“苏君海”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果375个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种薄膜晶体管以及显示面板-CN201810145173.0有效
发明人：宋先保;陈天佑;胡君文;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管以及采用上述薄膜晶体管的显示面板，源/漏极层、有源层、栅极层、电容层以及多个绝缘层，有源层设置于源/漏极层和栅极层之间，储能层设置于栅极层远离有源层的一侧，源/漏极层、有源层、栅极层以及电容层两两之间分别设置有一所述绝缘层。采用上述薄膜晶体管，将第一扫描线、第二扫描线以及信号接收线与栅极层制作于同一层，使得触控传感器的信号接收线与栅极层共用同层金属，省去了单独制作用于设置信号接收线的层级；第一数据线、第二数据线以及信号驱动线与源/漏极层制作于同一层，使得触控传感器的信号驱动线与源/漏极层共用同层金属。这样，显示面板上无需单独设置触控电路，降低了显示面板的厚度。
一种薄膜晶体管以及显示面板

[发明专利]一种有机发光装置的制造方法-CN202210066200.1在审
发明人：曾苏伟;苏君海 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请提供一种有机发光装置的制造方法，其包括：提供基底，在所述基底上形成薄膜晶体管得到阵列基板；在所述阵列基板上形成发光器件层，所述发光器件层包括依次堆叠的阳极、有机发光层和阴极，得到显示面板；将所述显示面板置于所述老化处理室，向所述老化处理室中通入修复性气体，在所述阳极和所述阴极之间施加电压以修复所述发光器件层中的短路区域；以及密封所述显示面板，得到有机发光装置。
一种有机发光装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺-CN201711278338.3有效
发明人：刘刚;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺，其中，膜层刻蚀工艺用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀，膜层的第一表面上形成有光刻胶，光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶，膜层刻蚀工艺包括如下步骤：采用含O2气体对膜层进行预处理，以去除残留光刻胶，其中，预处理持续预设时长；采用第一刻蚀气体对膜层进行刻蚀处理。上述膜层刻蚀工艺，先采用含O2气体对膜层进行预处理，其中的O2气体经射频放电形成一定浓度的氧离子活性分子，氧离子活性分子与光刻胶发生反应，以去除残留光刻胶，使光刻胶的形貌恢复正常，避免需要刻蚀的那部分膜层被光刻胶遮挡，导致膜层的形貌也出现异常，从而影响薄膜晶体管的品质的情况出现。
薄膜晶体管制作方法刻蚀工艺

[发明专利]光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法-CN201711481186.7有效
发明人：庄宇鹏;刘伟;任思雨;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用掩膜板在第二预设光积量下对负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，第二次曝光位置与第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；将第二次曝光后的负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的负性光刻胶层进行显影操作，以使负性光刻胶层在基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
光刻梯形结构隔离形成方法

[发明专利]显示装置残影的测试方法-CN201810317846.6有效
发明人：阮伟文;张家朝;吴锦坤;胡君文;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：一种显示装置残影的测试方法，包括：在t1～t2时间内，控制第一测试区域显示第一画面，控制第二测试区域显示第二画面，在t2～t3时间内，控制第一测试区域和第二测试区域均显示第一画面；分别采集t1～t3时间内第一测试区域的亮度L1随时间的变化值L1(t)、t1～t3时间内第二测试区域的测试参数Y2随时间的变化值Y2(t)；根据C(t)＝Y2(t)‑K*L1(t)，计算出在t1～t3时间内的去除噪音后的残影参数C随时间的变化值C(t)的值。由于Y2(t)和KL1(t)之差恰好去除了噪音，C(t)的值为去除噪音后的值，使得残影的测试结果不受噪音的影响。
显示装置测试方法

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN201711480196.9有效
发明人：林振国;铃木浩司;谢志强;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、基板阵列，第一薄膜晶体管包括基板、电容的第一极、电容绝缘层、作为栅极的电容的第二极、栅极绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极及搭接电极、钝化层、平坦层、阳极；其中刻蚀阻挡层形成第一过孔，刻蚀阻挡层与栅极绝缘层形成有第二过孔，刻蚀阻挡层、栅极绝缘层与电容绝缘层还形成有第三过孔；第一氧化物半导体薄膜晶体管的所述搭接电极与电容的第一极、作为栅极的电容的第二极及第二或第N氧化物薄膜晶体管的源级搭接。通过在底部增加额外的电容结构，并且通过设置搭接电极，省去一次光刻步骤，简化工序、降低成本，并且底部的电容结构作为光遮挡层，避免外部的环境光导致氧化物薄膜晶体管稳定性差的问题。
一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]OLED显示面板的驱动方法及装置-CN201710161974.1有效
发明人：田栋协;阮伟文;吴锦坤;胡君文;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G09G3/3266 文献下载
摘要：本发明涉及一种OLED显示面板的驱动方法及装置，其中方法包括获取待显示的画面的图像数据；根据所述图像数据判断所述画面对应的目标画面类型；读取所述目标画面类型对应的目标驱动时序；根据所述图像数据及所述目标驱动时序驱动OLED显示面板，以显示所述画面。上述OLED显示面板的驱动方法及装置针对不同类型的画面设置不同的驱动时序，使得对于不同类型的画面能够采用不同的驱动时序进行扫描，可以避免由于扫描时间短或画面灰阶亮度低而导致的显示不均匀问题，从而有效改善OLED显示面板在显示低灰阶画面时的MURA问题，本发明实施例对于高分辨率的AMOLED显示面板尤其适用。
oled 显示面板驱动方法装置

