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[发明专利]一种双向晶闸管及电子产品-CN201910954528.5有效
发明人： 胡勇海 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向晶闸管及电子产品，所述双向晶闸管包括：衬底；形成于所述衬底上的第一阱和第二阱，所述第一阱和/或第二阱上设置有用于载流子发射的触发区域，所述电子产品包括上述双向晶闸管，本发明公开的技术方案可以实现在双向晶闸管开启之前，形成尽可能低的过冲电压。
一种双向晶闸管电子产品

[发明专利]一种双向晶闸管及电子产品-CN201910954552.9有效
发明人： 胡勇海 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向晶闸管及电子产品，包括：衬底；及形成于所述衬底上的第一阱和载流子疏散结构；所述第一阱上设置有用于载流子发射的触发区域，所述载流子疏散结构用于将所述触发区域发射的载流子进行疏散，所述电子产品包括上述双向晶闸管，本发明公开的技术方案可以实现在双向晶闸管开启之前，形成尽可能低的过冲电压。
一种双向晶闸管电子产品

[发明专利]一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺-CN202111154291.6在审
发明人：吴中瑞;张栋;胡勇海;郗瑞千;赵盼;陆逸枫 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本申请实施例一种单向瞬态抑制二极管及工艺，所述二极管包括，第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一注入区和第二注入区；第一注入区设置在衬底正面，第二注入区设置在衬底背面，其中，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。在衬底正表面上依次从下到上设置有阻挡层和绝缘层；第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导电类型和第二导电类型不同，本申请以提高负浪涌的能力。
一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺

[实用新型]一种TVS管封装结构-CN202120638981.8有效
发明人：纪刚;俞江彬;胡勇海;徐冰;张韵东;郗瑞千 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TVS管封装结构，TVS裸芯的四周包围有白胶，白胶的成分包括硅树脂，其中的硅成分可以与TVS裸芯硅界面处的悬挂键结合，形成稳定的饱和键，从而有效减少了悬挂键的存在。在高温高压下，由于悬挂键的消失，气体分子将不被电离，也就无法产生多余电荷，从而保证了TVS裸芯的可靠性。消除外部电荷以及附加电场效应对TVS裸芯的影响。
一种 tvs 封装结构

[发明专利]浪涌保护器及其制作方法-CN201710453172.8在审
发明人： 胡勇海;纪刚;诸舜杰;钟添宾;顾建平 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种浪涌保护器及其制作方法。浪涌保护器包括晶闸管，晶闸管包括：N型半导体衬底、第一P型阱、第一N型阱，第二P型阱和第二N型阱；所述N型半导体衬底的顶部设有第一凹槽，所述第一P型阱设于所述第一凹槽中，所述第一N型阱设于所述第一P型阱中；所述第一N型阱作为所述晶闸管的阴极区；N型半导体衬底的底部设有第二凹槽，第二凹槽位于所述第一凹槽下方，第二P型阱位于所述第二凹槽中；第二P型阱沿第二P型阱的截面的宽度方向设有通孔，所述第二N型阱设于所述通孔中；当所述晶闸管导通时，所述第二N型阱用于收集所述阴极区发射的电子。本发明能有效减轻三极管与晶闸管之间的干扰问题，且大大减小了浪涌保护器的版图面积。
晶闸管浪涌保护器衬底阴极区通孔三极管导通减小制作发射

[发明专利]用于ESD保护的半导体器件-CN201280073470.X有效
发明人：林中瑀;代萌;胡勇海 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种用于静电放电保护的半导体器件，包括基底和形成在所述基底中的第一阱和第二阱。所述第一阱与第二阱并排设置，且在一个界面接触。第一阱和第二阱分别具有第一导电类型和第二导电类型。第一重掺杂区和第二重掺杂区形成于所述第一阱中。第三重掺杂区和第四重掺杂区形成于所述第二阱中。所述第一，第二，第三和第四重掺杂区分别具有第一，第二，第二和第一导电类型。所述第一重掺杂区和第二重掺杂区的位置是沿着平行于界面的方向上相互错开的。
用于 esd 保护半导体器件

[发明专利]静电释放保护结构及其制造方法-CN201210130387.3有效
发明人： 胡勇海;代萌;林忠瑀;汪广羊 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电释放保护结构，包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，具有第二导电类型；衬底接触区，设于衬底内，具有第一导电类型；阱区接触区，设于阱区内，具有第二导电类型；衬底反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第二导电类型；阱区反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第一导电类型；连通区，设于衬底和阱区的横向交界处；第一隔离区，处于衬底反掺杂区和连通区之间；第二隔离区，处于阱区反掺杂区和连通区之间；氧化层，一端设于第一隔离区上，另一端设于衬底上；场板结构，设于氧化层上。本发明还涉及一种静电释放保护结构制造方法。本发明可通过调节场板结构的宽度和位置来调整开启电压。
静电释放保护结构及其制造方法

[发明专利]扩展安全工作区的半导体器件-CN201310080572.0无效
发明人： 胡勇海 -专利权人： 胡勇海
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种扩展安全工作区的半导体器件，包括：场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极和体电极；电势关联电路，所述场效应晶体管的体电极经由该电势关联电路与所述栅极相连，以使所述体电极的电势与所述栅极的电势相关联。本发明能够避免HCI效应引起的器件退化问题，并进一步扩展场效应晶体管的安全工作区，降低开启电阻。
扩展安全工作半导体器件

[发明专利]一种BJT以及BiCMOS的制作方法-CN201110224765.X无效
发明人：青云;胡金节;李月影;胡勇海 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种BJT以及BiCMOS的制作方法，该BJT具有多晶硅发射极，在制作发射极时，采用两步刻蚀法，第一步干法刻蚀，以二氧化硅为停留层，不至于对单晶硅表面产生破坏；第二步湿法刻蚀，以Alpha型多晶硅为阻挡层，减少了湿法刻蚀中对二氧化硅层的横向腐蚀量，得到了比较好的窗口形态。从而使得发射区在做多晶硅离子注入及扩散时，可以得到比较好的表面浓度，改善了BJT的小电流退化。
一种 bjt 以及 bicmos 制作方法

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