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[发明专利]一种高速读取数据的SPI接口的FLASH存储器-CN202011604951.1有效
发明人：刘佳庆;黎永健;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速读取数据的SPI接口的FLASH存储器，在传输时钟信号的上升沿和下降沿分别对输入的数据信号采样，可以在不改变外部时钟信号频率情况下，实现输入数据传输速率加倍，而且同时接受4线输入数据，两者结合输入速率可达SCK频率的8倍，同时，在芯片内部将数据速率降低，降低功耗同时也便于后续处理；通过输出上升沿同步单元和输出下降沿同步单元将两路数据同步，输出选择单元在传输时钟信号SCK为高电平时，选择输出下降沿同步单元的数据输出，当传输时钟信号SCK为低电平时，选择输出上升沿同步单元的数据输出，在不改变时钟频率情况下，实现数据输出的双倍速率。
一种高速读取数据 spi 接口 flash 存储器

[发明专利]非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端-CN202011589882.1有效
发明人：黎永健;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，接收单步测试配置；接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；获取操作测试中对应步骤的测试结果；对测试结果进行分析，最终得到Nor Flash芯片测试步骤组合；通过每一个基本的单步步骤和单步反馈结果搭建整个擦除或者编程的各个步骤，而且是根据需要随时可以调整；在工艺平台的升级换代时，通过不同的步骤的组合，能够快速找到一种可靠性高、执行速度快的步骤组合。
非易失型芯片内部测试方法装置存储介质终端

[发明专利]一种校验矩阵生成方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111386408.3有效
发明人：黎永健;蒋双泉 -专利权人：成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03M13/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片数据纠错技术领域，具体公开了一种校验矩阵生成方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取信息码位数；根据信息码位数获取校验码位数和校验矩阵列数；根据校验码位数和校验矩阵列数获取数据1的总数；根据最佳最小奇重量列码的校验矩阵性质和数据1的总数分配数据1，获取初始矩阵；在初始矩阵上添加单位矩阵组成校验矩阵，单位矩阵的阶数与校验码位数相等；该方法根据代表位宽的信息码位数以及校验码位数、校验矩阵列数确定校验矩阵规模和数据1的总数，并利用最佳最小奇重量列码的校验矩阵性质完成数据1的分配，以快速完成校验矩阵的生成，能极大地缩短最佳最小奇重量列码的校验矩阵的生成时间。
一种校验矩阵生成方法装置电子设备存储介质

[发明专利]闪存芯片的测试方法、装置、系统、电子设备及存储介质-CN202111671086.7在审
发明人： 蒋双泉;黎永健 -专利权人：成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C29/16 文献下载
摘要：本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种闪存芯片的测试方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，测试方法包括以下步骤：获取完整测试命令信息；拆解所述完整测试命令信息生成操作信息和地址信息；根据所述操作信息调节多个待测试闪存芯片的写使能状态和/或QPI使能状态；分别发送所述操作信息和所述地址信息给对应的待测试闪存芯片以对所述对应的待测试闪存芯片进行测试，并获取对应的测试结果；该测试方法能同时利用相同的操作信息和地址信息对多个待测闪存芯片进行测试，实现了闪存芯片的批量同步测试，完成芯片流向市场之前的质量检测和评估，有效提升了闪存芯片的测试效率。
闪存芯片测试方法装置系统电子设备存储介质

[发明专利]一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法-CN202111635745.1在审
发明人： 蒋双泉;黎永健 -专利权人：成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，属于半导体存储技术领域，先对替换地址通过两级选择器进行分级拆分处理，然后对主存储区出错处判断第两个选择器的地址是否两次替换，考虑到统一出两次出错后大概率会成为坏区，因此若是相同则跳过，然后执行先判断一一分配的冗余区是否可用，若是不可用则对调用其他的冗余资源对其替换，对冗余区执行若是检测出错误则可将记录信息转存到其他的锁存器中，且具有多次机会，综上可实现兼具小面积和多次列冗余替换，从而在小成本的基础上极大的提升器件良率和芯片性能的一致性。
一种针对 norflash 面积多次冗余替换方法

