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[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置-CN202280015976.9在审
发明人： 芦泽宏明;滝沢亮人 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明中公开了作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件而被使用的复合结构物以及具备其的半导体制造装置。复合结构物包含：基材；及结构物，设置在所述基材上且具有表面，所述结构物作为主成分而含有Y4Al2O9，而且其压痕硬度大于6.0GPa，这样的复合结构物抗粒子性出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。
复合结构以及具备半导体制造装置

[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置-CN202280015978.8在审
发明人： 芦泽宏明;滝沢亮人 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明中公开了可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件及半导体制造装置。复合结构物具备：基材；及结构物，设置在所述基材上且具有暴露于等离子体环境的表面，所述结构物作为主成分而含有Y4Al2O9，而且晶格常数及/或X射线衍射的特定峰值的强度比满足特定条件，这样的复合结构物抗粒子性出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。
复合结构以及具备半导体制造装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201910440025.6有效
发明人：中村秀雄;芹泽洋介;出野由和;芦泽宏明;清水隆也;村上诚志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。
方法装置

[发明专利]结构物-CN201710888647.6有效
发明人： 芦泽宏明;清原正胜 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C04B35/553 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术课题在于提供可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有斜方晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝32.0°附近检测到的峰值强度为γ，在衍射角2θ＝32.8°附近检测到的峰值强度为δ时，峰值强度比γ/δ为0％以上、150％以下。
结构

[发明专利]结构物-CN201710889750.2有效
发明人： 芦泽宏明;清原正胜 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B35/553 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术课题在于提供包含钇氧氟化物且可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有菱面体晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝13.8°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r1，在衍射角2θ＝36.1°附近检测到的菱面体晶的峰值强度为r2，比值γ1为γ1(％)＝r2/r1×100时，所述比值γ1为0％以上、小于100％。
结构

[发明专利]基板载置方法和基板载置装置-CN201710661418.0有效
发明人：藤里敏章;芦泽宏明;门田太一;藤井康;布重裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的上升，在载置台(12)的上升停止规定时间后，重新开始载置台(12)的上升，之后，反复进行载置台(12)的规定时间的上升停止和载置台(12)的上升的重新开始，直到晶片(W)与载置面的抵接继续进行而使晶片(W)的整个面与载置面完全抵接为止。由此，能够抑制在将基板载置到载置台时基板发生偏移。
基板载置方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810400288.X有效
发明人： 芦泽宏明;藤井康;高桥毅;洪锡亨;山崎和良;中村秀雄;布重裕;神尾卓史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
方法装置

[发明专利]CMP修整器和其制备方法-CN200780035521.9无效
发明人：山下哲二;力田直树;木村高志;尾久雅治;芦泽宏明;鸠野广典;常田昌广 -专利权人：三菱综合材料株式会社;TOTO株式会社
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： B24B53/12 文献下载
摘要：本发明提供在磨粒周边部分具有优异耐腐蚀性的CMP修整器。对于在一面形成了磨粒固定于金属结合相中而成的磨粒层的磨石基体，在磨粒层的金属结合相表面利用溶胶凝胶法形成包含氧化物的第一保护层，接着向第一保护层的表面喷射在气体中分散脆性材料的微粒而成的气溶胶并使其碰撞来形成包含氧化物厚膜的第二保护层。
cmp 修整制备方法

[发明专利]薄刃刀片及其制造方法-CN200910007115.2无效
发明人：片山武志;胜又哲;花见隆之;鸠野广典;常田昌广;芦泽宏明 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： B24D5/12 文献下载
摘要：本发明提供薄刃刀片及其制造方法。本发明的薄刃刀片具备磨料(2)保持于结合剂相(1)的圆形薄板状的磨料层(3)，该磨料层(3)的至少结合剂相(1)的表面形成用溶胶凝胶法制成的氧化物膜作为第一保护层(4)，在该第一保护层(4)的表面形成结构为多晶且在其晶体之间的界面基本不存在包含玻璃层的晶界层的氧化物厚膜作为第二保护层(5)。
刀片及其制造方法

[发明专利]成膜方法、清洁方法和成膜装置-CN200780026409.9无效
发明人：村上诚志;小泉正树;芦泽宏明;小泉雅人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl₂气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl₂气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。
方法清洁装置

[发明专利]使用气溶胶制造被膜的方法、用于该方法的微粒、以及被膜和复合材料-CN200580009728.X无效
发明人：岩泽顺一;鸠野广典;芦泽宏明 -专利权人：东陶机器株式会社
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用气溶胶制造被膜的方法，该方法可以以极高的制膜速度形成膜质良好的被膜。在该方法中，首先将载气混合到以脆性材料作为主要成分构成的、以微粒个数为基准的50％平均粒径(D50)为100～300nm的微粒中，形成气溶胶。然后，将该气溶胶喷射到基材的表面使微粒与上述基材碰撞，通过该碰撞使微粒粉碎或变形，从而在基材上形成被膜。
使用气溶胶制造方法用于微粒以及复合材料

[发明专利]使用气溶胶制造被膜的方法、用于该方法的粒子混合物、以及被膜和复合材料-CN200580009712.9无效
发明人：岩泽顺一;鸠野广典;芦泽宏明;伊藤朋和;宫原香绪里 -专利权人：东陶机器株式会社
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用气溶胶制造被膜的方法，该方法可以以极高的制膜速度形成膜质良好的被膜。在该方法中，首先将载气与粒子混合物混合，形成气溶胶，该粒子混合物包含原料微粒和辅助粒子，所述原料微粒以脆性材料作为主要成分，并且以体积为基准的50％平均粒径(D50)是0.010～1.0μm，所述辅助粒子以与该原料微粒中的脆性材料同种类或不同种类的脆性材料作为主要成分，并且以体积为基准的50％平均粒径(D50)是3.0～100μm。然后，将该气溶胶喷射到基材的表面使粒子混合物与基材碰撞，通过该碰撞使原料微粒粉碎或变形，从而在基材上形成被膜。
使用气溶胶制造方法用于粒子混合物以及复合材料

[发明专利]半导体处理用的成膜方法-CN03800913.7无效
发明人：横井裕明;善光哲;芦泽宏明;桥本毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：半导体处理用的成膜方法包括：在将被处理基板(W)搬入处理室中之前，利用预涂敷被覆载置台(32)的预涂敷工序；在预涂敷工序后，将被处理基板(W)搬入处理室(21)中，在被处理基板(W)上形成主膜的成膜工序。预涂敷工序通过多次重复第1和第2工序，叠加多个弧形膜，形成预涂敷。在第1工序中，将第1和第2处理气体向处理室(21)中提供，在载置台(32)上形成包含金属元素的弧形膜。在第2工序中，将不包含金属元素的第2处理气体提供给处理室(21)中，将在第1工序中生成的形成弧形膜成分之外的副生成物，通过排气从处理室(21)中除去。
半导体处理方法

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