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[发明专利]一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法-CN202010469381.3在审
发明人：郭颂;刘海洋;王铖熠;程实然;刘小波;张军;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法，法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和贴置在法拉第屏蔽板下端面的电阻丝；法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件；电阻丝的外表面设置有绝缘导热层；刻蚀工艺时，电阻丝通电加热。本发明当刻蚀工艺时，导通加热电路与电阻丝，使电阻丝通电温度升高，加热介质窗，减少产物的沉积量；由于电阻丝与介质窗直接接触，加热效率高，热量散失少，简化了设备结构；法拉第屏蔽板位于射频线圈与电阻丝之间形成屏蔽，可防止射频线圈与电阻丝之间产生耦合及放电；加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后，连接至电阻丝，有效防止射频线圈与电阻丝之间产生耦合。
一种法拉第屏蔽装置等离子体刻蚀系统及其使用方法

[发明专利]一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法-CN202010470678.1在审
发明人：郭颂;刘海洋;王铖熠;程实然;刘小波;张军;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法，所述法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和加热电路；所述法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件；所述加热电路用于刻蚀工艺时，通电加热法拉第屏蔽板。本发明当刻蚀工艺时，导通加热电路与法拉第屏蔽板，使法拉第屏蔽板通电温度升高，加热介质窗，减少产物的沉积量；由于法拉第屏蔽板与介质窗直接接触，加热效率高，热量散失少，简化了设备结构；当清洗工艺时，关闭加热电路与法拉第屏蔽板，法拉第屏蔽板接入屏蔽电源，对介质窗进行清洗；所述加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后，连接至法拉第屏蔽板，有效防止射频线圈与法拉第屏蔽板之间产生耦合。
一种法拉第屏蔽装置等离子体刻蚀系统及其使用方法

[实用新型]一种用于石英砂的高效率自动分拣线-CN202023210958.3有效
发明人： 胡冬冬 -专利权人：新沂市紫金硅业有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于石英砂的高效率自动分拣线，包括装置主体，所述装置主体包括主支撑架、分拣机机体、连接装置、固定座和电机，所述主支撑架的内部设置有分拣机机体，且主支撑架两侧的内壁上均设置有2个连接装置，所述分拣机机体的下方设置有固定座，且固定座的两侧均设置有电机，所述电机与分拣机机体连接，通过各个装置的相互合作，极大程度的提高了生产效率和生产精度，同时该装置结构简单，便于后期维护，同时在使用的过程中由于分拣机的机体是封闭式的，极大程度的减少了工人的尘肺病的风险，保证了工人的身体健康，同时连接装置与主支撑架的相互合作，极大程度的提高了分拣机机体的稳定性。
一种用于石英砂高效率自动分拣

[发明专利]一种防击穿离子源放电装置-CN202010441767.3在审
发明人：张瑶瑶;胡冬冬;张军;李娜;刘海洋;程实然;郭颂;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H05H3/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种防击穿离子源放电装置，包括放电室、线圈支撑、上绝缘固定块、放电构件和离子源腔室，放电构件包括一射频线圈、下导电连接件和上导电连接件；射频线圈固定在线圈支座上；线圈支座卡设在离子源腔室的底部内壁上；线圈支撑沿线圈支座的周向设置；射频线圈穿过线圈支撑；上导电连接件自射频线圈的外部，依次绕过射频线圈和线圈支座，并自线圈支座的底部伸入放电室底部；上绝缘固定块套设在上导电连接件上并固定在离子源腔室的底部内壁上。本发明通过增大上导电连接件和放电室底部的距离、下导电连接件和放电室底部的距离，解决了放电室被击穿的现象。
一种击穿离子源放电装置

[发明专利]一种用于静电吸盘上晶圆位置偏移的检测装置和检测方法-CN202111004423.7在审
发明人：王想;刘小波;孙宏博;窦阳;孙洋;胡冬冬;陈璐;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于静电吸盘上晶圆位置偏移的检测装置和检测方法，检测装置包括射频信号生成模块、电感(L)、电容(C1)、电容(C2)、电容(C3)、射频检测器、电阻(R1)、第一高压电源、射频匹配器、电极偏压电源、电阻(R2)和第二高压电源；射频检测器用于检测电容(C2)与电容(C3)连接点处的射频信号电压；如果射频检测器检测到的射频信号电压与基准电压之间的差值绝对值大于预设差值阈值，则判断晶圆位置已偏移，并且根据差值绝对值进一步判断偏移量。本发明能够在刻蚀作业过程中精确检测晶圆的位置是否偏移，并对偏移量进行估算，提高刻蚀精度和作业成功率。
一种用于静电吸盘上晶圆位置偏移检测装置方法

