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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202211005731.6在审
发明人：陈柏宁;吴旭升;王盈斌;简育生;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供半导体装置的形成方法。所述半导体装置的形成方法包括执行第一蚀刻制程于基板的背侧，以暴露虚设接触结构。执行第一沉积制程，以沉积环绕虚设接触结构的氧化物层的第一部分。执行第二蚀刻制程，以至少部分地移除氧化物层的第一部分。形成环绕虚设接触结构的间隔物层。执行第二沉积制程，以形成环绕间隔物层的氧化物层的第二部分。移除间隔物层及虚设接触结构，以留下开口。以导电材料填充开口以形成导电插塞。
半导体装置形成方法

[发明专利]积体电感-CN201711137114.0有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本案涉及一种积体电感，其包含第一线圈及第二线圈。第一线圈部分绕组设置于第一区且部分绕组设置于第二区，其于第一区及第二区的绕组圈数不同。第二线圈亦部分绕组设置于第一区且部分绕组设置于第二区，其于第一区及第二区的绕组圈数不同。其中第一线圈于第一区的绕组圈数与第二线圈于第一区的绕组圈数不同，第一线圈于第二区的绕组圈数与第二线圈于第一区的绕组圈数不同。
电感

[发明专利]图案式防护结构-CN202010123024.1有效
发明人：颜孝璁;罗正玮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案式防护结构，其应用于集成电路中。该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间，其中该图案式防护结构包含一中央结构单元第一图案化结构单元和一第二图案化结构单元。中央结构单元包含一第一骨干以及多条第一支干，多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧，并往该第一骨干的反方向向外延伸配置；第一图案化结构单元配置于该中央结构单元的一侧，包含一第二骨干以及多条第二支干，多个所述第二支干的一端耦接于该第二骨干的一侧，并往该第二骨干的反方向向外延伸配置，且多个所述第二支干与该第二骨干的夹角为一锐角；以及一第二图案化结构单元，配置于该中央结构单元的另一侧。
图案防护结构

[发明专利]电感装置-CN201810031925.0有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电感装置，其包含第一电感以及第二电感。第一电感包含复数个第一线圈及第一连接件。第二电感包含复数个第二线圈及第二连接件。部分第一线圈绕设于第一区域，部分第一线圈绕设于第二区域，上述第一区域与第二区域分别位于电感装置的两侧。第一连接件用以连接位于第一区域的第一线圈及位于第二区域的第一线圈。部分第二线圈绕设于第一区域，部分第二线圈绕设于第二区域。第二连接件的一端用以连接位于电感装置内侧的第二线圈的端点，其另一端设置于电感装置外侧。第一电感与第二电感以电感装置的中心线为基准而相互对称。
电感装置

[发明专利]八字形电感性线圈装置-CN201810054711.5有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：一种八字形电感性线圈装置，包含：第一及第二螺旋状线圈及连接线段结构。第一螺旋状线圈包含分别位于上下相邻的第一及第二金属层的第一金属线段及跨接线段，并具有至少一对第一连接端点。第二螺旋状线圈具有至少一对第二连接端点。连接线段结构电性耦接第一及第二连接端点。第一及第二螺旋状线圈沿假想轴线并置，且假想轴线穿越第一及第二螺旋状线圈分别围绕的范围的中心区域，跨接线段及连接线段结构电性耦接第一金属线段中大致垂直于假想轴线的部分，且跨接线段及连接线段结构大致位于假想轴线上。
八字形感性线圈装置

[发明专利]变压器结构-CN201810110730.5有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本案涉及一种变压器结构，包含第一电感以及第二电感。第一电感包含复数圈。第二电感亦包含复数圈，第二电感与第一电感是为交互设置，除了跨线外，第二电感与第一电感置于同一层。其中，第一电感的该些圈中至少一圈相邻于第一电感的该些圈的另一圈以及第二电感中的一圈。
变压器结构

[发明专利]电子装置及其制造方法-CN201710318645.3有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：电子装置包含第一半导体晶粒、多个凸块以及基材。第一半导体晶粒包含第一导电特征。凸块设置于第一半导体晶粒，并连接第一导电特征。基材包含第二导电特征。凸块是电性连接于第二导电特征。第一导电特征、凸块以及第二导电特征是配置以形成至少一环状结构。
电子装置及其制造方法

[发明专利]积体电感及其制造方法-CN201611097219.3有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种积体电感，其包含基板、绝缘层及电感。基板包含沟槽。至少一部分的绝缘层形成于沟槽内。电感配置于沟槽内，并位于绝缘层上。
电感及其制造方法

