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- [发明专利]中继环碳化钽镀膜装置和方法-CN202310994198.9有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-08-09
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2023-10-24
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C23C16/32
- 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜装置和方法，涉及长晶设备制造技术领域。装置包括真空腔体、真空抽气系统、石墨加热器和石墨桶；真空抽气系统连通到真空腔体上，真空抽气系统用于控制真空腔体内的真空度，石墨加热器安装在真空腔体的内部，石墨桶设置在石墨加热器的内部，石墨桶内的底部用于盛装钽颗粒，石墨桶内的顶部用于放置中继环；石墨加热器用于对石墨桶加热，使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。装置和方法能够提高镀膜效率，而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。
- 中继碳化镀膜装置方法
- [发明专利]中继环碳化钽镀膜设备和方法-CN202311160747.9在审
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-09-11
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2023-10-17
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C23C14/06
- 本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜设备和方法，涉及长晶设备制造技术领域。设备包括镀膜坩埚、蒸发源坩埚和石墨加热器，镀膜坩埚包括石墨桶和坩埚盖，坩埚盖盖设在石墨桶上，坩埚盖上开设有多个安装通孔，一个安装通孔内用于放置一个待镀膜的中继环；蒸发源坩埚设置在石墨桶内、且放置在底部，蒸发源坩埚用于盛装钽颗粒；石墨加热器设置在镀膜坩埚的外围，石墨加热器用于对镀膜坩埚以及蒸发源坩埚内的钽颗粒进行加热，使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。该设备和方法能够提高镀膜效率，而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。
- 中继碳化镀膜设备方法
- [发明专利]等离子辅助晶体生长装置和方法-CN202310280003.4有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-03-21
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2023-09-26
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C30B23/00
- 本发明的实施例提供了一种等离子辅助晶体生长装置和方法，涉及长晶设备技术领域。等离子辅助晶体生长装置包括坩埚、等离子发生器、导电棒和电极环；坩埚内的底部用于装载碳化硅粉末，坩埚内的顶部为长晶区，碳化硅粉末与长晶区之间为升华区；等离子发生器设置在坩埚的外部，导电棒贯穿坩埚的侧壁，电极环设置在升华区内，导电棒的一端与等离子发生器连接，导电棒的另一端与电极环连接；电极环用于在等离子发生器的供能的情况下，将升华区内的碳化硅分子电离成碳化硅气相等离子，并升华至长晶区生长成碳化硅籽晶，可以使碳化硅籽晶维持良好的晶格排列，明显降低晶体的内应力，减少晶体缺陷，甚至可以形成超晶格晶体。
- 等离子辅助晶体生长装置方法
- [实用新型]一种碳化硅长晶工艺气体单向导入装置-CN202320315587.X有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-02-24
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2023-09-19
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C30B29/36
- 本实用新型提供一种碳化硅长晶工艺气体单向导入装置，涉及碳化硅长晶设备技术领域。装置包括阀体，阀体内开设有主通道和旁通道，主通道贯穿阀体，旁通道为弯曲通道，旁通道的两端均连接在主通道上，在气体从主通道的第一端口流向第二端口的过程中，旁通道的第四端口的出气方向A与主通道内的气体流向B之间为锐角，第四端口流出的气体顺着主通道的气体流向第二端口，降低气体进入工艺设备后的流速，提高工艺设备内气体流场的均匀性；在气体从主通道的第二端口流向第一端口的过程中，旁通道的第三端口的出气方向C与主通道内的气体流向D之间为钝角，第三端口流出的气体阻碍主通道的气体流向第一端口，避免气体顺着管道发生逆流。
