“肖天金”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果65个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种母线槽与插接箱的安装结构以及母线槽系统-CN202220132523.1有效
发明人：黎汉华;黄剑远;肖天金;吴小任 -专利权人：施耐德电气（中国）有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H02G5/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种母线槽与插接箱的安装结构以及母线槽系统，该安装结构包括安装构件、配合构件及吊具，安装构件用于设置于母线槽；配合构件用于设置于插接箱，插接箱通过配合构件与安装构件配合连接；吊具的一端连接于插接箱或安装构件，吊具的另一端连接于母线槽上方的安装基础，以使插接箱或安装构件两端的受力趋于平衡；上述母线槽与插接箱的安装结构通过吊具分担母线槽的侧板的受力，避免插接箱与母线槽垂直安装时带来的母线槽侧板集中受力的情况，从而实现大电流插接箱在母线槽上的垂直安装，防止大电流插接箱对于母线槽上相邻的插接口的干扰，使母线槽上相邻两个插接口可以同时安装插接箱，达到充分利用母线槽上的插接口的目的。
一种母线槽插接安装结构以及系统

[实用新型]用于插接式母线的导体装置和插接式母线-CN202120887036.1有效
发明人： 肖天金;黄剑远 -专利权人：施耐德电气工业公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种用于插接式母线的导体装置和插接式母线。导体装置包括：导体主体(12)，其由铝材制成；以及分接头(14)，其被附接至导体主体(12)，分接头(14)包括由铝材制成的分接头主体(142)以及至少部分地覆盖分接头主体(142)的外表面的接头区(144)，其中接头区(144)包括铜‑铝材料并且适于与取电插爪(70)配合以从导体主体(12)提取电力。根据本公开实施例的用于插接式母线的导体装置和插接式母线能够提高热传导效率，延长产品的使用寿命。
用于插接母线导体装置

[实用新型]母线槽-CN201920934161.6有效
发明人：黄剑远;肖天金 -专利权人：施耐德电气工业公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H02G5/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种母线槽。该母线槽包括相互平行的第一侧板和第二侧板以及中间板。中间板被一体地形成在第一侧板和第二侧板之间以将第一侧板和第二侧板之间的空间分隔成第一容纳部和第二容纳部，以用于分别容纳母线槽中的母线的多个相线。以此方式，提供了一种制造简单且易于散热的母线槽。
母线槽

[发明专利]改善激光退火热分布的方法-CN201410428585.7有效
发明人：邱裕明;肖天金;曹坚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善有源区退火热分布的方法，包括：在芯片版图的有源区图层中定义出冗余图形的填充区域和禁止填充区域，在填充区域中填充冗余图形；在禁止填充区域中根据相邻有源区间距的大小定义出有源区稀疏区域和有源区密集区域，其中有源区稀疏区域和有源区密集区域均包括有源区和围绕所述有源区的浅沟槽隔离区；以及以尺寸小于冗余图形的辅助图形替换部分的所述有源区稀疏区域的浅沟槽隔离区的图形以在对有源区退火时增加所述有源区稀疏区域的热吸收。本发明改善有源区温度分布的均匀性，从而提高器件的整体性能。
改善激光火热分布方法

[实用新型]母线槽的接头结构及母线槽-CN201921429971.2有效
发明人：黄剑远;容健彬;肖天金 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H02G5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种母线槽的接头结构及母线槽。接头结构包括第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板均具有中央板以及位于中央板两侧的从中央板突出的第一侧壁和第二侧壁，其特征在于，所述接头结构还包括设置在中央板的朝向母线直身的内表面上的粘条，并且中央板的两条短边朝向母线直身倾斜。
母线槽接头结构

[实用新型]插接箱-CN201921232158.6有效
发明人：黎汉华;宋显凤;黄剑远;李宁;肖天金 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H02G5/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种插接箱，包括：插爪，其构造为插接到母线槽的直身插接口，以将电流从直身引导到插接箱；开关，其通过电缆联接到插接箱外部的用电设备；连接铜排，其连接所述插爪和所述开关，以将电流从插爪引导到开关；以及散热导板，其一端安装到连接铜排，其另一端延伸到插接箱的箱体侧壁并安装在箱体侧壁上。根据本实用新型的插接箱能够提升普通插接口的载流能力，解决大电流插接箱散热困难、温升过高的问题。
插接

