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[发明专利]一种厚膜高频20瓦负载片及其生产方法-CN201611038730.6在审
发明人：陈建良 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01P1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜高频20瓦负载片，包括一5×2.5×0.635mm的氮化铝基板（1），所述氮化铝基板的背面印刷背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻（3）及导线（2），所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜（4），所述导线和玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜（5），印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000‑55000cps的触变型浆料，通过400目的高精度钢丝网版印刷浆料，该负载片具有良好的VSWR性能，在5×2.5×0.635mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到20W，使用频率达到了20GMHz，不仅可以满足目前的4G网络应用要求，也可以满足将来5G网络的应用要求，并且本发明的生产工艺对保证产品的性能起到充分的保障作用。
一种高频 20 负载及其生产方法

[发明专利]一种高精度150瓦衰减片及其生产方法-CN201611038452.4在审
发明人：陈建良 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度150瓦衰减片，其包括一6.35*9.55*1mm的氮化铝基板，基板背面印刷有背导层，正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述衰减电路的包含5个电阻R1、R2、R3、R4和R5，电阻R1、R2、R3和R4的电阻值大小相同，其中电阻R5竖直设置在基板中央，在输入端电阻R1、R2并联，输出端电阻R3、R4并联，电阻R5再分别与输入端和输出端的电路串并联，并且设置在输入端和输出端的2个电阻完全对称分布且竖直排列于基板上焊盘中央电阻的左右两侧，该衰减电路采用了完整的对称电路设计，该衰减片的衰减精度可达30dB±0.2‑30dB±0.5，能够满足目前4G网络及未来5G网络部分频段的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求。
一种高精度 150 衰减及其生产方法

[实用新型]槽式增强型偶合天线-CN201420403578.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司;韩国宽带通信有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种槽式增强型偶合天线，其包括一个基板，平行位于所述基板上的多个产生谐振频率和控制正信号分量的辐射槽，平行位于所述基板上的多个产生谐振频率和控制负信号分量的辐射槽，所述的正信号分量的辐射槽之间有特定的间距，所述的负信号分量的辐射槽之间也有特定的间距，所述辐射槽在相临的辐射槽之间形成耦合区域，所述正信号分量辐射槽和所述负信号分量辐射槽可以呈直线形也可以成V形排布，所述正信号分量辐射槽和所述负信号分辐射槽之间通过阻抗匹配和电磁感应在信号源一端相互连接。所述槽式增强型偶合天线可以在很宽的频率内接受和控制无线电信号，在低成本的基础上增强了无线电信号的覆盖范围。
增强偶合天线

[发明专利]槽式增强型偶合天线-CN201410347721.X无效
发明人：李柱悦;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司;韩国宽带通信有限公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽式增强型偶合天线，其包括一个基板，平行位于所述基板上的多个产生谐振频率和控制正信号分量的辐射槽，平行位于所述基板上的多个产生谐振频率和控制负信号分量的辐射槽，所述的正信号分量的辐射槽之间有特定的间距，所述的负信号分量的辐射槽之间也有特定的间距，所述辐射槽在相临的辐射槽之间形成耦合区域，所述正信号分量辐射槽和所述负信号分量辐射槽可以呈直线形也可以成V形排布，所述正信号分量辐射槽和所述负信号分辐射槽之间通过阻抗匹配和电磁感应在信号源一端相互连接。所述槽式增强型偶合天线可以在很宽的频率内接受和控制无线电信号，在低成本的基础上增强了无线电信号的覆盖范围。
增强偶合天线

[发明专利]小尺寸高稳定性氮化铝陶瓷10瓦25dB衰减片-CN201410235810.5无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸高稳定性氮化铝陶瓷10瓦25dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成TT型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标,高频无感,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了10瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。
尺寸稳定性氮化陶瓷 10 25 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板100瓦6dB的衰减片-CN201410235500.3无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板100瓦6dB衰减片，其包括一尺寸为8.9*5.7*1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆导体层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线，银浆导线的两端各连接一个焊盘，所述银浆导线间印刷有电阻，所述电阻上印刷有高温保护膜，所述银浆导线和高温保护膜上印刷有耐酸碱保护膜。该衰减片在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，调整了电路的容感性，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该氮化铝陶瓷基板100瓦6dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
氮化陶瓷 100 db 衰减

[发明专利]氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片-CN201410235302.7无效
发明人：郝敏 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片，其包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有一层玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜上印刷有一层环氧树脂保护膜，所述环氧树脂保护膜上印刷有一桥梁式介质。该衰减片通过改变调整电阻值的大小以及桥梁式介质的位置及线路来获得精确的衰减值。该氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片，功率可以满足100瓦的功率容量，驻波和衰减精度可以满足3G频段的使用要求，可以用于目前4G网络。
氮化陶瓷 100 29 db 衰减

