“胡夏融”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于低介电常数介质的SiCVDMOSFET器件-CN202210226980.1有效
发明人：李明玥;刘东;欧阳杰;蓝中;胡夏融 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低介电常数介质的SiCVDMOSFET器件，包括从下到上依次设置的N型衬底、N型外延层、CS层、JFET2区、JFET1区、基于低介电常数介质的台阶栅、多晶硅层、隔离氧化层、金属电极层；本发明通过采用低介电常数介质降低器件的栅漏电容和栅源电容，提升器件的开关速度；同时，利用P+Shielding区的屏蔽作用，降低了器件正向阻断时的介质层内部电场，提高了器件的可靠性，在保证器件栅极可靠与较低比导通电阻的前提下，进一步降低了器件的栅漏电容与栅源电容，使器件的开关频率进一步提高。
一种基于介电常数介质 sicvdmosfet 器件

[发明专利]一种双沟槽SiC MOSFET器件-CN202211123364.X在审
发明人：李明玥;刘东;鲁啸龙;卢山;欧阳杰;廖云滔;彭莉莎;胡夏融 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种双沟槽SiC MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域，该器件包括N型衬底、N型外延层、多晶硅区、L形栅源区、沟道区、P型屏蔽区、CSL区、N+接触区、厚栅氧化层、薄栅氧化层及隔离氧化层。本发明通过以上设计能改善SiC MOSFET反向导电性能、降低反向传导电压和避免双极退化现象；能减小SiC MOSFET的栅漏电容和栅源电容，提高SiC MOSFET的开关速度；能降低栅介质层中的最大电场，提升器件的可靠性。
一种沟槽 sic mosfet 器件

[发明专利]室内停车场定位方法-CN201610556233.9有效
发明人：王维博;林竞力;叶凯;胡夏融;郑永康;孙敬欢;余本富 -专利权人：西华大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H04W64/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽车定位方法，尤其是室内停车场定位方法，包括如下步骤：步骤一，对定位场景设置参考节点，采集参考节点的RSSI，建立由参考节点的坐标和参考节点的RSSI组成的Radio Map；步骤二，利用终端所采集到的RSSI与指纹库里的RSSI进行欧式距离运算；步骤三，欧式距离运算得到的最小的参考节点坐标即为目标所在位置。本发明提供的室内停车场定位方法定位场景的环境参数精确，数据采集工作量小，计算量小，定位精度高、成本低。
室内停车场定位方法

[实用新型]多功能门禁系统控制器-CN201620743198.7有效
发明人：王维博;林竞力;钟灿;叶凯;胡夏融;郑永康;余本富;孙敬欢 -专利权人：西华大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及门禁监控领域，特别是多功能门禁系统控制器，路由器分别与主服务器、终端、消防信号接口板和基板连接，基板分别与接口板和扩展板连接；该多功能门禁系统控制器可独立通信或冗余备份通信，采用更加安全、可靠的加密方法进行数据通信，每个门禁主机可通过基板与扩展板不同的组合方式控制多个门锁。
多功能门禁系统控制器

[实用新型]电子式互感器的数据同步装置-CN201620744975.X有效
发明人：王维博;叶凯;张栋;胡夏融;郑永康;余本富;孙敬欢 -专利权人：西华大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H04L7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子式互感器的数据同步技术领域，具体涉及一种电子式互感器的数据同步装置，包括ARM处理器、FPGA和光电模块RJ45；ARM处理器分别连接双口RAM、FPGA，ARM处理器与WiFi连接；所述的双口RAM另一端与FPGA连接；所述的FPGA还分别通过网卡芯片与光电模块RJ45连接。该装置是基于ARM和FPGA的嵌入式硬件平台，采用了改进的插值算法进行同步。
电子互感器数据同步装置

[发明专利]一种槽型功率MOSFET器件-CN201110097449.0无效
发明人：张波;胡夏融;罗小蓉;李泽宏;邓小川;雷天飞;姚国亮;王元刚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部，将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体，源极从器件底部引出。这不仅消除了源极的外延线电感，降低源极串联电阻，而且提供良好的导热通道利于器件的双面冷却。同时，延伸的源金属场板覆盖于轻掺杂漏区（LDD）之上，降低栅极末端的高电场峰值，并辅助轻掺杂漏区（LDD）耗尽降低栅漏电容。轻掺杂漏区、源金属场板及下方P-衬底的电荷平衡作用，使轻掺杂漏区的载流子浓度提高，器件导通电阻降至最低。本发明在保证低的比导通电阻的前提下降低了栅电荷，从而使得器件具有更低的功耗，具有良好的散热特性。
一种功率 mosfet 器件