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[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦3dB衰减片-CN201110264884.8无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦3dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦3dB衰减片-CN201110264883.3无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦3dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]端电极导通的新生产工艺-CN201110264887.1无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种端电极导通的生产工艺，应用于氮化铝陶瓷基板大功率负载片和衰减片，原理是在氮化铝陶瓷基板大功率负载片和衰减片电镀之前，用夹具以手工方式将特殊的中低温银浆包裹于氮化铝基板侧边，把预留外露的正导内电极和背面导体层连接，再经过热处理，固化，使其与氮化铝陶瓷基板结合并形成有效的导电层，让正导内电极和背面导体层有效导通，并在实际使用过程中保证良好的导通性，端接地的厚度可以根据实际需要通过夹具进行自由调整。所述新工艺改变了原由的生产制程，取代了国外采用的氮化铝基板高温银浆灌孔印刷烧结和使用高温银浆丝网印刷进行多次烧结的工艺，有效的避免了灌孔印刷后烧结工艺带来的银浆收缩不均衡可能造成的导通不良现象，同时改变了丝网印刷多次烧结在氮化铝陶瓷基板大功率负载片和衰减片制程中的生产中效率低下以及印刷厚度较薄在实际使用过程中存在隐患的问题。
电极生产工艺

[发明专利]氮化铝陶瓷基板50瓦负载片-CN201110264894.1无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板50瓦负载片，其包括一4*4*1mm的氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有背导层，氮化铝基板的正面印刷有导线及数个电阻，数个电阻通过导线并联形成负载电路，负载电路的接地端与背导层电连接，负载电路上设有焊盘。该负载片以4*4*1MM的氮化铝基板作为基板，负载电路采用并联电阻的设计工艺，而没有采用传统的单个电阻的设计工艺，这样可有效增加电阻的面积，使得负载片承受功率的能力得到进一步巩固，同时采用这种设计工艺使得导线的走位排布突破原有传统设计的限制，使焊盘在增大的同时够得到优良的回波损耗特性，而焊盘的增大可使焊接更加的方便和牢固。
氮化陶瓷 50 负载

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片-CN201110264779.4无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片，其包括一9.53*9.53*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该负载片可在9.53*9.53*1mm的氮化铝基板上承载250W的负载，从而大大的减小了负载片的尺寸，达到了小尺寸大功率的要求，进而可使客户端的产品尺寸进一步缩小。同时采用该结构的氮化铝陶瓷基板负载片可代替原来的BeO材料的负载片，可有效降低对环境的污染，避免对生产人员身体造成伤害。
大功率氮化陶瓷 250 负载

[发明专利]氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片-CN201110279052.3无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片，其包括一9.55*9.55*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险。通过线路的优化设计，改善了衰减片的性能，通过控制表面电阻率精确控制每个电阻的阻值，得到需要的衰减值，填补了国内不能生产200W-30dB氮化铝基板衰减片的空白。
氮化陶瓷 200 30 db 衰减

[发明专利]阻抗为50Ω氧化铝陶瓷基板40瓦负载片-CN201110264888.6无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω氧化铝陶瓷基板40瓦负载片，其包括一6.35*6.35*1mm的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氧化铝陶瓷基板的40瓦负载片在原有30瓦的设计方案上进一步优化，扩大了电阻面积，使最大功率达到了40W，同时具有良好的VSWR驻波比表现，该40W氧化铝陶瓷基板的负载片，以极具竞争力的价格满足了市场的特殊规格的特殊要求，也提供了市场在特定领域以更低廉的价格取代小功率氮化铝陶瓷基板负载片应用的机会，使该尺寸的氧化铝陶瓷基板使用范围更广。
阻抗 50 氧化铝陶瓷 40 负载

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片-CN201110279047.2无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板20瓦9dB衰减片-CN201110264893.7无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板20瓦9dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 20 db 衰减

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板150W-20dB衰减片-CN201110279050.4无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150W-20dB衰减片，其包括一9.55*6.35*1mm氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有导体层，氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，银浆导线连接电阻形成衰减电路，电阻上印刷有玻璃保护膜。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该大功率氮化铝陶瓷基板150W-20dB衰减片增大了电阻面积，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了3G以内20±1dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。
大功率氮化陶瓷 150 20 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦1dB衰减片-CN201110278109.8无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦1dB衰减片，其包括一5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和表面电阻率来获得需要的衰减值，通过导线的设计，来获得较好的驻波特性。该衰减片增大了的电阻面积，使其抗高低温冲击性能增加，避免了在输出端焊接引线时，高温对电阻的淬伤，避免了因电阻被淬伤，在实际使用过程中会坏掉的风险，使得衰减片的性能大为改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。
氮化陶瓷 30 db 衰减

[发明专利]氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片-CN201110264889.0无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片，其包括一6.35*6.35*1mm的氧化铝基板，所述氧化铝基板的背面印刷有背导层，所述氧化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的氧化铝陶瓷基板30瓦贴片式负载片具有良好的VSWR性能，在6.35*6.35*1mm的氧化铝陶瓷基板上的功率达到30W，同时其特性达到了3G，拓宽了目前市场占主导地位并且价格低廉的氧化铝陶瓷基板使用范围，使氧化铝基板的电阻在功率上有了重大突破。
氧化铝陶瓷 30 瓦贴片式负载

[发明专利]阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片-CN201110278130.8无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板120瓦负载片，其包括一6*9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板120瓦负载片具有良好的VSWR性能，在6*9*1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到120W，同时使其特性达到了3G，使得此尺寸的氮化铝陶瓷基板负载片在性能卓越的前提下功率达到120W。
阻抗 50 大功率氮化陶瓷 120 负载

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片-CN201110264675.3无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片，其包括一氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有导体层，氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，银浆导线连接电阻形成衰减电路，电阻上印刷有玻璃保护膜。该大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片增大了电阻面积，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了3G以内10±1dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。
大功率氮化陶瓷 100 10 db 衰减

[发明专利]阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板150瓦贴片型负载片-CN201110278112.X无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板150瓦贴片型负载片，其包括一6.35*9.55*1.00mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有特殊背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板150瓦贴片型负载片在原有的设计上进行优化，进一步将功率提升到150瓦，并在高频3G时任然可以保持良好的VSWR特性，满足了市场的要求。在6.35*9.55*1.00mm的氮化铝陶瓷基板实现了功率满足150瓦的贴片型设计，在SMT氮化铝陶瓷功率负载片的产品系列里增加了重量级的成员。
阻抗 50 氮化陶瓷 150 瓦贴片型负载

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