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[实用新型]植物栽培装置-CN201420574791.4有效
发明人：成愿茂利;绪方弘至;竹内良一;荒博则;铃木广志 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： A01G9/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够抑制从照明装置发出的热对要栽培的植物带来不良影响的植物栽培装置。植物栽培装置(1)具有：栽培架(3)，其具有多根支柱(7)、及沿上下方向隔开间隔地具有利用支柱(7)而设置且供种植有植物的栽培槽(2)载置的载置部(4)；和照明装置(5)，其在各载置部(4)的上方隔开间隔地配置在载培架(3)上。照明装置(5)具有：水平框(18)；安装在水平框(18)上的多个LED灯具(19)；和以位于LED灯具(19)上方的方式安装在水平框(18)上、且反射面朝向下方的板状反射部件(21)。在反射部件(21)中的与LED灯具(19)的开关电源(37)对应的位置，形成有多个将从开关电源(37)发出的热散出的贯穿部(38)。
植物栽培装置

[发明专利]发光二极管和发光二极管灯-CN201180043286.6有效
发明人：濑尾则善;松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯-CN201180017382.3有效
发明人：锅仓亘;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-02-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。
发光二极管及其制造方法以及

[发明专利]植物培养用的多色发光二极管灯、照明装置和植物培养方法-CN201080044426.7有效
发明人： 竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： A01G7/00 文献下载
摘要：在采用LED的植物培养用的照明中，红色、蓝色的混色是有优势的光源，但现状是红色的发光强度比蓝色弱，利用使用的灯的数量来调整颜色。相对于多数的红色LED，少量的蓝色LED成为点状分布的形态，存在蓝色的照射不能够均匀地进行的课题。本发明提供一种在同一封装体中搭载了蓝色LED和与其平衡的具有高的发光效率的AlGaInP系的红色LED的多色发光二极管灯。搭载具有发光部的红色LED，该发光部含有由组成式（AlXGa1-X）YIn1-YP（0≤X≤1，0＜Y≤1）构成的发光层。该红色LED在流通相同电流的情况下，放出与蓝色LED同等或其以上的光子。例如，在红色较强适于植物培养的情况下，通过搭载2个红色LED和1个蓝色LED，用1个灯得到所希望的混色，能够实现光的照射的均匀化。
植物培养多色发光二极管照明装置方法

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201080051483.8有效
发明人：粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201080051487.6无效
发明人：粟饭原范行;竹内良一;村木典孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：提供一种具有700nm以上的红外发光波长、单色性优异、并且高输出功率和高效率的耐湿性优异的发光二极管。本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：含有活性层的发光部（7），所述活性层具有组成式为（AlXGa1-X）As（0≤X≤1）的阱层（12）和势垒层（13）的叠层结构并发出红外光；形成于发光部（7）上的电流扩散层（8）；和与电流扩散层（8）接合的功能性基板（3）。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管用金属基板、发光二极管及其制造方法-CN201080044703.4无效
发明人：松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具备优异的耐化学特性的发光二极管接合用金属基板、发光二极管及其制造方法，提供一种发光二极管用金属基板，其是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，所述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，该发光二极管用金属基板的特征在于，具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。
发光二极管用金属发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管和发光二极管灯以及照明装置-CN201080021864.1有效
发明人：锅仓亘;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供高输出、高效率在高湿环境下长寿命的发光二极管。采用发光二极管(1)，包含：具有发光部(7)的化合物半导体层(2)、设置在化合物半导体层(2)的主要光取出面的欧姆电极(4)，(5)、用于保护欧姆电极(4)，(5)的电极保护层(6)，该发光二极管(1)的特征在于：包含主要光取出面的化合物半导体层(2)的表面(2a)，(2b)的Al浓度为20％以下且As浓度小于1％，电极保护层(6)具有包含设置为覆盖欧姆电极(4)，(5)的第一保护膜(12)和设置为至少覆盖第一保护膜(12)的端部的第二保护膜(13)的二层结构。
发光二极管以及照明装置

[发明专利]发光二极管用外延晶片-CN201080019083.9有效
发明人：濑尾则善;松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
发光二极管用外延晶片

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置-CN201080019118.9有效
发明人：濑尾则善;松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯-CN201080008276.4无效
发明人： 竹内良一;村木典孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：采用一种发光二极管(1)，是能够在封装内减少从LED芯片的发光的损失，并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管，其特征在于，具备：包含具有发光层(9)的发光部(8)的化合物半导体层(2)以及基板(3)，在基板(3)的侧面设置有比基板(3)反射率高的外部反射层(4)。
发光二极管及其制造方法以及

[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和发光二极管的制造方法-CN201080008005.9无效
发明人： 竹内良一;松村笃;舛谷享祐 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明的目的是提供散热性优异，能够抑制接合时的基板的开裂，施加高电压能够以高辉度发光的发光二极管、发光二极管灯以及发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管是在包含发光层(2)的发光部(3)接合了热沉基板(5)的发光二极管(1)，热沉基板(5)是第1金属层(21)和第2金属层(22)交替地层叠而成，第1金属层(21)由热导率为130W/m·K以上、热膨胀系数与发光部(3)的材料大致相等的材料形成，第2金属层(22)由热导率为230W/m·K以上的材料形成，通过使用该发光二极管(1)能够达到所述目的。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管和发光二极管灯-CN201080007096.4无效
发明人： 竹内良一;锅仓亘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光二极管，是具有包含由组成式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层的发光部、并且将包含该发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管。在发光二极管的主要的光取出面上具有第1电极和极性与第1电极不同的第2电极。第2电极夹着发光层而形成于与第1电极相反的一侧的化合物半导体层上。对于透明基板的侧面具有在接近发光层的一侧相对于发光层的发光面大致垂直的第1侧面、和在远离发光层的一侧相对于发光面倾斜的第2侧面的发光二极管，通过在透明基板背面形成第3电极，提供光取出效率高、安装工序的生产率高的高辉度发光二极管。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200680053168.2无效
发明人：锅仓互;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种透明衬底发光二极管(10)，具有由化合物半导体制成的发光层(133)，其中其上形成有第一电极(15)和极性与所述第一电极(15)不同的第二电极(16)的光提取表面的面积(A)、形成为接近所述光提取表面的所述发光层(133)的面积(B)、以及发光二极管的位于与用于形成所述第一电极(15)和所述第二电极(16)的一侧相反的一侧上的背面的面积(C)如此相关联，以满足式A＞C＞B的关系。由于发光层(133)的面积和透明衬底的背面(23)的面积的关系以及透明衬底(14)的侧面形状的最优化，本发明的发光二极管(10)呈现迄今从未获得的高亮度和高放热特性，并且适合在高电流水平下使用。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200680024703.1有效
发明人： 竹内良一;松村笃;渡边隆史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p－n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
发光二极管及其制造方法

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