[实用新型]母线槽的接头结构及母线槽-CN201921429553.3有效
发明人：黄剑远;肖天金;容健彬 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H02G5/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种母线槽的接头结构及母线槽。接头结构包括：螺杆，其至少一部分为方形；第一盖板，其具有使螺杆穿过的第一方形开口；第二盖板，其具有使螺杆穿过的第二方形开口；多个隔板，堆叠地设置在第一盖板和第二盖板之间，每个隔板具有中间方形孔，以供螺杆穿过，每个隔板具有从第一表面突出的第一方形配合件和从第二表面突出的第二方形配合件，在接头结构装配期间，位于最上方的隔板的第一方形配合件插入第一盖板的第一方形开口中，位于最下方的隔板的第二方形配合件插入第二盖板的第二方形开口中，对于相邻的两个隔板，位于下方的隔板的第一方形配合件插接到位于上方的隔板的第二方形配合件中。
母线槽接头结构

[发明专利]用于钨沉积前的接触孔表面的处理方法-CN201610985481.5有效
发明人： 肖天金;钟斌;高林;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于钨沉积前的接触孔表面的处理方法，包括：第一步骤：对半导体器件晶圆的硅衬底执行接触孔干法刻蚀，形成接触孔；第二步骤：对形成的接触孔进行第一次湿法清洗以去除接触孔表面的杂质；第三步骤：通过离子注入，在接触孔表面形成的非晶态层，从而，使接触孔表面残留的聚合物的结构变得疏松，在后续湿法清洗中易于剥落；第四步骤：对接触孔进行第二次湿法清洗以去除接触孔表面的残留杂质和接触孔表面的非晶态层；第五步骤：对接触孔进行接触孔金属填充。
用于沉积接触表面处理方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201410427369.0有效
发明人： 肖天金;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括依次进行：在半导体衬底中形成沟槽、在沟槽中形成线形氧化层、在沟槽内填充隔离介质层和高温退火，其中，形成线形氧化层的方法包括：在沟槽的内表面沉积氮化层；氧化氮化层，在沟槽的内表面形成氮氧化层。沉积了氮化层之后再进行氧化，可以圆滑沟槽表面和缓解沟槽内的应力，还可以避免直接对沟槽侧壁进行氧化对沟槽侧壁材料的严重损耗，进而增加了后续退火过程中含氧基团或形成的H₂O向半导体衬底中的扩散的难度；氮氧化层可以作为后续沟槽填充的过渡性材料，还可以有效阻止后续退火过程中含氧基团或形成的H₂O的扩散到沟槽侧壁的衬底，避免对有源区边界的氧化，从而减少有源区临界尺寸的缩小。
沟槽隔离结构制备方法

[实用新型]母线槽插接箱的安装装置和母线槽插接箱-CN201820881559.3有效
发明人： 肖天金;黎汉华;黄剑远 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H02G5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种母线槽插接箱的安装装置和母线槽插接箱。所述安装装置用于使母线槽插接箱水平旋转安装到母线槽，其特征在于，所述安装装置包括：枢转轴组件，其固定安装到母线槽，具有枢转轴线；定位组件，固定安装到插接箱，在插接箱的安装期间，定位组件首先安装到枢转轴组件，并且定位组件在安装期间始终绕所述枢转轴线相对于枢转轴组件枢转运动，使得插接箱能够绕枢转轴轴线枢转，从而将插接箱安装到母线槽。
母线槽插接箱安装装置插接箱枢转轴定位组件母线槽枢转轴线本实用新型枢转运动水平旋转枢转