[实用新型]一种环保防尘的石英砂烘干装置-CN202023185153.8有效
发明人： 胡冬冬 -专利权人：新沂市紫金硅业有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： F26B17/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环保防尘的石英砂烘干装置，包括烘干装置本体、防尘装置、和控制装置和驱动装置，所述烘干装置本体底部设有防尘罩，所述防尘罩顶部设有进料口，且防尘罩顶部设有防尘装置，所述防尘罩底部侧面设有出料口，所述防尘罩侧面设有控制装置，所述防尘罩底部内部设有发热垫片和温度传感器，所述发热垫片通过连接线电性连接控制装置，所述烘干装置本体侧面设有驱动装置，所述防尘罩内部设有螺旋铲刀，所述螺旋铲刀通过转轴连接驱动装置，该种环保防尘的石英砂烘干装置极大的提升了对石英砂烘干的效率，且设有防尘装置，可以减轻灰尘对操作工人的危害，操作十分便捷。
一种环保防尘石英砂烘干装置

[发明专利]平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法-CN201811376951.3有效
发明人：许开东;车东晨;胡冬冬;崔虎山;刘自明;琚里;孙宏月;陈璐 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。该平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。本发明能够实现无损、无盲区地去除器件侧壁的黏附层和损伤层。
平行器件侧壁方向抛光密集装置方法

[实用新型]一种高纯石英砂高效熔炼设备-CN202023152517.2有效
发明人： 胡冬冬 -专利权人：新沂市紫金硅业有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C03B5/16 文献下载
摘要：一种高纯石英砂高效熔炼设备，包括：左支架、右支架、熔炼炉、搅拌装置，所述熔炼炉设置在左支架和右支架之间，所述搅拌装置设置在右支架上部，且所述搅拌装置的搅拌端设置在熔炼炉的内部，所述熔炼炉包括：炉体、加热层、保温层、隔热层，所述炉体设置在加热层的内部；所述加热层设置在保温层的内部，所述保温层设置在隔热层的内部。本实用新型所述的高纯石英砂高效熔炼设备结构设计简单，易于制造使用；采用多层保温，能够极大的减少能源消耗；搅拌装置与熔炼炉体同时相反的方向转动，能够保证搅拌均匀性，提高产品质量，且清洗时能够通过搅拌而易于清洗干净。
一种高纯石英砂高效熔炼设备

[发明专利]一种侧壁金属的刻蚀方法及其应用-CN202010395390.2在审
发明人：谷志强;冯英雄;车东晨;蒋中原;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：一种侧壁金属的刻蚀方法及其应用，属于半导体工艺技术领域。所述方法包括以下步骤：在待刻蚀台阶样品表面镀好Pd薄膜，镀膜厚度为45~55 nm；用离子束刻蚀机对样品进行刻蚀，刻蚀过程中，离子束刻蚀机样品台的倾角为45~85°，轰击能量为180~210 eV，刻蚀时间为17~25 min，刻蚀气体为惰性气体，刻蚀气体流量为15~40 sccm，直到侧壁的待刻蚀材料全部刻光刻蚀结束；将刻蚀后样品取出，即可进行后续工艺的操作。本发明所述方法采用纯物理刻蚀，不会引入其他反应元素，可以有效的提高台阶侧壁上材料与底部材料之间的刻蚀选择比，制造方法简单，能够有效提高生产效率。
一种侧壁金属刻蚀方法及其应用

[实用新型]一种增强导轴承冷却效果的结构-CN202121176892.2有效
发明人：温询;刘磊;胡冬冬;余强珍 -专利权人：重庆水泵厂有限责任公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： F04D29/046 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强导轴承冷却效果的结构，包括设置在定子上的导轴承以及设置在动子上与导轴承对位配合的轴套，轴套与导轴承之间具有第一间隙，介质浸入第一间隙中以润滑导轴承，其特征在于：所述轴套上段设有由螺旋凸台沿轴向螺旋形成的螺旋槽，螺旋槽的旋向与动子转动方向相适配，以使得轴套随动子转动时对介质进行增压，使介质能够沿间隙从上往下流动。本实用新型能够带走润滑导轴承的介质的热量，增强冷却效果。
一种增强轴承冷却效果结构

