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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体元件及半导体装置-CN202320495213.0有效
发明人： 苏英阳;高慧芳;李世昌;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体元件及半导体装置，其中该半导体元件包括：基板；半导体叠层位于基板上；接合结构位于基板及半导体叠层之间；解离层位于接合结构及基板之间且与基板直接接触；以及中介结构，位于解离层和接合结构之间。
半导体元件装置

[发明专利]发光元件、其制造方法及显示模块-CN201910060391.9有效
发明人：谢明勋;刘欣茂;苏英阳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，其包含发光主体、支撑结构、第一波长转换结构、以及吸光层。发光主体包含多个彼此分离的活性层、第一半导体层连续地位于多个活性层之上、以及支撑结构位于发光主体上且包含第一开孔。第一波长转换结构位于第一开孔中。吸光层位于支撑结构的上表面之上。
发光元件制造方法显示模块

[发明专利]半导体元件排列结构-CN202211261590.4在审
发明人：萧长泰;苏英阳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件排列结构。半导体元件排列结构包括承载基板、分别设置于承载基板上且相互分离的第一粘着层与第二粘着层、以及分别设置于第一粘着层与第二粘着层上的第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件具有位于第一半导体元件同一侧的第一电极与第二电极，第二半导体元件具有位于第二半导体元件同一侧的第三电极与第四电极。第一粘着层直接接触第一电极与第二电极，第二粘着层直接接触第三电极与第四电极。第一粘着层在第一电极与第二电极之间具有第一厚度以及非位于第一电极与第二电极之间具有小于第一厚度的第二厚度。
半导体元件排列结构

[发明专利]发光装置-CN202011616070.1在审
发明人：谢明勋;苏英阳;廖世安;刘欣茂;王子翔;蒲计志 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置，包含一第一发光模块、一第二发光模块、一导电层与一绝缘层。第一发光模块包含一具有第一凹槽的第一玻璃基板与设置于第一玻璃基板上的发光二极管，第二模块包含一具有第二凹槽的第二玻璃基板，且第二凹槽对应第一凹槽。导导电层直接接触第一凹槽与第二凹槽以电连接第一发光模块及第二发光模块。绝缘层直接接触第一发光模块与第二发光模块。
发光装置

[发明专利]固晶结构及其制造方法-CN202010076484.3在审
发明人：谢明勋;廖世安;苏英阳;刘欣茂;王子翔;蒲计志 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：本发明公开一种固晶结构及其制造方法。所述固晶制造方法包含提供目标基板，其中目标基板包含支撑基板以及电路结构形成在支撑基板的一侧，其中电路结构包含玻璃板形成在支撑基板上，透明导电层形成在玻璃板上，金属层形成在透明导电层上，粘合增强电路层形成在金属层上，以及多个电接触点形成在粘合增强电路层上；提供多个半导体元件粘附到承载板上并且彼此间具有一间隙隔开，每个半导体元件具有一电极对与目标基板上的电路结构的两对应的电接触点对准；以及提供能量束产生器产生能量束，用于在加热循环中通过由能量束携带的热能，来接合和电连接其中一个半导体元件的电极对以及与其对准的电接触点。
结构及其制造方法

[发明专利]具有透明粘结结构的光电元件及其制造方法-CN201310128550.7有效
发明人：姚久琳;苏英阳;杨雅兰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-04-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明粘结结构的光电元件及其制造方法。具有透明粘结结构的光电元件，包含支持基板；第一透明粘结层，位于支持基板之上；第二透明粘结层，位于第一透明粘结层之上；以及第一半导体叠层，位于第二透明粘结层之上，至少包含第一有源层；其中第一透明粘结层与第二透明粘结层相邻接的表面被活化剂处理后含有氢氧键。
具有透明粘结结构光电元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件和发光元件的制造方法-CN201210237486.1有效
发明人：徐大正;李亚儒;杨雅兰;苏英阳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件和发光元件的制造方法，半导体发光元件包括：经图案化的基底，包括多个图案，每一該图案包括多个斜面区以及与该多个斜面区相邻接的底部区；半导体缓冲层，形成在该经图案化的基底上；发光叠层，形成在该半导体缓冲层上，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；和第一电极与第二电极，分别与该第一导电类型半导体层和该第二导电类型半导体层电连接。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]具有透明粘结结构的光电元件及其制造方法-CN200910132205.4有效
发明人：姚久琳;苏英阳;杨雅兰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-04-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明粘结结构的光电元件及其制造方法。具有透明粘结结构的光电元件，包含支持基板；第一透明粘结层，位于支持基板之上；第二透明粘结层，位于第一透明粘结层之上；以及第一半导体叠层，位于第二透明粘结层之上，至少包含第一有源层；其中第一透明粘结层与第二透明粘结层相邻接的表面被活化剂处理后含有氢氧键。
具有透明粘结结构光电元件及其制造方法

[发明专利]金属阵列基板、光电元件和发光元件及其制造方法-CN200810136131.7有效
发明人：林锦源;许嘉良;黄建富;陈怡名;苏英阳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属阵列基板、具有其的高热传导性光电元件和发光元件及其制作方法。金属阵列基板包含多个金属单元基板及位于金属单元基板间具有粘着功能的胶体物质。高热传导性光电元件包含金属单元基板，位于金属单元基板之上的接合层及位于接合层之上的外延结构。
金属阵列光电元件发光及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200810129748.6无效
发明人：谢明勋;徐大正;彭韦智;李亚儒;吕琪玮;杨雅兰;苏英阳;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明关于一种发光元件，该发光元件包含基板；发光叠层，形成于该基板上；以及透光粘结层，形成于该发光元件的内部或出光表面上，该透光粘结层内含光学结构，其中该光学结构的折射率相异于该透光粘结层的折射率。
发光元件

[发明专利]半导体发光装置及其制造方法-CN200710143787.7有效
发明人：徐大正;李亚儒;杨雅兰;苏英阳;吕琪玮 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体发光装置，其包含具有外凸部的蓝宝石基板以及形成于蓝宝石基板上方的半导体发光迭层结构，其中，外凸部至少一外表面为晶面(facet)、非极性面(non－polar plane)或半极性面(semi－polar plane)，并且半导体发光迭层结构大体上与外凸部的轮廓相符合。于一实施例中，晶面可为非极性面或半极性面。
半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]一种具有经图案化的基底的发光元件及其制造方法-CN200610151738.3有效
发明人：徐大正;李亚儒;杨雅兰;苏英阳 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示具有经图案的基板的发光元件及其制造方法。该经图案的基板具有多个凹陷以散射由发光层发出的光线，该凹陷表面具有较少的晶格破坏，并且包括多个对称的斜面区。本发明同时提出以湿蚀刻方式形成经图案的基板的制造方法，即以磷酸为主的蚀刻溶液对基板蚀刻出多个凹陷，后续成长的半导体叠层可直接形成在该经图案的基板上并填入该凹陷以达到较好的光取出效率。
一种具有图案基底发光元件及其制造方法

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