一块多晶硅键合,对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列,前部刻蚀出探针的图形,再刻蚀完成中间质量块,直梁的全部图形化,本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。
  • 基于栅极场效应晶体管传感器及其制备方法

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