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[发明专利]一种折反式太赫兹波成像系统-CN201410272920.9无效
发明人：王军;郭晓珮;丁杰;苟君;蒋亚东;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种折反式太赫兹波成像系统，它包括次级反射镜、环形初级反射镜、透镜、太赫兹探测窗口和焦平面，从前到后依次分布。环形初级反射镜对称地分布在次级反射镜后方且与次级反射镜保持适当距离，环形初级反射镜中心留有适当空隙，透镜和太赫兹探测窗口紧密结合，位于环形初级反射镜中心的空隙后方且透镜前表面与次级反射镜保持适当距离，焦平面位于最后方，且与太赫兹探测窗口后表面保持适当距离。反射镜表面采用反射率极高的金属镜面，透镜和太赫兹探测窗口采用高阻硅透镜，透镜前表面和太赫兹探测窗口前表面覆盖有一层聚对二甲苯抗反膜。本发明的优点在于：可同时满足以下要求：太赫兹波高透过率、较大视角、易于小型化以及高分辨率。
一种反式赫兹成像系统

[发明专利]热释电传感器封装结构-CN201310370703.9在审
发明人：黎威志;严荣;刘子骥;郑兴;王军;苟君;樊霖;黄泽华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种热释电传感器封装结构，涉及热释电传感器封装技术领域，目的在于提供一种工艺流程简化、传感器可靠性高的热释电传感器封装结构。其技术方案为：一种热释电传感器封装结构，包括底座和外壳，底座与外壳形成封闭式结构，其特征在于：底座上设有敏感元件、电子器件、引脚焊盘，敏感元件与电子器件电连接，电子器件与引脚焊盘电连接并引出。其有益效果在于：底座上设有敏感元件、电子器件和3个引脚焊盘，敏感元件、电子器件和引脚焊盘之间采用PCB板进行元件布局、电气连接以及电磁屏蔽，简化了热释电传感器封装工艺流程，同时提高了传感器的可靠性。
热释电传感器封装结构

[发明专利]一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法-CN201310124924.8有效
发明人：苟君;蒋亚东;张化福;王军;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法，用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜，下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数（TCR）的无相变氧化钒薄膜，用作红外与太赫兹波段的敏感层，上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度，可发生半导体相-金属相的可逆相变，半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层，相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射，调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数，又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像，制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，具有广阔的应用前景。
一种红外赫兹波段阵列探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺-CN201310037865.0有效
发明人：苟君;蒋亚东;王军;吴志明;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺，包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜；光刻，形成所需要的图形；将步骤所得的硅片放入刻蚀设备，用氯基气体与六氟化硫的混合气体进行反应离子刻蚀；将步骤所得的硅片进行干法去胶，去除残余光刻胶。刻蚀时在氯基气体中引入少量六氟化硫，提高刻蚀均匀性。同时，利用六氟化硫与光刻胶的相互作用及其对等离子体能量的吸收和调节，可将光刻胶的刻蚀速率降低5~10倍，获得刻蚀选择比≥1的干法刻蚀工艺。本发明解决了NiCr薄膜难以采用光刻胶作为掩膜进行干法图形化的问题，且工艺简单，容易操作，重复性好，适合用于大规模生产。
一种 nicr 薄膜刻蚀工艺

[发明专利]一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法-CN201210529449.8有效
发明人：苟君;王军;黎威志;蒋亚东;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法，该吸收层制备在太赫兹探测器敏感单元的顶层。所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备，在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂浓度分布，造成微区刻蚀速率差异，获得粗糙、多孔、黑化的超薄金属膜。刻蚀的方法有两种：一种是用反应离子刻蚀方法与干法刻蚀的后腐蚀现象将金属薄膜刻蚀为超薄金属膜，具有易控制反应过程与超薄金属膜厚度等优点；另一种是用湿法化学腐蚀方法将金属薄膜腐蚀为超薄金属膜，具有易控制超薄金属膜表面形貌与颜色等优点。粗糙、多孔、黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率。
一种超薄金属膜赫兹吸收及其制备方法

[发明专利]一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法-CN201310003133.X有效
发明人：蒋亚东;杨明;王军;苟君;黄泽华;闫淼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法，其步骤如下：（1）将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中，加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解；（2）在大气环境中，按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽，磁力搅拌至前驱体充分反应，得到棕黄色透明胶体；（3）采用旋涂法制备湿膜；（4）在大气通氧气氛下热处理使薄膜干燥并结晶；（5）重复（3）和（4）至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。本方法克服了目前溶胶凝胶法制备钽酸锂薄膜时需要惰性气体保护、绝对干燥等严苛的实验要求，解决了前驱体浓度过低的问题，大大降低旋涂与热处理次数，可制备均匀、平整、致密、热释电性能良好的钽酸锂纳米结晶薄膜。
一种溶胶凝胶法制浓度钽酸锂薄膜方法

[发明专利]用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法-CN201210529823.4有效
发明人：王军;苟君;杨明;闫淼;蒋亚东;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法，该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理，氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时，通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度，使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表面并在表面扩散与反应，获得表面富集氟离子的金属薄膜。刻蚀后氟离子在粗糙的金属薄膜表面生成大量结晶缺陷，使金属薄膜表面黑化。粗糙黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率，且制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，可广泛应用于太赫兹探测与成像领域。
用于吸收赫兹辐射粗糙金属薄膜及其制备方法

[发明专利]一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法-CN201110434601.X有效
发明人：王军;蒋亚东;苟君;吴志明;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法，该膜系结构位于太赫兹探测器敏感单元的顶层，包括介质薄膜及位于其上的太赫兹吸收层。所述介质薄膜为采用PECVD混频技术制备的低应力氮化硅或氧化硅薄膜，该介质薄膜被反应离子刻蚀为微纳米量级的粗糙表面，所述太赫兹吸收层由磁控溅射法制备在表面粗糙的介质薄膜上。由于粗糙的介质薄膜表面结构增大了太赫兹吸收层的表体比，有效增强太赫兹辐射吸收率，并且制备工艺简单合理，易大面积制备与集成，可广泛应用于各种太赫兹探测与成像技术领域，为高性能太赫兹探测器的研制提供有力支持。
一种增强赫兹辐射吸收率结构及其制备方法

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