[发明专利]对芯片进行ELFR测试的方法、装置及系统-CN202111622682.6在审
发明人： 蒋双泉;黎永健 -专利权人：成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请涉及芯片测试的技术领域，尤其是涉及一种对芯片进行ELFR测试的方法、装置及系统，系统包括主控单元、与主控单元连接的FPGA芯片以及与FPGA芯片连接的待测Flash，主控单元用于给FPGA芯片发送操作信息，使FPGA芯片对操作信息进行解析并把解析得到的操作指令发送给待测Flash，使待测Flash执行擦除操作以及写入操作；主控单元还用于给FPGA芯片发送对待测Flash一直读取的指令，并使FPGA芯片将读取到的数据与写入的数据进行对比，接收FPGA芯片发送的由于读取到的数据与写入的数据不一致而生成的标志信号，查询并获取对应的待测Flash的测试结果。本申请可以同时对多个Flash芯片进行测试，有针对性地获取对应的Flash芯片的测试结果，极大减轻了主控单元的任务量，提高了ELFR测试的测试效率。
芯片进行 elfr 测试方法装置系统

[发明专利]提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质-CN202111628636.7在审
发明人： 蒋双泉;黎永健 -专利权人：成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，具体公开了一种提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：将完成冗余替换后的所述裸片等分为多个存储区域；对所述裸片进行内建自测试以获取各个所述存储区域的结果信息，所述结果信息用于标记对应的所述存储区域是否可用；根据所述结果信息对所述裸片中可用的所述存储区域进行固化。该方法将裸片区分为多个存储区域，并获取所有存储区域的结果信息，再根据所有结果信息对裸片中可用的存储区域进行固化，使得该裸片的容量规格为根据相应固化的存储区域进行确定，从而使得该裸片即使存在一定数量不可用的存储区域仍能下调容量规格进行使用，以提高晶圆的利用率。
提高利用率芯片固化方法装置设备存储介质

[发明专利]一种并行的flash寿命测试装置-CN202011619489.2有效
发明人：黎永健;唐维强;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种并行的flash寿命测试装置，控制单元向拓展单元发送控制指令，拓展单元对控制指令进行解释，并根据解释后的指令对多个待测flash进行并行的寿命测试；利用FPGA引脚多且可以实现并行处理的特性实现大数量flash并行检测,增加flash处理的数量，提高cycling的处理速度，降低检测成本。
一种并行 flash 寿命测试装置

[发明专利]一种基于FPGA的高精度flash擦写时间获取装置-CN202011632921.1有效
发明人： 蒋双泉;黎永健;刘佳庆 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPGA的高精度flash擦写时间获取装置，在操作测试中，拓展单元将操作信息发送给待测flash后，拓展单元开始计数，每个系统时钟计数一次；同时拓展单元发送读状态寄存器指令给待测flash，直到拓展单元检测到待测flash的状态寄存器WIP=0时停止计数，将计数乘以FPGA芯片的时钟周期即得到待测flash的擦写时间，FPGA时钟的周期在10ns量级，对比us量级的MCU，使用FPGA测试待测flash的擦写时间，测试精度得到了极大的提高。
一种基于 fpga 高精度 flash 擦写时间获取装置

[发明专利]阈值电压的获取系统、传递方法、装置、设备及存储介质-CN202110719339.7在审
发明人： 蒋双泉;黎永健 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值电压的获取系统、传递方法、装置、设备及存储介质，其中，系统包括：控制单元，用于生成多条控制信息；FPGA单元，用于接收并寄存所述控制信息，将所述控制信息整合为控制指令，并使所述闪存写入所述控制指令而生成相应的实际数据信息；所述FPGA单元可读取所述实际数据信息，并将所述实际数据信息反馈给控制单元，所述控制单元可根据所述实际数据信息和所述目标数据信息判断所述测量电压是否为阈值电压。本申请实施例中获取系统设置FPGA单元作为中间层接收并寄存控制单元生成的控制信息，使之整合成完整的控制指令再发送写入闪存，避免获取闪存阈值电压时闪存中产生指令执行错误与漏执行的问题。
阈值电压获取系统传递方法装置设备存储介质

