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- [发明专利]一种HEMT器件-CN201610650111.6在审
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陈万军;王泽恒;信亚杰;施宜军;胡官昊;周琦;张波
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电子科技大学
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2016-08-09
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2017-01-04
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H01L29/778
- 本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种HEMT器件。与常规器件不同的是,本发明中自嵌位结构为在栅极的漏极一侧与AlGaN势垒层形成的凹槽型肖特基接触金属,并与源极之间进行电气连接。在器件工作时,是由肖特基接触金属部分和AlGaN势垒层共同形成的自嵌位结构来承受器件阻断电压,令栅下沟道处电势不随漏极电压的增加而改变,从而使栅极能够进一步减小、输出频率能进一步提高且输出功率进一步增强。与此同时,本发明所公布的制备工艺完全兼容传统工艺,不仅能应用于一般电路中,还有较强的频率性能,从而为GaN器件应用于毫米波电路领域奠定了坚实基础。
- 一种hemt器件
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