[发明专利]一种触控线的走线方法-CN201710906189.4有效
发明人：段学玲;汪令生;胡君文;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及触摸屏OLED封装的技术领域，尤其涉及一种触控SENSOR的触控线走线方法。包括在后盖玻璃表面通过MASK曝光显影形成触控线的过程，所述的玻璃表面分为烧结区和非烧结区，所述的触控线分为在非烧结区的触控线干线和在烧结区的触控线分支线；所述的触控线分支线之间设有烧结所需透光的距离；所述的触控线干线的宽度是触控线分支线宽度之和；所述的触控线干线与触控线分支线连接。即本发明的触控走线包括了在烧结区和非烧结区的布线，尽可能缩小屏的边框，将屏的使用范围扩大；本发明既能保证走线正常，又能保证烧结质量好。
一种触控线方法

[发明专利]掩膜板-CN201711244323.5有效
发明人：张雪峰;柯贤军;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种掩膜板，包括：第一掩膜基板和第二掩膜基板；第一掩膜基板开设有若干第一开口，第二掩膜基板开设有若干第二开口，每一第一开口与一第二开口一一对应；第二掩膜基板设置在第一掩膜基板上并与第一掩膜基板活动抵接，每一第一开口与其所对应的第二开口至少部分重叠。上述掩膜板，第一掩膜基板上开设第一开口，第二掩膜基板上开设第二开口，第一开口和第二开口的重叠部分组成掩膜板的开口以允许有机材料通过，第一开口和第二开口的尺寸可以设计较大、精度较低，以降低工艺难度，而最终掩膜板的开口根据需要由第一开口与第二开口重叠部分确定，仍然能够形成尺寸小、精度高的满足需求的掩模板的开口。
掩膜板

[发明专利]一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法及所得的产品和薄膜晶体管-CN201711475161.6有效
发明人：陈卓;徐先新;张鑫磊;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及TFT薄膜晶体管的技术领域，尤其涉及一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法及所得的产品和薄膜晶体管。制备步骤为：S1、在玻璃基板上形成热敏电阻层；S2、在热敏电阻层上形成非晶硅层；S3、用激光脉冲照射晶化步骤S2的非晶硅膜层，同时采用电加热或者电磁加热的方法给热敏电阻层加热，使非晶硅层转化为多晶硅层。所述步骤S1前还包括在玻璃基板上形成隔离层的过程，所述的隔离层是氧化硅和氮化硅中的一种或两种。本发明所得的多晶硅薄膜具有晶粒均匀度好、晶粒密度一致性好、晶粒迁移率和稳定性好的特点。本发明所得的薄膜晶体管具有无斑点、光亮度均匀、电性能好的特点。
一种激光制备多晶薄膜方法所得产品薄膜晶体管

[发明专利]防止Al腐的处理方法-CN201711408137.0有效
发明人：卢朋;祝汉泉;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。上述处理方法，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。通过进行热烘操作，能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
防止 al 处理方法

[发明专利]掩膜板-CN201711249267.4有效
发明人：农艳菲;龚建国;冉应刚;吴俊雄;王衣可;柯贤军;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩膜板，包括：空闲区和至少一个有效蒸镀区，空闲区设置于有效蒸镀区的外侧；至少一个有效蒸镀区开设有多个蒸镀开口，各蒸镀开口均匀分布设置；有效蒸镀区与空闲区之间还设置有过渡区，过渡区包围有效蒸镀区设置，过渡区的厚度小于有效蒸镀区的厚度，且小于空闲区的厚度。通过在有效蒸镀区和空闲区之间设置过渡区，由于该过渡区的厚度相对于有效蒸镀区以及空闲区的厚度更小，使得过渡区的强度较小，当在掩膜板两端施加拉力时，在力的传递过程中，拉力受到的反作用逐渐减小，使得空闲区到有效蒸镀区的变形能平缓过渡，有效减小褶皱，减小有效蒸镀区的形变，使得蒸镀效果更佳，从而提高蒸镀的产品良率。
掩膜板

[发明专利]刻蚀方法、低温多晶硅薄膜晶体管及AMOLED面板-CN201810068807.7有效
发明人：卢朋;祝汉泉;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀方法、低温多晶硅薄膜晶体管及AMOLED面板。该刻蚀方法包括：向工艺腔室通入六氟化硫SF6和氧气O2对金属钼Mo层进行刻蚀，得到氟化钼MoFx；通入氯气Cl2和氧气O2对金属钼Mo层进行刻蚀，得到氯化钼MoClx；通入氟基刻蚀气体和氧气O2与所述MoClx反应，得到易挥发的氟氧化钼MoFxOy。本发明提供的方案，能减少干法刻蚀生成物的残留，解决AMOLED面板显示屏的显示异常现象。
刻蚀方法低温多晶薄膜晶体管 amoled 面板

[发明专利]源漏极成膜前处理方法-CN201711465227.3有效
发明人：刘刚;铃木浩司;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种源漏极成膜前处理方法，包括如下步骤：在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形成等离子体；在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作。上述源漏极成膜前处理方法，通过碳氟气体、氢气和氩气的混合气体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作，能够较好地去除P‑Si或者A‑Si表面自然形成的二氧化硅，由于氩气的存在，能够减少碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀，从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能够减少对P‑Si或者A‑Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。
源漏极成膜前处理方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法-CN201810204001.6有效
发明人：任思雨;陈卓;徐先新;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，多晶硅薄膜的制备方法包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。通过变化的成膜速率对非晶硅薄膜进行沉积成膜，使得非晶硅薄膜可分别在较大和较小的成膜速率下成膜，在较大的成膜速率下，能够有效提高生产效率，并且使得非晶硅薄膜的折射率较低，进而减小与氛围气体之间的折射率的差值，降低了界面反射的反射率，有效提高激光的利用率，而在较小的成膜速率下成膜时，能够使得非晶硅薄膜的成膜效果更佳。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管及其

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 375 条