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[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦1dB衰减片-CN201110264886.7无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦1dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦2dB衰减片-CN201110278100.7无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦2dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片-CN201110264892.2无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一9.55*6.35*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片具有良好的VSWR性能，在9.55*6.35*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到150W，同时使其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。
功率氮化陶瓷 150 负载

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片-CN201110264882.9无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 10 db 衰减

[发明专利]阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片-CN201110278128.0无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片，其包括一3*3*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片为氮化铝陶瓷基板贴片式负载片系列产品线中的一款，在3*3*1mm氮化铝陶瓷基板通过导线走向和表面电阻率的改变，使得该规格的氮化铝陶瓷基板负载片具有稳定的25瓦功率输出，同时保证了良好的产品特性。功率上较为完整的产品系列组合既整合了原材料的用量提供了有竞争力价格，又提供了客户多种选择从而扩大了使该尺寸的氮化铝陶瓷基板的使用领域。
阻抗 50 氮化陶瓷 25 瓦贴片式负载

[发明专利]高生产效率的4.5英寸氮化铝陶瓷基板印刷工艺-CN201110264890.3无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高生产效率的4.5英寸氮化铝陶瓷基板印刷工艺，应用于氮化铝陶瓷基板的大功率负载片和衰减片电路印刷。该工艺包括：前期针对制程对4.5英寸氮化铝基板的激光划线进行合理的布局设计安排，并在电路印刷之前针对4.5英寸氮化铝基板的表面粗糙度，激光划线精准度，翘曲度，边缘平行度进行严格的筛选，同时设计对应的治具从而保证产品的质量的同时降低因尺寸放大产生的不良率，相对于原有条形基板印刷工艺的生产效率大概提高20倍左右，相对于原有2英寸基板印刷工艺的生产效率大概提高了4-5倍左右。
生产效率 4.5 英寸氮化陶瓷印刷工艺

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片-CN201110244793.8无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
大功率氮化陶瓷 100 30 db 衰减

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片-CN201110205621.X无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一9.55×6.35×1mm的氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有背导层，氮化铝基板的正面印刷有导线及数个电阻，数个电阻通过导线并联形成负载电路，负载电路的接地端与背导层电连接，负载电路上设有焊盘。该负载片以9.55×6.35×1mm的氮化铝基板作为基板，负载电路采用并联电阻的设计工艺，而没有采用传统的单个电阻的设计工艺，这样可有效增加电阻的面积，使得负载片承受功率的能力得到进一步巩固，同时采用这种设计工艺使得导线的走位排布突破原有传统设计的限制，使焊盘在增大的同时够得到优良的回波损耗特性，而焊盘的增大可使焊接更加的方便和牢固。
大功率氮化陶瓷 150 负载

[发明专利]阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片-CN201110205631.3无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一8.7*5.9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻横向布置。该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片的电阻横向布置，这样在设计时可对电阻进行拉长，从而增加电阻的面积，优化电路的设计，使原来只能承受100瓦尺寸为8.7*5.9*1mm基板上能承受150瓦的功率，同时也可使负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配。
阻抗 50 大功率氮化陶瓷 150 负载

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板20瓦20dB衰减片-CN201110205633.2无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板20瓦20dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
大功率氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片-CN201110205643.6无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片，其包括一16*6*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该负载片可在16*6*1mm的氮化铝基板上承载250W的负载，从而大大的减小了负载片的尺寸，达到了小尺寸大功率的要求，进而可使客户端的产品尺寸进一步缩小。同时采用该结构的氮化铝陶瓷基板负载片可代替原来的BeO材料的负载片，可有效降低对环境的污染，避免对生产人员身体造成伤害。
阻抗 50 大功率氮化陶瓷 250 负载

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片-CN201110205653.X无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层。该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求。
大功率氮化陶瓷 150 30 db 衰减

[发明专利]阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板30瓦负载片-CN201110205619.2无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板30瓦负载片，其包括一4×4×1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板30瓦负载片具有良好的VSWR性能，在4×4×1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到30W，同时使其特性突破了3G，达到了6G，使得此尺寸的氮化铝陶瓷基板负载片不仅能够使用于民用通信领域，也能够适用于军工通信领域，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。
阻抗 50 氮化陶瓷 30 负载

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片-CN201110205641.7无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片，其包括一8.9*5.7*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜，所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层。该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层，这样能够有效的改善衰减片的衰减精度，使得该衰减片能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求。
大功率氮化陶瓷 100 30 db 衰减

[发明专利]阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板100瓦负载片-CN201110255800.4无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板100瓦负载片，其包括一5.7*8.9*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板100瓦负载片具有良好的VSWR性能，在5.7*8.9*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到100W，同时使其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。
阻抗 50 氮化陶瓷 100 负载

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