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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003767.8有效
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、栅极电极、第一和第二场板以及第一介电层。第一场板设置在第二氮基半导体层上方。第二场板是不连续的，并且设置在第二氮基半导体层上方，并且位于高于第一场板的位置。第二场板包括其不连续区域中的一个或多个封闭不连续。第一介电层设置在第二场板上方。第一介电层覆盖并贯穿不连续区域中的第二不连续场板，使得第二场板在其一个或多个封闭的不连续轮廓内围绕第一介电层的至少一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202080005364.2有效
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：衬底；第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述半导体器件进一步包含第一栅极导体，其设置在所述第二氮化物半导体层的第一区上；钝化层，其覆盖所述第一栅极导体；以及第二栅极导体，其设置在所述钝化层和所述第二氮化物半导体层的第二区上，其中所述第一区与所述第二区横向间隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210881358.4在审
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、晶体、管第一导电端子与第二导电端子。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。晶体管设置在所述第二氮化物半导体层上。第一导电端子与第二导电端子设置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述第一氮化物半导体层还包括第一导电区以及掺杂区，所述第一导电区位在所述第一导电端子与所述第二导电端子之间，所述掺杂区围绕所述第一导电区、所述第一导电端子以及所述第二导电端子，其中所述第一导电区沿着第一方向的宽度不同于所述第一导电端子以及所述第二导电端子沿着所述第一方向的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210518969.2在审
发明人：胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对掺杂的氮基半导体层以及第一电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，电绝缘部分围绕有源部分，且电绝缘部分具有一对凹陷以接收有源部分。一对掺杂的氮基半导体层设置于第二氮基半导体层上。掺杂的氮基半导体层彼此分离。第一电极设置于第二氮基半导体层上以及在掺杂的氮基半导体层之间。每一个掺杂的氮基半导体层中具有彼此相对的第一侧表面以及第二侧表面，第一侧表面面向第一电极，第二侧表面背对第一电极。沿着第二氮基半导体层的法线方向上，第一侧表面对齐凹陷的边界，第二侧表面与凹陷的边界隔开。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202080005367.6有效
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含衬底；氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第一栅极堆叠，其与所述氮化物半导体层接触；以及电阻器，其与所述第一栅极堆叠横向间隔开并且电连接到第一栅极堆叠。所述电阻器包括：第一导电端子，其与所述氮化物半导体层接触；第二导电端子，其与所述氮化物半导体层接触；所述氮化物半导体层的第一掺杂区，其在所述第一导电端子与所述第二导电端子之间；以及所述氮化物半导体层的第一导电区，其与所述第一导电端子和所述第二导电端子接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180001585.7有效
发明人：胡凯;黄敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对第一电极、第二电极、掺杂的氮基半导体层和一对栅极电极。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上。第一和第二氮基半导体层共同具有有源部分和电绝缘部分，电绝缘部分是非半导电的并且围绕有源部分以在其间形成界面。第一电极设置在第二氮基半导体层上。第二电极设置在第二氮基半导体层上方且在第一电极之间。掺杂的氮基半导体层设置在第二氮基半导体层上方、在第一电极之间并围绕第二电极。栅极电极设置在掺杂的氮基半导体层上并且位于第二电极的相对侧。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180001601.2有效
发明人：胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一以及第二氮基半导体层、第一电极、掺杂的氮基半导体层、第二电极以及栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及围绕有源部分的电绝缘部分。第一电极设置于第二氮基半导体层上。第一电极、掺杂的氮基半导体层、栅极电极以及第二电极设置于第二氮基半导体层上。每一掺杂的氮基半导体层具有背向第二电极且与界面隔开的侧表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004288.8在审
