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[发明专利]外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法-CN201811502962.1有效
发明人：中村郁浩;蛇川顺博;南出由生;宫崎裕司 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法。提供能够改善外延层形成时的膜厚均匀性控制的鲁棒性的外延生长装置。根据本发明的外延生长装置（100）是，一种外延生长装置，其特征在于，具有：载置半导体晶片（W）的基座（20）、向半导体晶片（W）的上表面供给第1工艺气体（G1）的第1气体供给部（150）、以及供给对半导体晶片（W）的周缘部中的第1工艺气体（G1）的气流进行控制的第2工艺气体（G2）的第2气体供给部（170），配设第2气体供给部，以使同时供给第1和第2工艺气体（G1）、（G2）时的第2工艺气体（G2）的气流的主流路（F）流入到基座（20）上并且该主流路与半导体晶片（W）的周缘隔离。
外延生长装置使用半导体晶片制造方法

[发明专利]硅晶圆的品质评价方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆-CN201611007661.2有效
发明人：西村雅史;田中宏知 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供可检出在硅晶圆的凹槽端面存在的微小加工损伤的硅晶圆的品质评价方法、硅晶圆的制造方法和硅晶圆。本发明涉及硅晶圆的品质评价方法，其是评价在硅晶圆的凹槽端面存在的加工损伤的硅晶圆的品质评价方法，其特征在于，在900℃以上且1150℃以下的第1温度下对评价目标的硅晶圆实施第1热处理，接着在1100℃以上且1200℃以下的第2温度下实施第2热处理后，实施蚀刻速率为1.3μm/分钟以下的选择蚀刻处理，接着检出在凹槽端面上显露的氧化诱生层错。
硅晶圆品质评价方法制造

[发明专利]承载环、磨削装置及磨削方法-CN201680058946.0有效
发明人：西村好信 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B24B7/17 文献下载
摘要：本发明提供一种承载环、磨削装置及磨削方法。两头磨削装置具备：具有能够支承硅晶圆(W)的支承孔(241)的圆板状的承载环(2)；以承载环(2)的中心(C1)为旋转轴来旋转该承载环(2)的旋转机构；具有磨削硅晶圆(W)的磨石的磨削轮(4)，其中，支承孔(241)形成为该支承孔(241)的中心(C2)相对于承载环(2)的中心(C1)偏心的圆形。
承载磨削装置方法

[发明专利]硅单晶的制造方法-CN201811203581.3有效
发明人：金原崇浩;片野智一 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：使用提拉装置来制造硅单晶的硅单晶的制造方法，所述提拉装置具备室、在室内设置的石英坩埚(3A)和以包围石英坩埚(3A)的方式配置并加热石英坩埚(3A)的加热器(5)，其中，在提拉装置中形成有：将导入至提拉装置内的气体从加热器(5)的上部排气的上部排气口(16A)、和从加热器(5)的下部排气的下部排气口(16B)，且使1:3≤从上部排气口(16A)的气体排气量:从下部排气口(16B)的气体排气量≤6:1。
硅单晶制造方法

[发明专利]抛光头及使用其的晶片抛光装置及抛光方法-CN201980033238.5在审
发明人：中野裕生;杉森胜久;小佐佐和明;梶原治郎;山本胜利;木原誉之;寺川良也 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题在于抑制晶片外周部的抛光压力的起伏而实现高平坦化。其解决方案为，本发明的晶片抛光装置的抛光头(10)具备能够独立地控制用于按压晶片(W)的中心部的中心部控制压力(Pc)与用于按压晶片(W)的外周部的外周部控制压力(Pe)的膜头(16)、与该膜头(16)连为一体以构成膜头(16)的外周部的外环(17)及设置在膜头(16)的外侧的接地型保持器圈(14)，膜头(16)具有控制中心部控制压力(Pc)的单室结构的中心部压力室(R1)及设置在中心部压力室(R1)的上方且控制外周部控制压力(Pe)的外周部压力室(R2)，外环(17)的下端的位置至少到达中心部压力室(R1)的内侧底面(S1)的位置，外环(17)的上端的位置至少到达中心部压力室(R1)的内侧上表面(S2)的位置。
抛光使用晶片装置方法

[发明专利]单晶的制造方法和装置-CN201780047576.5有效
发明人：西冈研一 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C30B13/32 文献下载
摘要：本发明的课题在于在基于FZ法的硅单晶的制造中防止切换为基于支撑机构的支撑之后产生晶体弯曲。解决方案为，具有：一边使以一点支撑晶种(2)的下端的晶轴(13)旋转，一边使单晶(3)向晶种(2)的上方生长的步骤；在单晶(3)生长为规定的晶体形状的阶段，使支撑机构与单晶(3)的锥形部(3b)的外周面抵接而由基于晶轴(13)的支撑切换为基于支撑机构的支撑的步骤；在完成切换为基于支撑机构的支撑的操作之后，以固定支撑机构的垂直方向的位置的状态使晶轴(13)下降而增强支撑机构对单晶(3)的压入的步骤；和一边以支撑机构支撑单晶(3)一边使单晶(3)生长的步骤。
制造方法装置

