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[发明专利]发光二极管和隧道结层的制造方法-CN201810501874.3在审
发明人：鹈沢旭;濑尾则善;松村笃;粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。
隧道层发光层发光二极管隧道结层发光元件层发光部层发光功率同一波长隧道结层积发光制造

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201280013022.0有效
发明人：村木典孝;粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供以均匀的膜厚形成保护膜及其上的电极膜的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在上部具有平坦部和台面型结构部，该台面型结构部具有倾斜侧面和顶面，平坦部和台面型结构部各自至少一部分由保护膜、电极膜依次覆盖，倾斜侧面通过湿式蚀刻形成，且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部的至少一部分、倾斜侧面、顶面的周缘区域，并且俯视在周缘区域的内侧具有将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是以与从上述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖形成于上述平坦部上的保护膜的一部分，在上述台面型结构部的顶面上具有光射出孔的方式形成的连续膜。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201280062400.4有效
发明人： 粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜及电极膜的发光二极管。这种发光二极管具备平坦部和台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部、台面型结构部的倾斜侧面、和台面型结构部的顶面的周缘区域，并且具有配置在周缘区域的内侧、且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是被形成为与从通电窗露出来的层的表面接触、并且覆盖在平坦部上形成的保护膜、在顶面上具有光射出孔的连续膜，在反射层和层之间、且通电窗和被其包围的范围内具备透明导电膜。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201280062289.9有效
发明人： 粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜及在其上方形成的电极膜以均匀膜厚形成、并且光取出效率高的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，保护膜具有配置在俯视为周缘区域的内侧且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是形成为与从通电窗露出来的化合物半导体层的表面相接触，并且覆盖在平坦部上形成的保护膜的一部分，在顶面上具有光射出孔的连续膜，透明膜形成在反射层与化合物半导体层之间，在透明膜内、与光射出孔重叠的范围内贯穿地设有贯通电极。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201180058299.0有效
发明人： 粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供兼具高速响应性和高输出性的发出红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本发明涉及的发光二极管、发光二极管灯和照明装置，其特征在于，具备：发光部，该发光部具有交替地层叠有由组成式为（In_X1Ga_1‑X1）As（0≤X1≤1）的化合物半导体构成的阱层和由组成式为（Al_X2Ga_1‑X2）As（0≤X2≤1）的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、以及夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在发光部上形成的电流扩散层；和与电流扩散层接合的功能性基板，第1和第2覆盖层由组成式为（Al_X3Ga_1‑X3）_Y1In_1‑Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）的化合物半导体构成，在以一个阱层和一个势垒层为一对的对层的情况下，对层数为5以下。
发光二极管照明装置

[实用新型]发光二极管-CN201220483379.2有效
发明人： 粟饭原范行;村木典孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供以均匀膜厚形成保护膜和电极膜，保证稳定而高辉度的发光，防止侧面的劣化，谋求高可靠性和长寿命化的发光二极管。本实用新型的发光二极管，支持结构部含有反射层的一部分，其侧面通过湿式蚀刻而形成，含有倾斜部，含有倾斜部的水平方向的截面积朝向上表面连续变小地形成，台面型结构部，其倾斜侧面通过湿式蚀刻而形成，水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖上表面、倾斜部、倾斜侧面和顶面的周边区域，并且在周边区域的内侧具有将半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极层是与从通电窗露出的表面直接接触并且覆盖在上表面上形成的保护膜，并具有光射出孔的连续膜。
发光二极管

[实用新型]发光二极管-CN201220353364.4有效
发明人： 粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜和在其上形成的电极膜、并且光取出效率高的发光二极管。本实用新型的发光二极管，包括：具有上表面（6a）和侧面（6b）的支持结构部（6）、和配置于该支持结构部（6）上并具有倾斜侧面（7a）和顶面（7b）的台面型结构部（7），倾斜侧面（7a）通过湿式蚀刻而形成，保护膜8具有俯视时位于周缘区域（7ba）的内侧、且配置于光射出孔（9b）的周围，将化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗（8b），第1电极膜（9）是以与从通电窗8b露出的化合物半导体层的表面接触，并且覆盖在上表面（6a）上形成的保护膜（8）的一部分，在台面型结构部7的顶面（7b）上具有光射出孔（9b）的方式形成的连续膜，在基板（1）的背面（1A）具有第2电极膜（10）。
发光二极管

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201180042882.2有效
发明人： 粟饭原范行 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1-X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X1≤1，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对数为5以下。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201180007108.8有效
发明人： 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201180007106.9有效
发明人： 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管、具有该发光二极管的发光二极管灯和照明装置，所述发光二极管的特征在于，具有发光部、在上述发光部上形成的电流扩散层和接合于所述电流扩散层的功能性基板，所述发光部具有：活性层，即，将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的势垒层交替层叠而成的量子阱结构的活性层；夹持该活性层的、组成式为（AlX3Ga1-X3）As（0≤X3≤1）的第1引导层和第2引导层；隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持上述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，上述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-X4）YIn1-YP（0≤X4≤1，0＜Y≤1）。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201080051483.8有效
发明人： 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201080051487.6无效
发明人： 粟饭原范行;竹内良一;村木典孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：提供一种具有700nm以上的红外发光波长、单色性优异、并且高输出功率和高效率的耐湿性优异的发光二极管。本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：含有活性层的发光部（7），所述活性层具有组成式为（AlXGa1-X）As（0≤X≤1）的阱层（12）和势垒层（13）的叠层结构并发出红外光；形成于发光部（7）上的电流扩散层（8）；和与电流扩散层（8）接合的功能性基板（3）。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管-CN201110363280.9无效
发明人： 粟饭原范行;濑尾则善 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种以高输出功率和高效率发出850nm以上、特别是900nm以上的发光峰波长的红外光的发光二极管。本发明的发光二极管是在基板上依次具备DBR反射层和发光部的发光二极管，其特征在于，所述发光部具有：活性层，该活性层具有阱层与势垒层的叠层结构，所述阱层由组成式(InX1Ga1-X1)As构成且0≤X1≤1，所述势垒层由组成式(AlX2Ga1-X2)Y1In1-Y1P构成且0≤X2≤1、0＜Y1≤1；夹着所述活性层的第1引导层以及第2引导层，所述第1引导层以及第2引导层由组成式(AlX3Ga1-X3)Y2In1-Y2P构成且0≤X3≤1、0＜Y2≤1；以及，介由所述第1引导层以及第2引导层的各层夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1覆盖层和第2覆盖层由组成式(AlX4Ga1-X4)YIn1-YP构成且0≤X4≤1、0＜Y≤1。
发光二极管

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