专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置-CN201810063375.0有效
  • 李文武;黄凡铭;许洋;赵柯洋;赵浩迪;胡志高;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2018-01-23 - 2023-07-25 - G01N21/31
  • 本发明公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置,包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本发明借助光在抛物面结构内的传播特性,将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上,并在左焦点的左侧设置凹透镜,在右焦点设置电荷耦合元件,凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射,平行射入右侧抛物面金属壳内壁中,再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定,提高了测量的可重复性,做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量,具有结构简单,成本低,操作方便以及测量精准等优点。
  • 一种基于抛物面结构气体光谱测试装置
  • [发明专利]一种全氧化镓p-n结及其制备方法-CN202310551759.8在审
  • 胡志高;周鑫;邓梦晗;张金中;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2023-05-17 - 2023-07-21 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种全氧化镓p‑n结及其制备方法,能够在不同激光功率密度下实现快速紫外响应,所制备的全氧化镓p‑n结以镁掺杂氧化镓作为p型材料,本征氧化镓作为n型材料。制备过程如下:首先,在(0001)晶向的蓝宝石衬底上制备p型镁掺杂氧化镓薄膜;在此基础上,制备n型本征氧化镓薄;最后,借助热蒸发镀膜仪沉积金电极,至此完成全氧化镓p‑n结的制备。本发明所制备的全氧化镓p‑n结具有快速紫外响应,能够在无外偏置电压下自供电工作。
  • 一种氧化及其制备方法
  • [发明专利]一种掩膜版与样品的贴合及分离装置-CN201710196782.4有效
  • 李文武;黄凡铭;胡鸣;敬承斌;胡志高;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2017-03-29 - 2023-06-09 - H01L21/68
  • 本发明公开了一种掩膜版与样品的贴合及分离装置,它包括箱体、罩壳、磁力单元及支撑板,所述支撑板上设有弹簧,所述罩壳设于箱体的底部,且罩壳与箱体结合;所述支撑板设于罩壳内,支撑板上的弹簧与箱体连接。本发明采用在箱体内设置磁力单元、在支撑板上设置弹簧并罩壳上设置定位框的结构,借助掩膜版的铁磁性,通过磁力单元吸附与弹簧的压合使掩膜版和样品在定位框的限定下沿垂直方向实现贴合和分离。避免了掩膜版与样品间发生横向摩擦而造成的划伤,具有贴合精准度高,操作更为快捷方便的优点。
  • 一种掩膜版样品贴合分离装置
  • [发明专利]一种基于椭球结构的气体光谱测试装置-CN201710176551.7有效
  • 李文武;黄凡铭;胡鸣;敬承斌;胡志高;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2017-03-23 - 2023-05-12 - G01N21/01
  • 本发明公开了一种基于椭球结构的气体光谱测试装置,包括入射光处理单元、出射光处理单元及椭球测量单元;本发明借助光在椭圆球体结构内的传播特性,将出射光位置和感光器位置分别定在椭球测量单元的左焦点及右焦点上,并在左焦点右侧设置凹透镜,在右焦点上设置电荷耦合元件,凹透镜发出的光经过椭球测量单元的镜面多角度发散,通过气体样品后并反射入电荷耦合元件处,保证了经过椭球测量单元内气体样品的光程固定,该结构提高了测量的可重复再现性,做到了对气体样品等光程且多角度的光谱测量,具有结构简单,成本低,监测结果精准的优点。
  • 一种基于椭球结构气体光谱测试装置
  • [实用新型]一种地脚螺栓长度控制装置-CN202222223251.9有效
  • 纪任钦;张守棋;上官敏;胡志高;林乐;张干晓;陈永繁 - 中建海峡建设发展有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-02-10 - E04B1/41
  • 本实用新型涉及一种地脚螺栓长度控制装置,包括地脚螺栓的竖直部,延长杆;所述竖直部和延长杆均设置光滑段、外周螺纹段;所述竖直部和延长杆外周螺纹段的螺纹方向相反且通过高强螺母相连;所述高强螺母朝向所述延长杆的端面沿其长度方向设置有腔体Ⅰ;所述延长杆的光滑段转动连接有转盘Ⅰ,转盘Ⅰ上固定连接有竖杆Ⅰ,竖杆Ⅰ的自由端延伸至所述腔体Ⅰ内;所述腔体Ⅰ的宽度大于所述竖杆Ⅰ的宽度;所述竖杆Ⅰ自由端的外周沿其长度方向间隔设置若干限位槽Ⅰ;所述高强螺母朝向所述延长杆的端面还铰接有与任一所述限位槽Ⅰ均能配合的用于固定所述竖杆Ⅰ的扣件Ⅰ。本实用新型能根据不同混凝土基础高度,调整地脚螺栓的长度使二者相适配。
  • 一种地脚螺栓长度控制装置
  • [发明专利]一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法-CN202011163303.7有效
  • 李文武;高彩芳;聂倩帆;李梦姣;胡志高;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2020-10-27 - 2023-02-03 - H01L21/34
  • 本发明公开了一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法,所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。其制备方法首先使用机械剥离法用英格兰蓝色胶带从二维材料块材上剥离薄膜到Gelpak机械剥离专用PF凝胶膜,选择合适厚度且表面均匀的材料转移到硅/二氧化硅衬底上作为N型半导体沟道层。再剥离两块石墨烯薄膜分别转移到半导体层两端作为源、漏电极,最后利用掩模版通过热蒸发法蒸镀金电极,由此制备得到所述二维薄膜晶体管。本发明区别于其他二维器件制备工艺,无需复杂昂贵的电子束光刻,所用材料安全环保,成本低廉,不仅得到了以二维材料为源漏电极和沟道的微电子器件,而且从迁移率、开关比等方面优化了现有的二维晶体管。
  • 一种石墨漏电二维薄膜晶体管制备方法

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