[发明专利]石英坩埚的透过率测定方法及装置-CN201980033232.8在审
发明人：清水泰顺;高梨启一;藤田刚司;北原江梨子;福井正德 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够准确地测定石英坩埚的透过率的测定方法及测定装置。其解决方案为，从配置在石英坩埚的一个壁面（1Wa）侧的光源（5），向石英坩埚的规定测定点照射平行光，在石英坩埚的另一个壁面（1Wb）侧的以另一个壁面（1Wb）上的平行光的出射点P为中心的同心圆（C０）上的多个位置配置检测器（6），并在多个位置测定石英坩埚的透射光的受光水准，根据在多个位置测定的透射光的多个受光水准，求出在规定测定点下的石英坩埚的透过率。
石英坩埚透过测定方法装置

[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅-CN201680061735.2有效
发明人：横山龙介;藤原俊幸 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201780017529.6有效
发明人：林三照;杉村涉;小野敏昭;藤原俊幸 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明在基于切克劳斯基法的单晶硅的制造方法中，一边防止晶体弯曲或防止由熔液分离引起的单晶化率的下降，一边抑制用作外延硅晶片的基板材料时的外延缺陷的产生。单晶硅的制造方法包括：主体部培育工序，培养晶体直径维持为恒定的主体部(3c)；及尾部培育工序，培养晶体直径逐渐减小的尾部(3d)。使用水冷体(18)来冷却从硅熔液(2)提拉的单晶硅(3)，所述水冷体(18)位于比热遮蔽体(17)的下端(17b)靠上方的位置且配置在热遮蔽体(17)的内侧，所述热遮蔽体配置在石英坩埚(11)的上方。在尾部培育工序中，从尾部(3d)的生长开始时至结束时，以与主体部生长结束时的提拉速度相同的提拉速度来提拉单晶硅(3)。
单晶硅制造方法

[发明专利]半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法-CN201710594191.2有效
发明人：奥山亮辅 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明的半导体外延晶片(100)的制造方法的特征在于，具有：第一工序，对半导体晶片(10)的表面(10A)照射簇离子(12)，在该半导体晶片的表面部形成上述簇离子的构成元素固溶而成的改性层(14)；第二工序，在上述半导体晶片的改性层(14)上形成外延层(18)；其中，进行上述第一工序，以使上述改性层(14)的厚度方向的一部分成为无定形层(16)，并且使该无定形层(16)的上述半导体晶片表面侧的表面(16A)的平均深度为从上述半导体晶片表面(10A)起20nm以上。
半导体外延晶片制造方法以及固体摄像元件

[发明专利]双面研磨装置-CN201780030616.5有效
发明人：江崎圭佑 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B24B37/12 文献下载
摘要：本发明在上平板(12)和下平板(13)的各内周部，分别形成上平板(12)的研磨面朝向上平板(12)的内周部向上方倾斜的内周侧切去部（X 1）和下平板(13)的研磨面朝向下平板(13)的内周部向下方倾斜的内周侧切去部（Y 1），或在上平板(12)和下平板(13)的各外周部，分别形成上平板(12)的研磨面朝向上平板(12)的外周部向上方倾斜的外周侧切去部（X 2）和下平板的研磨面朝向下平板的外周部向下方倾斜的外周侧切去部（Y 2），或将它们全部形成。
双面研磨装置

[发明专利]半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法-CN201980025203.7在审
发明人：村上贤史;高梨启一 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片的评价方法，包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对上述轮廓曲线进行二次微分，评价对象的半导体晶片为在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，上述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓，该半导体晶片的评价方法还包括基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价上述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。
半导体晶片评价方法制造

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201680068989.7有效
发明人：金大基 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的单晶硅的制造方法具备：熔解工序，通过由加热部加热容纳有硅的石英坩埚来熔解硅；浸渍工序，使籽晶与石英坩埚内的硅熔体接触；及提拉工序，通过提拉籽晶来生长单晶硅，提拉工序中，在加热部的电力消耗量达到10000kwh以上之后开始形成单晶硅的直体部，并生长单晶硅整体。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶的制造方法-CN201710108491.5有效
发明人：细田浩二;古川纯 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶的制造方法，其为一种利用在供给有惰性气体的腔室(11)内配置坩埚(15)及气体整流筒(17)的单晶提拉装置(10)，依据切克劳斯基法从坩埚内的半导体熔融液(L)提拉半导体单晶(C)的方法，其中，气体整流筒的下端邻近配置在半导体熔融液表面，气体整流筒的内表面朝向下方缩径，气体整流筒的内表面下端成为最邻近半导体单晶表面的大致圆周状最邻近部(17b)，并且进行了倒角，调整在最邻近部与半导体单晶之间流动的惰性气体的流速来控制晶体中的氧浓度。
制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201680066198.0有效
发明人：梶原薰;末若良太;田中英树;金原崇浩 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造碳浓度较低的单晶硅的单晶硅的制造方法。一种基于切克劳斯基法的单晶硅的制造方法，其具备：原料熔解工序，使用碳加热器（15），对石英坩埚（11）内的硅原料进行加热而生成硅熔液（5）；及晶体提拉工序，从通过原料熔解工序生成的硅熔液（5）中提拉单晶。在原料熔解工序中，将位于比石英坩埚（11）的上端（11a）更靠上方的加热器（15）的第1部分（15zu）的最高表面温度维持为小于1500℃而对硅原料进行加热。
单晶硅制造方法