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- [发明专利]三维集成结构及其制作方法-CN202210893231.4在审
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章安娜;周玉;胡胜
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-07-27
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2022-12-09
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H01L21/027
- 本发明涉及一种三维集成结构及其制作方法。所述制作方法中,对应于堆叠晶圆的外围区进行第一切边工艺,形成邻接且包围有效器件区的斜切面,其中,从所述有效器件区的边缘向外,所述堆叠晶圆的厚度经所述斜切面逐渐降低,使得后续在涂敷光阻层时,所述有效器件区和斜切面的连接区域容易被所述光阻层覆盖,避免形成无光阻区而影响后续工艺,所述制作方法还对应于所述外围区的外边缘进行第二切边工艺,以形成邻接且包围所述斜切面的夹持面,不需要将夹具夹在堆叠晶圆的顶表面,可以避免夹具对堆叠晶圆顶表面造成损伤而对有效器件区内的结构和有效器件区的面积造成不良影响,有利于满足工艺要求。所述三维集成结构可采用上述制作方法。
- 三维集成结构及其制作方法
- [发明专利]一种鱼鳞去除装置-CN202111596161.8有效
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芮纪军;贺燕红;章安娜;柯彦;朱海勇;陈礼丽
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中国水产舟山海洋渔业制品有限公司
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2021-12-24
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2022-08-26
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A22C25/02
- 本发明提供了一种鱼鳞去除装置,属于鱼类加工技术领域。本发明包括底座、夹持就、活动杆、第一驱动机构、刮鳞机构和第一电机,底座上平行固设有第一支撑板和第二支撑板,第一支撑板和第二支撑板的相对侧面分别通过第一转轴和第二转轴同轴转动设置有第一圆板和第二圆板,夹持机构能够将鱼水平固定在第一圆板和第二圆板之间,底座上平行固设有两个第三支撑板,活动杆水平滑动设置在两个第三支撑板之间,第一驱动机构能够带动活动杆水平来回滑动,当活动杆左右滑动时,刮鳞机构能够刮除鱼上表面的鳞片,第一电机通过第一水平板固设在第二支撑板上,第一电机与第二转轴传动连接。本发明能够快速去除鱼表面的鳞片,操作简单,省时省力。
- 一种鱼鳞去除装置
- [实用新型]一种解冻鱿鱼清洗装置-CN202123279550.6有效
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芮纪军;陈勇海;贺燕红;章安娜
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中国水产舟山海洋渔业制品有限公司
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2021-12-24
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2022-05-24
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A22C25/02
- 本实用新型公开了一种解冻鱿鱼清洗装置,包括底座,底座的顶部固定连接有清洗箱,清洗箱内腔的底部固定连接有隔板,隔板的顶部且位于清洗箱的内壁固定连接有环形导轨,环形导轨的内腔滑动连接有转动板,清洗箱底端的中部固定安装有驱动电机,驱动电机的输出端穿过隔板与转动板底端的中部固定连接,环形导轨的顶部且位于清洗箱内壁的两侧均固定安装有电加热板,清洗箱表面顶部的两侧均固定连接有支撑块,支撑块的顶部固定连接有支撑杆,支撑杆靠近清洗箱的一侧固定安装有电动导轨,电动导轨的内腔滑动连接有滑块,滑块的顶部固定连接有卡柱,本实用新型一种解冻鱿鱼清洗装置,实现鱿鱼的自动打捞,不仅效率高,而且省时省力。
- 一种解冻鱿鱼清洗装置
- [发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合设备-CN202111481141.6在审
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章安娜;周玉
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2021-12-06
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2022-04-15
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H01L21/18
- 本发明提供晶圆键合方法以及晶圆键合设备,在第一固定装置和第二固定装置中均设置通孔,第一晶圆和第二晶圆各自远离键合面一侧均设置对准标记;分别关联第一晶圆厚度方向的两侧的对准标记和第二晶圆两侧的对准标记;上、下读取器通过对应的通孔分别读取第二晶圆和第一晶圆各自远离键合面一侧的对准标记,结合关联的对准标记,处理器可精确计算第一晶圆和第二晶圆各自键合面一侧对准标记的相对位置偏差,据此可实时调整所述第一固定装置以使所述第一晶圆与所述第二晶圆对准,可根据对准情况进行实时校正。能够精确测得第一晶圆和第二晶圆实际偏差(该实际偏差包含移动时的机械运动误差),并补偿偏差,提高了对准精度,从而提升晶圆键合质量。
- 晶圆键合方法设备
- [实用新型]一种鱼片烘烤装置-CN202123278563.1有效
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贺燕红;朱海勇;章安娜;柯彦;陈礼丽
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中国水产舟山海洋渔业制品有限公司
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2021-12-24
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2022-04-08
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A21B1/26
- 本实用新型公开了一种鱼片烘烤装置,包括烘烤箱,烘烤箱内腔的底部固定连接有隔板,烘烤箱内腔底端的一侧固定安装有驱动电机,烘烤箱内腔底端的中部固定连接有变速箱,变速箱的输出端穿过隔板固定连接有转杆,转杆的表面等距套接有若干托盘架,托盘槽的内腔开设有弧形托盘,烘烤箱内壁的两侧均固定连接有连通管,连通管靠近转杆的一侧等距固定连通有若干喷气头,烘烤箱的顶端固定连接有加热过滤箱,加热过滤箱的内腔固定连接有挡板,竖板的一侧等距固定连接有若干过滤网,竖板远离过滤网的一侧固定安装有吸风机,挡板的底端固定连接有集风罩,本实用新型一种鱼片烘烤装置,从而保证了鱼片的受热均匀,提高了鱼片的品质。
- 一种鱼片烘烤装置
- [发明专利]硅释放工艺-CN201310160533.1有效
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章安娜
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无锡华润上华半导体有限公司
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2013-05-03
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2017-09-29
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H01L21/3065
- 本发明公开了一种硅释放工艺,通过干法深槽刻蚀设备实现,包括如下步骤提供需要进行硅释放的器件,并在所述器件需要进行硅释放的位置覆盖掩模;在刻蚀气体的气氛下,对所述器件进行刻蚀工艺;在保护气体的气氛下,对所述器件进行沉积工艺;重复刻蚀工艺和沉积工艺,直至器件底部的硅完全释放干净,完成所述硅释放工艺。这种硅释放工艺采用干法深槽刻蚀设备来实现器件底部的硅的释放,相对于传统的采用湿法药液腐蚀来进行硅释放的方法,可控性高、作业周期短,产能较高。
- 释放工艺
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