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[实用新型]一种具有晶圆级集成光学微透镜的垂直光腔面发射激光器-CN202321122406.8有效
发明人：刘仲和;莫庆伟 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有晶圆级集成微透镜的垂直光腔面发射激光器，涉及半导体光学器件技术领域，包括VCSEL芯片和晶圆级集成的微透镜结构，该结构按照外延生长顺序方向依次是：n型电极、n型衬底、DBR布拉格反射镜、光学有源层、氧化窗口层、DBR布拉格反射镜和微透镜层。其中，微透镜层的集成是通过晶圆的外延生长、CMOS兼容流程等方式集成；微透镜的上表面曲率方程，是经过优化计算所得，能够对顶部布拉格反射镜出射光做出精准约束，实现聚焦、准直或者发散等功能，减小了垂直腔面发射激光器芯片出射光的远场发散角。
一种具有晶圆级集成光学透镜垂直光腔面发射激光器

[实用新型]一种基于VCSEL阵列芯片的激光雷达系统-CN202320896334.6有效
发明人：刘锐;莫庆伟 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于VCSEL阵列芯片的激光雷达系统，涉及激光雷达技术领域，一种基于VCSEL阵列芯片的激光雷达系统。包括光源、投射光学单元、光束偏转单元和探测单元；所述光源、投射光学单元和探测单元依次设置，所述光束偏转单元设于光源上，投射光学单元上，或投射光学单元的出射光路上；所述光源为具有多发射孔的VCSEL阵列式芯片，所述光束偏转单元至少具有两个运动维度。针对现有激光雷达系统体积大的技术问题，利用集成化的VCSEL芯片阵列，在维持现有激光雷达技术指标的前提下降低系统结构复杂度，提高机械系统的使用寿命，降低系统的体积。
一种基于 vcsel 阵列芯片激光雷达系统

[实用新型]一种激光芯片测试系统-CN202320048823.6有效
发明人：黄蓓;莫庆伟;刘锐 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光芯片测试系统，涉及激光芯片测试技术领域，包括光功率测试设备、光波形测试设备、分束镜、准直镜和电源，其中，所述电源为待测试激光芯片供电，准直镜一侧用于设置待测试激光芯片，准直镜另一侧设有分束镜，所述分束镜的两条输出光路分别设有光功率测试设备和光波形测试设备。同时分别用于测试芯片光波形及光功率，实现芯片光波形及光功率测试同步测试。
一种激光芯片测试系统

[实用新型]一种用于极短脉冲电流幅值测量的电路-CN202222870781.2有效
发明人：惠武;郑新;莫庆伟;刘锐 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域中的一种用于极短脉冲电流幅值测量的电路，包括输入电路、脉冲放电电路和电源电路，输入电路的输出端与脉冲回放电路的输入端电连接，输入电路输出脉冲驱动信号，脉冲回放电路接收脉冲驱动信号并输出高功率光脉冲信号和振荡波形信号，输入电路与脉冲放电电路通过电源电路供电，具有能够适用于不同电压的电源表的优点。
一种用于脉冲电流测量电路

[发明专利]VCSEL芯片模组及其微透镜和制作方法-CN202211333588.3在审
发明人：刘锐;莫庆伟 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL芯片模组及其微透镜和制作方法，涉及VCSEL芯片技术领域，包括微透镜本体，所述微透镜本体至少拥有一个光学面，微透镜本体的光学面工作距离t≥5a，a为光源发射孔直径；微透镜本体和光源发射孔一一对应。针对VCSEL裸芯片发出的光束进行整形处理的光学元件存在占用空间大的技术问题，在芯片级尺度上实现对VCSEL出射光束质量参数的优化整形，在改变VCSEL光束质量参数的同时维持VCSEL芯片的尺寸优势，可以实现VCSEL芯片的阵列集成化应用。
vcsel 芯片模组及其透镜制作方法

