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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310713143.6在审
  • 徐汉东;金宰佑;顾婷婷;薛兴坤;脱穷 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-14 - 2023-08-18 - H10B12/00
  • 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：多个沿第一方向以及第二方向间隔且呈阵列排布的存储单元，第一方向与第二方向均垂直于第三方向，且第一方向与第二方向的夹角小于90°，存储单元包括沿第三方向排布的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一端与第二晶体管的控制端电连接；沿第二方向延伸的第一字线以及沿第一方向延伸的第一位线，第一字线与第一晶体管的控制端电连接，第一位线与第一晶体管的第二端电连接；沿第一方向延伸的第二字线以及沿第二方向延伸的第二位线，第二字线与第二晶体管的第一端电连接，第二位线与第二晶体管的第二端电连接。至少可以提高存储单元阵列结构的集成密度。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN202310528523.2在审
  • 薛兴坤;崔相弦;脱穷;顾婷婷;李泽伦;徐汉东;王朝辉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-08-08 - H01L29/786
  • 本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体领域。该薄膜晶体管包括第一电极、第二电极、氧化物半导体层以及氢气扩散通道。其中，第一电极为薄膜晶体管的源电极或漏电极。第二电极为薄膜晶体管的漏电极或源电极。氧化物半导体层包括分别与第一电极和第二电极电连接的第一区域和第二区域。第一区域和/或第二区域中包括氢元素。氢气扩散通道与部分第一区域和/或部分第二区域接触，以用于将氢气扩散至第一区域和/或所述第二区域。本公开实施例至少有利于降低薄膜晶体管的源极和/或漏极与氧化物半导体层的接触电阻，提高薄膜晶体管的性能。
  • 薄膜晶体管及其制备方法
  •  1 
  • 共 4 条
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