[实用新型]用于母线槽插接箱的固定装置及包括其的插接箱组件-CN201820619912.0有效
发明人：黎汉华;曾伟清;黄剑远;肖天金 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H02G5/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于母线槽插接箱的固定装置及一种包括其的插接箱组件。该固定装置用于将母线槽插接箱固定到母线槽，且包括：固定架；驱动杆；以及第一夹紧机构和第二夹紧机构，其设置在驱动杆的两侧；其中，第一夹紧机构包括：第一夹紧件，其绕第一枢转轴线在第一联接点处枢接于固定架；第一传动杆，其绕第二枢转轴线枢接于固定架，并且其一端联接到驱动杆；第二传动杆，其在第二联接点处联接到第一传动杆的另一端，其另一端在第三联接点处联接到第一夹紧件；其中，驱动杆的平移驱动第一夹紧机构和第二夹紧机构，以使固定装置在夹紧状态和释放状态之间转换。该固定装置特别适用于具有可变壳体高度的母线槽。
固定装置夹紧机构驱动杆母线槽插接箱传动杆固定架枢转轴线插接箱夹紧件联接点母线槽本实用新型夹紧状态平移驱动接点处可变处枢壳体三联枢接释放转换

[实用新型]用于母线槽连接器的导电板及母线槽连接器-CN201820618167.8有效
发明人： 肖天金;黄剑远 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H02G5/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于母线槽连接器的导电板，所述导电板(10)包括：导电板本体(101)，所述导电板本体在纵长方向上延伸并且在纵长方向上包括两个端部(101a、101b)；拱起部分(102)，所述拱起部分位于导电板本体的两个端部之间并且在横向方向上从导电板本体(101)拱起，该拱起部分与导电板本体之间具有一高度差(h)；导向部分(103)，所述导向部分通过在导电板本体的两个端部处朝向与拱起部分(102)的拱起方向相反的方向以一角度(α)倾斜而形成。本实用新型提出的用于母线槽连接器的导电板结构简单、加工成本低廉，而且能够提高母线安装效率。
导电板拱起母线槽连接器本实用新型纵长导电板结构方向相反横向方向母线安装高度差延伸加工

[实用新型]用于母线槽的插接装置及包括该插接装置的母线槽-CN201820618170.X有效
发明人： 肖天金;黄剑远 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H02G5/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于母线槽的插接装置，包括：基座(10)，安装在母线槽上并且包括多个插接口(100a、100b)；盖板(11)，固定连接到所述基座并且在与每个插接口对齐的位置处设有相应的贯穿盖板的盖板槽孔(110a、110b)；隔板(12)，设置在所述基座和所述盖板之间并且具有与每个盖板槽孔相应的贯穿隔板的隔板槽孔(120a、120b)；门盖(13)，用于封闭所述插接装置，所述门盖可旋转地连接于所述基座(10)；并且所述插接装置装配后所述隔板能够在隔板槽孔与相应的盖板槽孔互相对齐的打开位置和隔板槽孔与相应的盖板槽孔彼此错开的关闭位置之间移动。本实用新型提出的用于母线槽的插接装置能够实现电气隔离，保证操作人员的人身安全。本实用新型还涉及包括该插接装置的母线槽。
插接装置母线槽盖板槽隔板本实用新型隔板槽孔盖板对齐插接口门盖彼此错开电气隔离人身安全地连接可旋转位置处贯穿装配封闭移动保证

[发明专利]一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法-CN201510703870.X有效
发明人： 肖天金;崇二敏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法。一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法，方法包括：步骤S1：提供一衬底，在衬底上形成虚拟氮化硅栅极；步骤S2：根据虚拟氮化硅栅极，形成PMOS金属栅极；步骤S3：根据虚拟氮化硅栅极，形成NMOS金属栅极。
一种用于虚拟栅极氮化制备方法

[发明专利]离子注入设备及监控方法-CN201610608697.X有效
发明人：邱裕明;肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入设备及其监控方法，包括：工艺腔体和位于工艺腔体内的承载台，所述承载台用于放置监控半导体衬底，还包括：电磁场提供单元，设置在承载台的两侧，用于在承载台两侧形成电磁场，所述电磁场用于在监控离子注入设备时过滤离子束中的二次电子；接地单元，用于在监控离子注入设备时将监控半导体衬底接地；电子计数器，与所述接地单元电连接，用于在监控离子注入设备时计算监控半导体衬底中的掺杂离子的剂量。本发明解决了利用监控半导体衬底进行高能离子注入监控时由于半导体衬底自身差异、退火工艺不稳定、测量机台不稳定等外界干扰，并且，能够检测检测半导体衬底中实际的掺杂离子的剂量。
离子注入设备监控方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 65 条