专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种指挥中心机房电能存储装置-CN202320471616.1有效
  • 苏晓华;池德亮;胡红燕;池启煜;王勇;谢小乐 - 江西贵兴信息技术有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-08-25 - H02J7/00
  • 本实用新型公开了一种指挥中心机房电能存储装置,包括:壳体,隔板,所述隔板安装在壳体的内壁上,蓄电池,所述蓄电池设置在隔板的顶部,散热降温机构,所述散热降温机构设置在壳体上,所述散热降温机构包括储液壳、吹风机和导热胶,所述储液壳安装在壳体的内壁上,所述吹风机安装在壳体的左侧,所述吹风机的右侧安装有与其相互连通的吹气管,所述吹气管远离吹风机的一端依次贯穿壳体和储液壳且延伸至储液壳的外部。本实用新型通过储液壳、吹风机、吹气管、导热胶、进气管、导热片、导热块、散热片和温度传感器的相互配合,从而提高了蓄电池的散热降温的效果,使得蓄电池产生的热量可以被快速的进行降温处理。
  • 一种指挥中心机房电能存储装置
  • [发明专利]一种误差放大器及电源-CN202310365359.8在审
  • 苏晓华;齐志辉 - 杭州晶丰明源半导体有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-07-04 - H03F3/45
  • 本发明提供了一种误差放大器及电源。该误差放大器中,在反馈电压产生波动时可通过预放大器进行放大,从而能够更准确的选通上拉电路、下拉电路或者稳态电路,因此可以降低对各个跨导放大器的精度要求,降低误差放大器的设计要求。以及,在负载阶跃跳变时,通过选通上拉电路或下拉电路,以更快速度地上拉或者下拉误差放大器的输出端的电压,有效提升了环路的负载瞬态响应性能,并且不会对环路稳定性造成影响。
  • 一种误差放大器电源
  • [发明专利]一种模块化使用的摄影测量无人机集群-CN202310279135.5在审
  • 桑珠卓玛;苏晓华;陈东 - 桑珠卓玛
  • 2023-03-22 - 2023-06-23 - B64U70/97
  • 本发明涉及无人机领域,更具体的说是一种模块化使用的摄影测量无人机集群。一种模块化使用的摄影测量无人机集群,包括座板,所述座板上侧的前后两端均固定有斜板,无人机机体下侧的左右两端均设置有门形支撑,两个门形支撑均放置在座板上,两个门形支撑均位于两个斜板之间。每个所述门形支撑的前后两侧均设置有斜面,门形支撑通过斜面贴合在对应的斜板上。所述斜板的上部转动连接有转轮。所述座板的中心设置有中孔。可以方便在无人机落下时对无人机进行定位。
  • 一种模块化使用摄影测量无人机集群
  • [发明专利]一种用于安全生产的化工危险物品夹取装置及方法-CN202310367096.4在审
  • 刘宁宁;苏晓华 - 刘宁宁
  • 2023-04-07 - 2023-06-23 - B65G47/24
  • 本发明公开了一种用于安全生产的化工危险物品夹取装置及方法,属于化工危险物品夹取技术领域。包括支撑架,还包括:固定连接在支撑架表面的第一移动板,第一移动板的表面固定连接有电动推杆,电动推杆的输出端固定连接有第一支撑板;转动连接在第一支撑板内壁的第一螺纹杆,第一螺纹杆的一端固定连接有第二螺纹杆,第二螺纹杆的外壁固定连接有第一齿轮,其中,第一螺纹杆和第二螺纹杆的螺纹方向相反,第一螺纹杆和第二螺纹杆的外壁均螺纹连接有夹板,夹板与第一支撑板滑动连接;固定连接在支撑架表面的第一齿条,第一齿条与第一齿轮之间能啮合能分离,本装置采用机械代替传统的人工对盐酸桶进行夹持,降低了工作强度,提高了安全性能。
  • 一种用于安全生产化工危险物品装置方法
  • [发明专利]PLC晶圆上包层厚膜生长工艺-CN202111226501.8在审
  • 高志豪;胡炎彰;耿金帅;孙健;杨建周;苏晓华 - 河南仕佳光子科技股份有限公司
  • 2021-10-21 - 2023-04-25 - H01L21/02
  • 本发明提出了一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺,用以解决现有工艺生长的上包层厚度偏薄,不能满足实际性能需要的技术问题。本发明提出一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺,要求上包层连续进行至少四次生长和退火,上包层厚度满足要达到32μm以上的要求,且增加退火步骤和退火时间,与生长过程中调整掺杂硼烷和磷烷两种气体的流量的手段共同达到减小BOW值的目的,使得BOW值小于250μm;在不使用盖板对芯片进行保护的情况下,PLC晶圆的上包层对保护波导不受外力和杂质侵蚀的能力满足要求,在切割磨抛过程中保护芯层波导,减少因为崩口等原因引起良率的损失,且上包层厚度增加,使截面积变大,在后段的封装过程中,能够提高芯片与光纤阵列连接的效率。
  • plc晶圆上包层生长工艺

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