- 一种碳化硅工艺气体单向导入装置
- [发明专利]磁控增强等离子抛光装置-CN202310713225.0有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-06-16
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2023-08-25
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H01J37/30
- 本发明提供一种磁控增强等离子抛光装置，涉及抛光设备技术领域。磁控增强等离子抛光装置包括真空腔体、进气管、导电管、喷头、载台和外部电源；真空腔体的顶壁上设置有进气管，进气管用于向真空腔体内通入刻蚀气体，真空腔体的底壁上设置有导电管；喷头设置在真空腔体内、且与进气管连通；载台设置在真空腔体内，载台上用于承载待抛光的基材，载台内设置有磁体；载台与导电管连接，导电管和喷头用于连接外部电源，载台与喷头之间形成具有电场的电离区，喷头喷出的刻蚀气体在电离区形成等离子；等离子在电离区内受到方向不同的磁力与电磁力。磁控增强等离子抛光装置能够高效、高质量、低成本地对基材进行抛光。
- 增强等离子抛光装置
- [实用新型]双层高蒸发面积坩埚-CN202320935238.8有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-04-23
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2023-08-25
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C30B29/36
- 本实用新型提供一种双层高蒸发面积坩埚，涉及长晶设备技术领域。双层高蒸发面积坩埚包括坩埚外壳、坩埚内环和坩埚盖；坩埚内环的外径小于坩埚外壳的内径，坩埚内环放置在坩埚外壳的内部，坩埚内环与坩埚外壳之间形成装填腔，装填腔用于容置碳化硅粉末，坩埚内环上具有孔隙，孔隙的孔径小于碳化硅粉末的粒径，孔隙用于供碳化硅粉末蒸发形成的微粒通过，坩埚盖盖设在坩埚外壳的顶部，坩埚盖的下方为籽晶的生长区。双层高蒸发面积坩埚能够使碳化硅粉末的蒸发面积较大，即每个时刻碳化硅粉末的蒸发量较大，进而提高了长晶的效率。
- 双层蒸发面积坩埚
- [发明专利]碳化硅籽晶粘接方法-CN202310767051.6在审
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袁刚俊;苏兆鸣;罗鸿
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通威微电子有限公司
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2023-06-27
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2023-08-08
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C30B33/06
- 本发明的实施例提供了一种碳化硅籽晶粘接方法，涉及长晶工艺技术领域。碳化硅籽晶粘接方法包括：S1：提供碳化硅籽晶和坩埚盖；S2：对碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面进行等离子轰击蚀刻，以提高第一粘接面和第二粘接面对液体胶的附着性；S3：在碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面上分别喷涂液体胶，并将第一粘接面与第二粘接面通过液体胶粘接，形成粘接层。碳化硅籽晶粘接方法能够提高碳化硅籽晶与坩埚盖之间粘接的牢靠性，使二者紧密连接，减少气泡产生的几率。
- 碳化硅籽晶方法
- [实用新型]一种散热孔径可调的长晶装置-CN202320610896.X有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-03-24
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2023-07-28
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C30B11/00
- 本实用新型实施例提供一种散热孔径可调的长晶装置，涉及碳化硅长晶技术领域。长晶装置包括坩埚、顶加热器、侧加热器、保温罩、排气装置和电机，坩埚、顶加热器和侧加热器均设置在保温罩的内部，顶加热器设置在坩埚的上方，侧加热器设置在坩埚的四周，保温罩上开设有散热孔，散热孔用于将保温罩内部的热量散发到保温罩的外部，排气装置设置在散热孔的位置，电机连接到排气装置，电机用于调整排气装置对散热孔的开口的遮挡大小。该长晶装置能够调整保温罩上散热孔的开口面积，灵活改变保温罩的散热效率，从而实现对坩埚的温度梯度的灵活调整，以使实际的温度梯度尽量达到理想的温度梯度。
- 一种散热孔径可调装置
- [发明专利]带径向温度测量的长晶炉-CN202310280019.5在审
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-03-21