[实用新型]一种高度可调节聚焦环及等离子体刻蚀设备-CN202121290748.1有效
发明人：李娜;韩大健;张怀东;胡冬冬;王海东;程实然;郭颂;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高度可调节聚焦环及等离子体刻蚀设备，该高度可调节聚焦环包括上聚焦环(41)和下聚焦环(42)，该上、下聚焦环(42)之间配置有高度调节适配副(A)，以调节上聚焦环(41)相对于下聚焦环(42)的高度；至少部分上聚焦环(41)位于下聚焦环(42)的上方，且该部分上聚焦环(41)的下表面与下聚焦环(42)的上表面之间配置有径向阻隔适配副(B)，并配置为：在高度调节的行程范围内，构建聚焦环径向内外侧的气流阻隔。应用本方案，可根据需要调节上聚焦环(41)上表面的高度，从而满足不同使用工况的工艺需求，具有较好的可适应性，并可获得良好的晶圆工艺稳定性。
一种高度调节聚焦等离子体刻蚀设备

[实用新型]一种制备高纯石英砂的新型粉碎分选装置-CN202023210425.5有效
发明人： 胡冬冬 -专利权人：新沂市紫金硅业有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B02C21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备高纯石英砂的新型粉碎分选装置，包括装置本体和工作箱，所述装置本体上设有固定箱，所述固定箱与装置本体固定连接，所述固定箱上设有连接柱，所述连接柱与固定箱固定连接，所述连接柱上设有动力箱，所述动力箱与连接柱固定连接，所述装置本体上设有盖板，所述盖板通过铰链与装置本体固定连接，所述装置本体上设有卡块，所述装置本体通过卡块与盖板固定连接，所述装置本体内设有工作箱，所述工作箱与装置本体固定连接，所述装置本体底部设有万向轮，所述万向轮与装置本体固定连接，涉及粉碎分选技术领域。该一种制备高纯石英砂的新型粉碎分选装置，极大的提高了粉碎的完整性，分选更加的便捷，有效的降低了工作难度。
一种制备高纯石英砂新型粉碎分选装置

[发明专利]一种等离子刻蚀机及其使用方法-CN202010354739.8在审
发明人：郭颂;刘海洋;王铖熠;李娜;刘小波;张军;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明提出了一种等离子刻蚀机及其使用方法，该等离子刻蚀机包括一刻蚀腔体和一加热板；刻蚀腔体的敞开端固定一陶瓷介质窗；陶瓷介质窗的上方固定一产生等离子体的等离子体耦合线圈；加热板固定在一屏蔽罩内；屏蔽罩的下端敞开；屏蔽罩位于刻蚀腔体的上方且固定在刻蚀腔体上；加热板固定在陶瓷介质窗朝向等离子体耦合线圈的表面；加热板上开设用于供等离子体穿过的预留间隙；加热板通过一供电电路连接一加热电源。本发明将加热板直接贴合在陶瓷介质窗上，通过对加热板通电以对陶瓷介质窗直接进行加热。因此加热板的加热效率高，热量散失少，避免屏蔽罩的过热现象，无需在屏蔽罩外增设保护罩。
一种等离子刻蚀及其使用方法

[实用新型]一种用于石英砂的高效破碎设备-CN202023210420.2有效
发明人： 胡冬冬 -专利权人：新沂市紫金硅业有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B02C4/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于石英砂的高效破碎设备，包括机体和碾压辊，所述机体顶部设有进料口、液压推动器和水箱，所述机体上设有出料口、雾化喷头和移动槽孔以及引料座，所述移动槽孔位于机体的两侧，所述移动槽孔上嵌合有连接套，所述连接套两侧设有限位扣，所述连接套通过限位扣嵌合于移动槽孔内，所述连接套上焊接有固定架。石英砂的碾压辊采用升降式结构，通过液压推动器带动碾压辊的纵向位置移动，通过沙粒的挤压，使得较大的沙粒可通过碾压座由出料口排出，的避免了人工停机、开机以及颗粒移除的繁琐流程和耗时耗力的问题，同时本机体上安装有雾化喷头，可通过雾化喷头的喷淋来实现降尘的效果，避免了灰尘由出料口排出，造成污染的问题。
一种用于石英砂高效破碎设备

[发明专利]一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法-CN202010333514.4在审
发明人：谷志强;吴志浩;车东晨;冯英雄;韩大健;蒋中原;吴愧;许开东;胡冬冬 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，属于半导体加工技术领域。所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层，所述方法包括以下步骤：将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔，通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料。待第一组刻蚀气体刻蚀结束后，向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀余下部分pGaN层材料，刻蚀结束后取出样品。本发明所述方法能够选择性刻蚀pGaN并停止在AlGaN层，该刻蚀工艺对AlGaN层的刻蚀量小于2 nm。
一种刻蚀 gan 电子迁移率晶体管异质结方法