专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]闪存及其制作方法-CN201410328532.8有效
  • 胡建强 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-07-10 - 2019-02-12 - H01L21/28
  • 本申请提供了一种闪存及其制作方法。该制作方法包括:步骤S1在半导体衬底的上表面上制作包含浮栅和控制栅的栅极结构,控制栅的上表面与半导体衬底的上表面的距离为H1;步骤S2在栅极结构的两侧制作侧墙、源极和漏极;步骤S3在源极和漏极上形成第一金属插塞;步骤S4回蚀第一金属插塞得到第二金属插塞,第二金属插塞的上表面与半导体衬底的上表面的距离为H2,且H2<H1;步骤S5在完成回蚀的半导体衬底上沉积介电材料,形成介质层。作为共源极的第二金属插塞上表面与半导体衬底间的距离小于控制栅的上表面与半导体衬底之间距离,因此,增大了字线接触孔与共源极之间的距离,有效解决由于电压过大产生漏电流的问题。
  • 闪存及其制作方法
  • [发明专利]钻孔装置-CN201710597749.2有效
  • 谭毅;郑孝纲;陆志鸿;胡建强 - 中广核核电运营有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
  • 2017-07-20 - 2019-01-25 - B23B45/14
  • 本发明提供了一种钻孔装置,包括:基座,能够固定于待钻孔工件上;本体,安装于所述基座上;移动机构,设置于所述本体上,所述移动机构能够朝向靠近或远离所述基座运动;及钻孔机构,设置于所述移动机构上,所述移动机构能够带动所述钻孔机构朝向靠近或远离所述基座运动;所述钻孔机构包括驱动件及钻具,所述驱动件与所述钻具传动连接,所述钻具朝向所述待钻孔工件伸出,所述驱动件驱动所述钻具对所述待钻孔工件钻孔。实现待钻孔工件的钻孔作业;钻孔装置各个零部件充分布置在高度空间上,而在水平空间上采用紧凑布置,缩小水平空间上的尺寸,特别适合小空间内的钻孔工作,在保证钻孔效果的同时,可有效避免触及相邻的待钻孔工件,保证设备安全。
  • 钻孔装置
  • [发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201410325537.5有效
  • 胡建强 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-07-09 - 2019-01-18 - H01L21/265
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成非掺杂多晶硅栅极层;对所述非掺杂多晶硅栅极层进行N型掺杂离子注入,以在所述非掺杂多晶硅栅极层的表面形成重掺杂N型掺杂离子层;刻蚀所述非掺杂多晶硅栅极层以形成栅极结构;进行P型掺杂离子源漏极离子注入,同时将所述重掺杂N型掺杂离子层转变为轻掺杂N型掺杂离子层;在所述半导体衬底的有源区和所述栅极结构之上形成金属硅化物。根据本发明的制作方法,在P型多晶硅栅极表面形成轻掺杂N型掺杂离子层,再形成金属硅化物层,可有效抑制由于之后的高温退火工艺导致的金属硅化物堆积问题的出现,进而提高了器件的性能和良率。
  • 一种半导体器件及其制作方法电子装置

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