[发明专利]LED封装的制备方法和LED封装-CN201910073584.8有效
发明人：李先建;莫庆伟;张亚衔;邢悦 -专利权人：蚌埠三颐半导体有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请涉及一种LED封装的制备方法和LED封装。所述LED封装的制备方法先在所述基板的每个所述第一区域设置一个所述第一芯片。再将所述荧光剂覆盖于所述第一芯片的顶面和至少部分侧面。所述荧光层与所述基板配合，能够包裹所述第一芯片的顶面和侧面，避免原光从所述第一芯片的侧面漏出。当所述第一芯片的发光颜色为蓝色时，通过所述LED封装的制备方法，能够避免LED封装白光漏蓝。
led 封装制备方法

[实用新型]紫外光源的封装结构-CN202120055671.3有效
发明人：陈足红;施松刚;莫庆伟;边迪斐 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外光源的封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括基板、金属层、紫外芯片以及钝化层，所述金属层设置在基板两侧，所述紫外芯片设置在基板一侧的金属层上，所述钝化层包覆在紫外芯片的外周。光线直接由紫外芯片射出，不需要经过空气和光学透镜的界面，没有界面全反射和透镜吸收的损失，紫外光透射率为95％‑98％，提高了出光效率，并且取消了碗杯结构和光学透镜，极大减少材料成本，降低产品厚度。
紫外光源封装结构

[实用新型]一种紫外LED晶圆级封装结构-CN202021760475.8有效
发明人：陈足红;施松刚;莫庆伟;边迪斐 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外LED晶圆级封装结构，涉及LED器件技术领域。本实用新型包括衬底层，所述衬底层的顶端固定有芯片外延层，所述芯片外延层的顶端经过刻蚀形成多个均匀分布的装配固定槽，所述装配固定槽的内部生长有所述侧面保层，所述芯片外延层的顶端未被刻蚀的位置均布有多个芯片电极，且所述芯片电极直接制作与芯片外延层的顶端。本实用新型通过直接在紫外LED芯片侧面增加一层透明保护层，使紫外芯片与外界环境隔绝，无需再通过基板‑金属或陶瓷围坝‑玻璃窗口等复杂的封装过程，实现了紫外LED的晶圆级封装，提高紫外LED封装集成度，简化生产流程，降低封装成本。
一种紫外 led 晶圆级封装结构

[实用新型]一种紫外光源的封装结构-CN202021760140.6有效
发明人：陈足红;施松刚;莫庆伟;边迪斐 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外光源的封装结构，涉及LED封装技术领域。本实用新型包括基板，基板的上端和下端均设置有金属层，基板上端的中间位置贯穿金属层设置有紫外芯片，基板上端的一端贯穿金属层设置有静电保护芯片，位于上端的金属层的上端且位于紫外芯片的周侧设置有反射层。本实用新型通过取消了碗杯结构和光学透镜，极大减少材料成本，降低产品厚度，通过将光线直接由紫外芯片射出，不需要经过空气和光学透镜的界面，没有界面全反射和透镜吸收的损失，提高了出光效率，通过在紫外芯片四周设置反射层，可以减小发光角度，增加照射区域的光强。
一种紫外光源封装结构

[发明专利]一种紫外光源的封装结构及制造方法-CN202010847935.9在审
发明人：陈足红;施松刚;莫庆伟;边迪斐 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光源的封装结构及制造方法，涉及LED封装技术领域。本发明包括基板，基板的上端和下端均设置有金属层，基板上端的中间位置贯穿金属层设置有紫外芯片，基板上端的一端贯穿金属层设置有静电保护芯片，位于上端的金属层的上端且位于紫外芯片的周侧设置有反射层。本发明通过取消了碗杯结构和光学透镜，极大减少材料成本，降低产品厚度，通过将光线直接由紫外芯片射出，不需要经过空气和光学透镜的界面，没有界面全反射和透镜吸收的损失，提高了出光效率，通过在紫外芯片四周设置反射层，可以减小发光角度，增加照射区域的光强。
一种紫外光源封装结构制造方法

