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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片的加工装置、清洗装置以及清洗方法-CN202310416862.1在审
发明人： 竹川真弘 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工装置、清洗装置以及清洗方法。防止加工屑附着于晶片外周部以及晶片外周部的破损。经过如下工序而清洗晶片：准备工序，使在保持面(11a)上保持着晶片的旋转工作台(10)以保持面的中心为轴旋转，定位二流体喷嘴(30)以使从二流体喷嘴喷出的二流体落在保持面的中心；上表面清洗工序，一边从二流体喷嘴喷出二流体一边使二流体喷嘴在晶片的径向上以规定速度移动，清洗保持面所保持的晶片的上表面；和外周清洗工序，使二流体喷嘴移动至从在晶片的径向上移动的二流体喷嘴喷出的二流体与晶片的外周接触的位置，使二流体与晶片的外周上表面和外周侧面接触的二流体喷嘴按照规定的时间停止，清洗晶片的外周上表面和外周侧面。
晶片加工装置清洗以及方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201810794206.4有效
发明人： 竹川真弘;森龙彦 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片的加工方法，其实现了晶片研磨不良的降低。本发明的晶片的加工方法具备下述步骤：规定值设定步骤，将卡盘工作台(9)的旋转轴(92)相对于研磨组件(5)的适当的倾角(θ)设定为规定值；磨削步骤，将卡盘工作台(9)所保持的晶片(200)利用粗磨削组件和精磨削组件进行磨削；研磨准备步骤，使旋转工作台进行旋转，将磨削后的晶片(200)定位在研磨组件(5)的下方；旋转轴调整步骤，利用控制装置驱动倾角调整单元，将位于研磨组件(5)的下方的卡盘工作台(9)的旋转轴(92)的倾角(θ)调整为上述的规定值；以及研磨步骤，利用研磨组件(5)对晶片(200)进行研磨。
晶片加工方法

[发明专利]被加工物的清洗方法-CN202110935728.3在审
发明人：佐藤友亮;竹川真弘 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供被加工物的清洗方法，将附着于被加工物等的清洗液有效地去除。在加工装置内对被加工物进行清洗，加工装置具有：搬送机构，其包含吸引垫，该吸引垫具有吸引面，该吸引面对被加工物的上表面侧进行吸引保持；和清洗机构，其设置于与吸引垫的移动路径重叠的位置，包含对被加工物的下表面侧进行清洗的清洗部件和喷射清洗液的喷射喷嘴，该清洗方法具有如下步骤：清洗步骤，一边从喷射喷嘴向被加工物的下表面侧喷射清洗液一边使清洗部件与被加工物的下表面侧接触并移动，清洗被加工物的下表面侧；和去除步骤，在使来自喷射喷嘴的清洗液的喷射停止的状态下使清洗部件与被加工物的下表面侧接触并移动，去除附着于被加工物的下表面侧的清洗液。
加工清洗方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201810762788.8有效
发明人： 竹川真弘;白滨智宏 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片的加工方法，其能够抑制怠速运转后的第一片晶片的加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。本发明的晶片的加工方法至少具备：驱动磨削研磨装置的研磨组件的怠速步骤(ST1)、以及在实施怠速步骤(ST1)后利用研磨垫对磨削研磨装置的卡盘工作台所保持的晶片进行研磨的磨削研磨步骤(ST2)。磨削研磨步骤(ST2)中的研磨条件设定了对第一片晶片进行研磨的初期加工时的旋转轴的倾角、以及对第二片及以后的晶片进行研磨的连续加工时的旋转轴的倾角这两种。初期加工时的旋转轴的倾角设定为以初期加工时的旋转轴的倾角对第一片晶片进行研磨时的研磨速率与以连续加工时的旋转轴的倾角对第二片及以后的晶片进行研磨时的研磨速率相同。
晶片加工方法

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