[发明专利]功率容量为100瓦的8dB衰减片-CN201410234282.1无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率容量为100瓦的8dB衰减片，其包括一8.9*5.7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻的面积根据吸收功率的不同大小不一，所述5个黑色电阻采用两次丝网印刷而成，所述背导层和所述银浆导线采用端接地浆料导通，所述端接地浆料为银浆。该衰减片在设计思路上考虑了衰减片从输入到输出衰减各个电阻对功率的吸收，定义了各个电阻的面积，同时优化了银浆导线的走向，改善了电路的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该功率容量为100瓦的8dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
功率容量 100 db 衰减

[发明专利]环保性陶瓷10瓦13dB衰减片-CN201410233542.3无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种环保性陶瓷10瓦13dB衰减片，其包括环保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸为2.5mm×5mm×1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高温银浆导线，所述高温银浆导线间印刷有膜状电阻，所述高温银浆导线和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有一层导体层，所述高温银浆导线和背面导体层通过侧面二次印刷银浆导通。该衰减片在方案设计时，采用的环保的ALN材料替代有毒的BeO材料，同时在满足功率要求的前提下，尽量缩小了产品的尺寸，使得产品的生产效率提高，材料成本降低，电路设计上，充分考虑了目前市场的VSWR和衰减精度等性能指标的要求,填补了国内无小尺寸衰减片的空白，满足了目前主流的3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。
环保陶瓷 10 13 db 衰减

[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片-CN201410231877.1无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片，其包括一氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有导体层，氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，银浆导线连接电阻形成衰减电路，电阻上印刷有玻璃保护膜。该大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片成增大了电阻面积，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，提高了衰减精度，从而使得产品可以应用于4G网络。
大功率氮化陶瓷 100 27 db 衰减

[发明专利]新型优化版氮化铝陶瓷基板150瓦负载片-CN201410231825.4无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型优化版氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一5.7*9.55*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路通过端接地与所述背导层连接，所述导线连接一焊盘。该氮化铝陶瓷基板150瓦负载片的焊盘设计布局于左上角部位，这样可以满足客户侧边加引线的要求，该设计优化了电路，改变传统焊盘位于中间位置的设计，同时增加了电阻的面积，使原来只能承受100瓦尺寸为5.7*9.55*1mm基板上能承受150瓦的功率，该负载片在特性方面满足实际应用的要求，使其具有良好的VSWR性能，能够更好的与设备进行匹配。
新型优化氮化陶瓷 150 负载

[发明专利]高精度10瓦9dB衰减片-CN201410235305.0无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度10瓦9dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的高热导率陶瓷基板，所述高热导率陶瓷基板为高热导率氮化铝陶瓷基板，所述高热导率氮化铝陶瓷基板的正面印刷有对称的银浆电路，所述银浆电路间根据衰减电路特性印刷有5个黑色膜状电阻，所述银浆电路和5个黑色膜状电阻通过高温烧结连通，所述高热导率氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆，所述对称的银浆电路和背面印刷的银浆通过银浆接地导通。该衰减片在案设计上采用完全对称电路设计，充分考虑了VSWR和衰减精度等性能指标,打破了原来国内生产衰减片只能应用于低频的局面,满足了目前3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。
高精度 10 db 衰减

[发明专利]高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片-CN201410234685.6无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片，其包括一宽度为5.7mm、长度为8.9mm、厚度为1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成TT型衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。所述银浆背导层、银浆导线、5个黑色电阻、玻璃保护膜、两层保护膜全部采用高精度厚膜印刷技术。该衰减片在设计思路上优化了输入端的电路结构，改善了输入端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
功率氮化陶瓷 100 11 db 衰减

[发明专利]100瓦功率13dB衰减片-CN201410232121.9无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种100瓦功率13dB衰减片，其包括一宽度为5.7mm、长度为8.9mm、厚度为1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成TT型衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。该衰减片在设计思路上考虑了衰减片从输入到输出衰减各个电阻对功率的吸收，定义了各个电阻的面积，同时优化了银浆导线的走向，改善了电路的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该100瓦功率13dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
100 功率 13 db 衰减

[发明专利]满足第四代通讯要求的氮化铝陶瓷基板100瓦3dB衰减片-CN201410231824.X无效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种满足第四代通讯要求的氮化铝陶瓷基板100瓦3dB衰减片，其包括一尺寸为8.9*5.7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成π型衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有glass保护膜，所述glass保护膜及银浆导线上印刷有双层保护膜。该衰减片在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该氮化铝陶瓷基板100瓦3dB衰减片，各项指标优良，满足了第四代通讯要求以及目前4G网络的使用要求。
满足第四通讯要求氮化陶瓷 100 db 衰减

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