发明人：张晓燕;温家蔚;张玉龙;章晋汉;郝荣晖;李兴俊;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含氮化物基晶体管、第一金属层、第二金属层、第三金属层、源极垫和漏极垫。所述第一金属层安置于所述氮化物基晶体管之上。所述第二金属层安置于所述第一金属层之上。所述第三金属层安置于所述第二金属层之上且包含彼此间隔开的第一图案和第二图案。所述源极垫紧接在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第一图案上方，且与所述氮化物基晶体管电耦合。所述漏极垫紧接在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第二图案上方，且与所述氮化物基晶体管电耦合。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180003499.X在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、栅极电极和漏极结构。漏极结构包括第一掺杂的氮基半导体层、欧姆接触电极和导电层。第一掺杂的氮基半导体层与第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面。欧姆接触电极与第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面。导电层包括金属并与第二氮基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体接面。导电层连接第一掺杂的氮基半导体层和欧姆接触电极，并且欧姆接触界面比第一接触界面和第二接触界面离栅极电极更远。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于氮化物的半导体装置和其制造方法-CN202180004254.9在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种基于氮化物的半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、第一基于氮化物的晶体管和第二基于氮化物的晶体管。所述第一基于氮化物的晶体管应用2DEG区域作为其沟道并且包括第一漏电极，所述第一漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第一肖特基二极管。所述第二基于氮化物的晶体管应用所述2DEG区域作为其沟道并且包含第二漏电极，所述第二漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第二肖特基二极管，使得所述第一肖特基二极管和所述第二肖特基二极管连接到同一节点。
基于氮化物半导体装置制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180004637.6在审
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;章晋汉;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层、掺杂III‑V半导体层、栅极、源极电极和漏极电极。所述掺杂III‑V半导体层安置于所述第二氮化物基半导体层之上，且具有相对的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述掺杂III‑V半导体层的在侧壁之间的主体向内凹陷，以形成位于所述掺杂III‑V半导体层的底部处的弯曲轮廓。所述栅极电极安置于所述掺杂III‑V半导体层上方。所述源极电极和所述漏极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅极电极位于所述源极电极与所述漏极电极之间。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003959.9在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、源电极和漏电极，及栅极结构。所述栅极结构包含至少一个导电层和两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层。所述至少一个导电层包含金属，并且与所述第二氮化物基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体结。所述两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层与所述第二氮化物基半导体层接触且邻接所述导电层，以便与所述第二氮化物基半导体形成邻接所述金属‑半导体结的接触界面。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003947.6在审
发明人：郝荣晖;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极和栅电极、经掺杂氮化物基半导体层，及第一场板。所述第一场板安置在所述经掺杂氮化物基半导体层之上。所述经掺杂氮化物基半导体层在所述第二氮化物基半导体层上的垂直投影与所述第一场板在所述第二氮化物基半导体层上的垂直投影重叠，且所述栅电极在所述第二氮化物基半导体层上的垂直投影与所述第一场板在所述第二氮化物基半导体层上的所述垂直投影物理地分隔开。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202080005359.1在审
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含衬底；第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述半导体器件进一步包含第一栅极导体，其设置在所述第二氮化物半导体层的第一区上；第一源极电极，其设置在所述第一栅极导体的第一侧上；第一场板，其设置在所述第一栅极导体的第二侧上；以及电容器，其具有第一导电层和第二导电层，并且设置在所述第二氮化物半导体层的第二区上。其中所述电容器的所述第一导电层和所述第一源极电极具有第一材料，并且所述电容器的所述第二导电层和所述第一场板具有第二材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201980005610.1在审
发明人：黄敬源;邱汉钦;张铭宏;周春华;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置(1，2，3，4，5)，其包括衬底(100)、沟道层(120)、势垒层(130，130’)、闸极(140，140’)、应变层(170，210)及钝化层(180)。沟道层(120)设置于衬底(100)上。势垒层(130，130’)设置于沟道层(120)上。闸极(140，140’)设置于势垒层(130，130’)上。应变层(170，210)设置于势垒层(130，130’)上。钝化层(180)覆盖闸极(140，140’)及应变层(170，210)。钝化层(180)的材料与应变层(170，210)的材料不同。
半导体装置及其制造方法

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