[发明专利]半导体元件-CN201610665333.5有效
发明人：颜孝璁;罗正玮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：一种半导体元件，制作于一半导体结构，透过至少二连接端耦接一应用电路，该半导体元件包含：一第一螺旋状线圈，实质上位于一第一金属层，具有一第一端点与一第二端点，该第一端点作为该二连接端的其中一者；一第二螺旋状线圈，实质上位于该第一金属层，具有一第三端点与一第四端点，该第三端点作为该二连接端的另一者；以及一连接部，位于一第二金属层，连接该第二端点及该第四端点。该第二金属层不同于该第一金属层。
半导体元件

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201610227093.0有效
发明人：叶达勋;罗正玮;颜孝璁;简育生 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制造方法。鳍式场效应晶体管包括基底、鳍片结构、栅极堆叠结构及隔离结构。鳍片结构设置于基底上并具有多个沟渠，而栅极堆叠结构其覆盖于鳍片结构。隔离结构配置于基底上，以隔离栅极堆叠结构与基底，其中隔离结构具有不同的厚度。本发明所提供的鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过改变隔离结构在不同区域的厚度，可微调鳍式场效应晶体管的等效通道宽度，以应用于不同的集成电路设计。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]电感装置-CN201710358803.8有效
发明人：颜孝璁;罗正玮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：一种电感装置，其包含第一电感单元与第二电感单元。第一电感单元包含第一线圈与第二线圈。第一线圈绕设成复数圈。第二线圈与第一线圈相应绕设为复数圈。第一线圈及/或第二线圈于第一端点处、第二端点处、第一侧与第二侧分别交错绕设。第二电感单元包含第三线圈与第四线圈。第三线圈绕设成复数圈。第四线圈与第三线圈相应绕设为复数圈。第三线圈及/或第四线圈于第三端点处、第四端点处、第三侧与第四侧分别交错绕设。第一电感单元的第一线圈耦接于第二电感单元的第四线圈，第一电感单元的第二线圈耦接于第二电感单元的第三线圈。
电感装置

[发明专利]堆叠式电容结构-CN201610633299.3有效
发明人：黄凯易;林圣纮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种堆叠式电容结构包含金氧半变容器与堆叠电容器，堆叠电容器电性连接金氧半变容器。金氧半变容器包含基板、栅极、第一源/漏极与第二源/漏极。基板具有阱区，栅极位于阱区上。第一源/漏极与一第二源/漏极分别形成于阱区中，位于栅极的相对两侧。堆叠电容器包含多个金属层，彼此相间隔地堆叠于栅极的上方，且位于一电感性元件的下方。
堆叠电容结构

[发明专利]集成电感结构-CN201610020478.X有效
发明人：颜孝璁;罗正玮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及集成电感结构。一种8字型集成电感，包含：一第一端点；一第二端点；一第三端点；一跨接结构，包含一第一金属线段及一第二金属线段，该第一金属线段及该第二金属线段位于半导体结构的不同金属层，且部分重叠；一第一感应单元，以该第一端点及该第三端点为其两端，并包含该第一金属线段；以及一第二感应单元，以该第二端点及该第三端点为其两端，并包含该第二金属线段及一第三金属线段，该第三金属线段位于不同于该第二金属线段的金属层，与该第二感应单元的其它金属线段互相导通，但不跨越该第一感应单元的金属线段。
集成电感结构

[发明专利]半导体封装结构-CN201710150834.4有效
发明人：颜孝璁;邓平援;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种半导体封装结构。此半导体封装结构包含多个层状结构、多条导线以及第一环状结构。多条导线将这些层状结构相连接。第一环状结构耦接于这些层状结构中的至少一个，并位于这些导线之间。
半导体封装结构

[发明专利]非对称式螺旋状电感-CN201710493729.0有效
发明人：颜孝璁;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：一种非对称式螺旋状电感，制作于一半导体结构，包含：螺旋状线圈、金属线段以及连接结构。该螺旋状线圈实质上位于第一金属层，且具有第一端点及第二端点，其中该第一端点位于该螺旋状线圈的最外圈，该第二端点位于该螺旋状线圈的最内圈。该金属线段位于不同于该第一金属层的第二金属层，且具有第三端点及第四端点。该连接结构连接该第二端点及该第三端点。该第一端点及该第四端点构成该非对称式螺旋状电感的两端点，该螺旋状线圈为具有N个边的多边形(N4)，该金属线段的其中一部分构成与该具有N个边的多边形的部分轮廓实质上相同的形状。本发明的非对称式螺旋状电感能够提高电感值及质量因素Q，且抑制反射信号的干扰。
对称螺旋状电感

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