[发明专利]闪存错误信息检测方法、替换方法、装置、设备及存储介质-CN202110737156.8在审
发明人：黎永健;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存错误信息检测方法、替换方法、装置、设备及存储介质，其中，检测方法包括以下步骤：S1、对芯片进行内部自测，获取芯片中错误数据信息；S2、分析错误数据信息所在地址，将分别出现在芯片存储主区和冗余区的错误数据信息所在的错误地址信息分别标记、记录；该检测方法通过芯片的内部自测功能对芯片存储数据进行整体分析，获取错误数据信息，并以此为基础确定、标记错误地址信息出现位置，将之记录后，可作为芯片挽救的重要依据，避免了芯片利用冗余区进行存储主区挽救时利用了本身存在无法擦写功能的冗余区地址替换存储主区地址的问题，以提供一种简单、便捷、可靠的检测方法，以提供错误信息作为芯片挽救的有效依据。
闪存错误信息检测方法替换装置设备存储介质

[发明专利]一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110737200.5在审
发明人：黎永健;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，获取方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程‑检查‑擦除‑过擦除修复‑数据修复的周期循环操作；在周期循环操作期间，持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；根据读取的使能信号，记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间，直至周期循环操作结束；该获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况，以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时，可作为芯片设计、调试的重要依据，利于芯片开发制造。
一种擦除时间获取方法装置电子设备存储介质

[发明专利]擦写干扰测试系统、方法以及执行装置-CN202110737988.X在审
发明人： 蒋双泉;黎永健 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供了擦写干扰测试系统、方法以及执行装置，其技术方案要点是：包括：主控模块、与所述主控模块连接的FPGA模块、与所述FPGA模块连接的待测芯片；所述主控模块用于发送操作指令以及接受所述FPGA模块发送的电平信号；所述FPGA模块接收所述主控模块发出的操作指令并转发给所述待测芯片，使所述待测芯片执行擦除操作或执行编程或执行读取操作，所述FPGA模块对读取操作的结果进行对比并生成电平信号传输至所述主控模块，所述主控模块根据所述电平信号判断是否有擦写干扰。本申请提供的擦写干扰测试系统、方法以及执行装置具有测试效率高的优点。
擦写干扰测试系统方法以及执行装置

[发明专利]一种高速读ID和芯片状态的电路和flash存储器-CN202011632894.8有效
发明人：刘佳庆;黎永健;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速读ID和芯片状态的电路和flash存储器，通过指令产生电路的移位寄存器的低7位和SPI接口组合进而产生8位的判断逻辑分别用于产生读芯片ID或读状态寄存器的指令，并将指令同时提供给数据输出电路的输出移位寄存器，根据读芯片ID或读状态寄存器的指令通过选择输出芯片ID或状态寄存器的数值给输出移位寄存器的D端，最后通过移位寄存器输出；通过将输出移位寄存器Q端后的组合逻辑放到输出移位寄存器的D端执行，这样本电路会比flash存储器一般读指令提前一个时钟周期输出数据，减少了IO端口的组合逻辑，使读速度提高。
一种速读 id 芯片状态电路 flash 存储器

[实用新型]一种非易失型芯片的低电压报警电路及非易失型芯片-CN202023242440.8有效
发明人：黎永健;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非易失型芯片的低电压报警电路及非易失型芯片，当检测到一个较高的电压点时使非易失型芯片退出编程和擦除操作，当检测到一个更低的电压点时，即配置寄存器和状态寄存器在电压出现不稳定甚至掉电时，只要在非易失型芯片重新上电后，从非易失型芯片内读取与非易失型芯片上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，并将内容重新配置到配置寄存器和状态寄存器内，这样可以使得非易失型芯片再次执行操作时，配置寄存器和状态寄存器内的数据不会出错，保证非易失型芯片操作有效性；通过设置两个电压点的低电压检测，发生低电压报警时根据电压点的差别，分别作出不同行为，来保证非易失型芯片可靠性。
一种非易失型芯片电压报警电路

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