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[发明专利]等离子体处理装置用天线及使用该天线的等离子体处理装置-CN201180073203.8无效
发明人： 节原裕一;江部明宪 -专利权人：株式会社EMD
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种即使薄膜材料附着于表面，也能够抑制高频感应电场的屏蔽或强度的衰减的高频天线。高频天线（10）包括：线状的天线导体（13）；介电体制保护管（14），其设置于天线导体（13）的周围；以及堆积物屏（15），其是设置于介电体制保护管（14）的周围的屏，在天线导体（13）的长度方向的任意的线上，覆盖介电体制保护管（14）的至少1处且具有至少1个开口（153）。虽然薄膜材料附着于保护管及堆积物屏的表面，但是在天线导体的长度方向的至少1处中断。因此，在薄膜材料具有导电性的情况下，能够防止高频感应电场被屏蔽，在不具有导电性的情况下，能够抑制高频感应电场的强度衰减。
等离子体处理装置天线使用

[发明专利]等离子处理装置-CN201180042545.3有效
发明人： 节原裕一;江部明宪 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子处理装置，其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子，并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中，通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖，由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶，因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。
等离子处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201180037725.2有效
发明人： 节原裕一;江部明宪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;EMD株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子体中的电子的能量分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)具备：等离子体处理室(11)；与等离子体处理室(11)连通的等离子体生成室(12)；用于生成等离子体的高频天线(16)；用于控制等离子体中的电子的能量的等离子体控制板(17)；用于调整等离子体控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子体处理装置(10)中，仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子体控制板(17)之间的距离，就能够控制在等离子体生成室(12)内生成的等离子体的电子的能量分布，因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子体处理。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080011245.4有效
发明人： 节原裕一;西村荣一;江部明宪 -专利权人： EMD株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其中，在真空容器内形成强的高频感应电场且能够使等离子体的密度分布更加均匀，并且，能够防止因颗粒的发生或高频天线的导体的溅射而引起的基体污染。本发明的等离子体处理装置(10)是基于高频放电的感应耦合方式的等离子体处理装置，其特征在于，具备：真空容器(11)、在所述真空容器(11)的壁的内面(111B)和外面(111A)之间所设置的天线配置部(12)、配置于所述天线配置部(12)的且不卷绕成圈地形成终端的一个高频天线、将所述天线配置部(12)和所述真空容器的内部(112)隔开的电介质制的分隔件(15)，所述高频天线(13)的长度比该高频波的1/4波长的长度短。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080011018.1有效
发明人： 节原裕一;江部明宪 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器(11)的内部加以隔开。由此，与外部天线方式相比，能够在真空容器(11)内形成强感应电磁场。另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
等离子体处理装置

[发明专利]溅镀薄膜形成装置-CN200980133584.7有效
发明人： 节原裕一;江部明宪;韩铨建 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C23C14/40 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成：真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子，可促进电子供给至上述磁场内，故可以较快的速度进行溅镀处理。
薄膜形成装置

[发明专利]高频天线单元及等离子处理装置-CN200980107376.X有效
发明人： 节原裕一;江部明宪 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高频天线单元，其可在真空容器内产生高密度的放电等离子。本发明的高频天线单元的特征为，包括用以流动高频电流的高频天线(11)、被设置在高频天线之中位于真空容器内的部分的周围的绝缘体制作的保护管(12)、及上述高频天线(11)与上述保护管(12)之间的缓冲区域(13)。在此，“缓冲区域”表示抑制电子加速的区域，例如，可由真空或绝缘体形成。通过这种构成，因为可抑制在天线(11)及保护管(12)之间发生放电，故可在真空容器内产生高密度的放电等离子。
高频天线单元等离子处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200880115832.0有效
发明人： 节原裕一;江部明宪 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够高效率地利用所产生的等离子体的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)的特征在于，具备：真空容器(11)；设置成向真空容器(11)的内部空间(111)突出的天线(等离子体产生机构)支承部(12)；安装于天线支承部(12)的高频天线(等离子体产生机构)(13)。由此，安装高频天线的部分的面积变小，等离子体的利用效率提高。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子处理装置-CN200880115393.3有效
发明人： 节原裕一;江部明宪;井野英二;石原伸一郎;芦田肇;渡边亮 -专利权人： EMD株式会社;株式会社永创科技
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种等离子处理装置，其对平面状被处理基体进行等离子处理，离子的利用效率及均匀性优良、且生产性高。本发明的等离子处理装置包含：真空容器(11)；一个或多个的天线支撑部(等离子产生机构支撑部)(12)，其向真空容器(11)的内部空间(111)内突出而设置；高频天线(等离子产生机构)(13)，分别安装于天线支撑部(12)；以及一对的基体保持部(16)，其在真空容器(11)内夹着天线支撑部(12)而设置，用以保持平面状的被处理基体(21)。
等离子处理装置

[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法-CN200710162403.6有效
发明人：三宅正司;江部明宪;庄司多津男;节原裕一 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可在空间均匀生成高密度等离子体的等离子体生成装置，在真空容器(11)的侧壁设置多个天线(16)，相对3－4个天线(16)，经板状导体(19)并联连接1个高频电源。各天线(16)的导体长度比在真空容器内生成的感应电磁波的波长之1/4还短。通过如此设定天线导体的长度，可防止产生驻波，由此可防止损害真空容器的等离子体之均匀性。另外，因为通过使用板状导体(19)可高效放热，所以可抑制阻抗的上升。
等离子体生成装置控制方法制造

[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法-CN200710162401.7有效
发明人：三宅正司;江部明宪;庄司多津男;节原裕一 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可在空间均匀生成高密度等离子体的等离子体生成装置，在真空容器(11)的侧壁设置多个天线(16)，相对3－4个天线(16)，经板状导体(19)并联连接1个高频电源。各天线(16)的导体长度比在真空容器内生成的感应电磁波的波长之1/4还短。通过如此设定天线导体的长度，可防止产生驻波，由此可防止损害真空容器的等离子体之均匀性。另外，因为通过使用板状导体(19)可高效放热，所以可抑制阻抗的上升。
等离子体生成装置控制方法制造

[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法-CN200710162404.0有效
发明人：三宅正司;江部明宪;庄司多津男;节原裕一 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可在空间均匀生成高密度等离子体的等离子体生成装置，在真空容器(11)的侧壁设置多个天线(16)，相对3－4个天线(16)，经板状导体(19)并联连接1个高频电源。各天线(16)的导体长度比在真空容器内生成的感应电磁波的波长之1/4还短。通过如此设定天线导体的长度，可防止产生驻波，由此可防止损害真空容器的等离子体之均匀性。另外，因为通过使用板状导体(19)可高效放热，所以可抑制阻抗的上升。
等离子体生成装置控制方法制造

[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法-CN200380106117.8有效
发明人：三宅正司;江部明宪;庄司多津男;节原裕一 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可在空间均匀生成高密度等离子体的等离子体生成装置，在真空容器(11)的侧壁设置多个天线(16)，相对3－4个天线(16)，经板状导体(19)并联连接1个高频电源。各天线(16)的导体长度比在真空容器内生成的感应电磁波的波长之1/4还短。通过如此设定天线导体的长度，可防止产生驻波，由此可防止损害真空容器的等离子体之均匀性。另外，因为通过使用板状导体(19)可高效放热，所以可抑制阻抗的上升。
等离子体生成装置控制方法制造

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