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2023-07-18
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C30B23/00
- 本发明的实施例提供了一种带径向温度测量的长晶炉，涉及长晶炉技术领域。带径向温度测量的外腔体顶部设置有第一视窗；内腔体设置在外腔体的内部，内腔体的顶部设置有第二视窗；坩埚设置在内腔体的内部；顶部加热器安装在内腔体的内部、且位于坩埚的上方，顶部加热器上具有镂空区域；径向驱动机构设置在外腔体的外部，红外测温仪安装在径向驱动机构上，径向驱动机构用于驱动红外测温仪沿坩埚的径向移动；其中，红外测温仪发出的红外线依次穿过第一视窗、第二视窗和镂空区域，照射到坩埚的顶面。带径向温度测量的长晶炉能够测得坩埚顶面全面积的温度分布情况，以便于精准控制顶部加热器对坩埚的加热效率。
- 径向温度测量长晶炉
- [发明专利]等离子掺杂碳化硅长晶炉-CN202310283140.3在审
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袁刚俊;罗鸿;王奇缘;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2023-03-22
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2023-06-13
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C30B23/00
- 本发明的实施例提供了一种等离子掺杂碳化硅长晶炉，涉及碳化硅长晶技术领域。等离子掺杂碳化硅长晶炉包括真空腔体、石墨坩埚、电离腔体和多个进气支路，其中，石墨坩埚设置在真空腔体内，石墨坩埚内装载有碳化硅粉末；电离腔体通过进气管连通到真空腔体；每个进气支路上按照气流流向设置有第一控制阀和质量流量控制器，其中，两个进气支路用于分别通入所需流量的含碳气体和含硅气体，电离腔体用于从含碳气体中电离出碳离子、从含硅气体中电离出硅离子，并输入真空腔体中、再扩散进入石墨坩埚中。这样，在等离子掺杂碳化硅长晶炉进行长晶的过程中精准控制碳与硅的浓度比，确保长晶品质的一致性，提高长晶的良率。
- 等离子掺杂碳化硅长晶炉
- [实用新型]碳化硅单晶生长坩埚-CN202223507035.3有效
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袁刚俊;苏兆鸣
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通威微电子有限公司
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2022-12-27
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2023-06-02
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C30B29/36
- 本实用新型提供一种碳化硅单晶生长坩埚，涉及长晶设备技术领域。碳化硅单晶生长坩埚包括坩埚侧壁、坩埚底壁、坩埚盖和辅助加热棒，坩埚侧壁与坩埚底壁围成容置腔，容置腔用于承载碳化硅粉末；坩埚盖盖合在坩埚侧壁的顶端，坩埚盖的内表面上形成长晶区，加热碳化硅粉末，使碳化硅粉末升华至长晶区、生长成碳化硅单晶；辅助加热棒连接在坩埚底壁上，辅助加热棒用于将坩埚底壁的热量传导至碳化硅粉末的内部，提高碳化硅粉末加热的均匀性。辅助加热棒为柱状，辅助加热棒的顶面直径小于辅助加热棒的底面直径，可以加快辅助加热棒从底部向上部传递热量的速度，提高坩埚内中心上方的碳化硅粉末的加热效率，进一步提高碳化硅粉末受热的均匀性。
- 碳化硅生长坩埚
- [实用新型]自冷式电极棒和长晶炉-CN202223411730.X有效
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袁刚俊;苏兆鸣
-
通威微电子有限公司
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2022-12-19
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2023-05-12
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C30B35/00
- 本实用新型提供一种自冷式电极棒和长晶炉，涉及长晶设备技术领域。自冷式电极棒包括电极棒主体和冷却管，电极棒主体为中空结构；冷却管插入电极棒主体中，冷却管伸出电极棒主体的一端为入口，冷却管插入电极棒主体的一端为出口，冷却管的外表面与电极棒主体的内表面形成冷却回路，使冷却液与电极棒主体的接触面积最大化，冷却液经过冷却管流入电极棒主体内部、再经过冷却回路从电极棒主体内流出，完成对电极棒主体的冷却，避免电极棒主体在使用过程中过热，保证电极棒主体的性能、提高使用寿命。
- 电极长晶炉
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