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN201510070471.4有效
发明人：王冬雷;陈顺利;莫庆伟 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种倒装LED芯片及其制备方法，该芯片包括衬底及M个芯片，每个芯片包括N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成反射层；外延层及反射层表面覆盖第一绝缘层；第一绝缘层上形成第一P引线电极、第一N引线电极、第二P引线电极、第二N引线电极和PN引线连接电极，第一、第二P引线电极、第一、第二N引线电极及PN引线连接电极表面覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上形成与第二P引线电极和第一N引线电极电连接的N焊盘以及与第一P引线电极和第二N引线电极电连接的P焊盘。本发明通过PN引线连接电极将第2‑M芯片串接后，再通过N焊盘和P焊盘与第一芯片反响并联，使芯片具有良好的抗ESD功能，且能进行反向电压测试。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED倒装芯片及其制备方法-CN201510604719.0有效
发明人：蒋振宇;陈顺利;莫庆伟 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明提供一种LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，衬底依次叠加有N型层、发光层、P型层和反射层，并蚀刻露出衬底上表面形成一沟槽；芯片表面形成贯穿反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔；P型层外露上表面形成覆盖第一绝缘层上表面、或包裹整个第一绝缘层外表面且覆盖P型层外露表面的P引线电极，N电极孔内形成与N型层导电连接的N引线电极；N引线电极与P引线电极采用相同的具有高反射性能材料同时沉积形成；并在N引线电极和P引线电极的表面及外围覆盖一层便于相互绝缘的第二绝缘层；N焊盘和P焊盘通过第二绝缘层上表面开设的接触孔分别与N引线电极和P引线电极电连接；本发明还提供一种LED倒装芯片的制备方法。
引线电极焊盘绝缘层上表面发光层反射层衬底制备覆盖绝缘层绝缘层外表面蚀刻衬底上表面高反射性能导电连接外露表面芯片表面依次叠加电连接接触孔上表面外露沉积绝缘连通外围贯穿

[发明专利]一种含有反射层的LED倒装芯片及其制备方法-CN201510605309.8有效
发明人：蒋振宇;陈顺利;莫庆伟 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种含有反射层的LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，所述衬底依次叠加有N型层、发光层、P型层、反射层和阻挡层，并蚀刻露出衬底上表面形成一沟槽；所述芯片表面形成贯穿阻挡层、反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔；阻挡层和反射层外露表面形成P引线电极，N电极孔内形成与N型层导电连接的N引线电极，即N引线电极与P引线电极采用相同的材料同时沉积形成；并在N引线电极和P引线电极的表面及外围覆盖一层便于相互绝缘的第一绝缘层；N焊盘和P焊盘通过第一绝缘层上表面开设接触孔分别与N引线电极和P引线电极电连接；本发明还提供一种含有反射层的LED倒装芯片的制备方法。
一种含有反射层 led 倒装芯片及其制备方法

[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法-CN201510050224.8有效
发明人：王冬雷;陈顺利;莫庆伟 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：倒装LED芯片及其制备方法，倒装LED芯片包括衬底、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层，还包括第一绝缘层、P型电极、N型电极、形成于P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽、第二绝缘层、第二绝缘层上形成有散热孔，散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；沉积于第二绝缘层上并与N型电极连接的N焊盘；沉积于第二绝缘层上并与P型电极连接的P焊盘；填充满散热孔的导热柱，导热柱的顶部与第二绝缘层表面平齐或露出于第二绝缘层。本发明在N型电极或P型电极上设置穿过第二绝缘层的导热柱，可以直接将热量向外导出或导出至P焊盘和N焊盘，不必再经过第二绝缘层，使芯片散热速度更快，散热效果更好。
倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]倒装高压LED芯片及其制备方法-CN201510022007.8有效
发明人：王冬雷;陈顺利;莫庆伟 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：倒装高压LED芯片及其制备方法，倒装高压LED芯片包括衬底及M个芯片，每个芯片包括N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层、第一绝缘层、P引线电极、N引线电极及PN引线连接电极，在P引线电极和/或N引线电极和/或PN引线连接电极上形成散热凹槽；第二绝缘层覆盖于P引线电极、PN引线连接电极和N引线电极的表面上及其之间的第一绝缘层表面上，并填充满散热凹槽，第二绝缘层上形成散热孔，散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；第二绝缘层沉积N焊盘及P焊盘，散热孔内填充满导热柱，导热柱与所述P焊盘及N焊盘相连。本发明在P焊盘、N焊盘与引线电极之间设置散热柱，使得LED倒装高压芯片散热速度更快，发热少。
倒装高压 led 芯片及其制备方法

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