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[发明专利]改善非易失性存储器读取干扰的方法及控制系统-CN202111038944.4有效
发明人：金波;禹小军 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供的改善非易失性存储器读取干扰的方法及非易失性存储器的控制系统中，非易失性存储器包括多个存储单元，且每个存储单元的栅极与对应的一条字线连接；将字线上施加过读取电压的存储单元作为目标修复单元；在数据读取操作结束后，对产生的目标修复单元进行弱擦除操作，所述弱擦除操作中，通过对应的字线向目标修复单元的栅极施加修复电压，以减小或消除数据读取操作对目标修复单元产生的弱编程作用，进而可以有效地抑制读取干扰发生的机率，提高非易失性存储器内所储存的数据被正确读取的概率，而且有助于增大存储单元内存储数据的可读取次数和存储的时间。
改善非易失性存储器读取干扰方法控制系统

[发明专利]组对结构的单管非易失性存储单元阵列及其操作方法-CN202111143627.9有效
发明人：金波;禹小军 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供的组对结构的单管非易失性存储单元阵列中，多个组对存储单元在衬底上行列排布且均包括沿列方向排布、源极相连接且作为最小存储单元的第一存储管和第二存储管；组对存储单元对应的一组位线中，一条连接对应组对存储单元中的第一存储管的漏极，另一条连接第二存储管的漏极，同一组的两条位线中的一条能够作为另一条的源线；每条字线连接同一行的多个组对存储单元中的第一存储管的栅极或第二存储管的栅极，其中，在对同一组对存储单元内两个存储管中的一个进行数据写入或读取时，另一个作为选择管，如此可以有效地减小存储单元阵列的数据写入和读取功耗。本发明还提供组对结构的非易失性存储单元阵列的操作方法。
结构单管非易失性存储单元阵列及其操作方法

[发明专利]组对结构非易失性存储器的制作方法-CN202211124306.9有效
发明人：金波;禹小军 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供一种组对结构非易失性存储器的制作方法。该制作方法中，首先在基底的上表面上形成多个分隔墙，然后在基底上形成覆盖基底和分隔墙的栅极材料层，再研磨去除部分栅极材料层，使得栅极材料层的上表面平坦且露出分隔墙的顶面，接着对栅极材料层进行图形化处理，在每个分隔墙的两侧分别形成第一栅极和第二栅极，其中，一个分隔墙两侧的第一栅极和第二栅极属于同一个组对存储单元，组对存储单元的第一存储管包括第一栅极，组对存储单元的第二存储管包括第二栅极。该制作方法利用分隔墙分隔形成第一栅极和第二栅极，避免了光刻的分辨能力的限制，可以缩小组对存储单元中两个栅极之间的间距，减少组对存储单元占用的芯片面积。
结构非易失性存储器制作方法

[发明专利]组对结构非易失性存储器的局部位线选择电路及操作方法-CN202211341569.5有效
发明人： 禹小军;金波 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：本发明提供一种组对结构非易失性存储器的局部位线选择电路。该局部位线选择电路位于存储模块的外围，包括多个位线选择管组，每个位线选择管组包括第一位线选择管和第二位线选择管；局部位线与存储模块连接，一个位线选择管组与一个局部位线组对应连接，其中，第一位线选择管的漏极与第一局部位线连接，第二位线选择管的漏极与第二局部位线连接，第一全局位线与第一位线选择管的源极对应连接，第二全局位线与第二位线选择管的源极对应连接。该局部位线选择电路所用器件数量少，有助于降低局部位线选择电路占用的芯片面积，降低芯片成本，并改善读写数据干扰，提高芯片可靠性。本发明还提供一种组对结构非易失性存储器的操作方法。
结构非易失性存储器局部选择电路操作方法

[发明专利]组对结构非易失性存储器件及其制作方法-CN202211395018.7有效
发明人： 禹小军;金波 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种组对结构非易失性存储器件的制作方法。所述制作方法包括：提供基底，基底上形成有栅极材料层；在栅极材料层中形成多个第二开口；执行第一离子注入工艺，在多个第二开口对应的基底中形成多个第一注入区；以及对栅极材料层进行图形化处理，在每个第一注入区两侧的基底上方分别形成第一栅极和第二栅极；其中，组对结构非易失性存储器件中同一个组对存储单元的第一存储管和第二存储管分别包括位于一第一注入区两侧的第一栅极和第二栅极，第一存储管和第二存储管通过该第一注入区电连接。如此，有利于减少组对存储单元占用的芯片面积。本发明还提供一种组对结构非易失性存储器件。
结构非易失性存储器及其制作方法

[发明专利]NOR闪存阵列及其数据写入方法、读取方法及擦除方法-CN202110984193.9在审
发明人：金波;禹小军 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C11/4097 文献下载
摘要：本发明提供的NOR闪存阵列中，每个存储单元包括依次串联连接的源线选择管和n个存储管，源线选择管的源极作为存储单元的总源极端，每个存储单元中的源线选择管和n个存储管沿列方向排布，而同一行上各个存储单元中的源线选择管沿行方向排布；每条位线连接同一列上各个存储单元的总漏极端；每条共同源线连接同一行上各个存储单元的总源极端；每条字线连接同一行上各个存储单元中串接位置相同的存储管的栅极；每条源线选择线连接同一行上各个存储单元中源线选择管的栅极。如此，n个存储单元可以共用一个源线选择管，有助于提高NOR闪存阵列的存储密度。本发明还提供上述NOR闪存阵列的数据写入方法、数据读取方法和数据擦除方法。
nor 闪存阵列及其数据写入方法读取擦除

[发明专利]组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法-CN202210131433.5有效
发明人： 禹小军;金波 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明的组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法中，在第一数据读取周期，选中存储单元的第一存储管的字线施加零伏电压而第二存储管的字线施加开启电压，与选中存储单元不同行的非选中存储单元的第一存储管的字线施加补偿正电压而第二存储管的字线施加关断负电压；在第二数据读取周期，选中存储单元的第二存储管的字线施加零伏电压而第一存储管的字线施加开启电压，非选中存储单元的第二存储管的字线施加补偿正电压而第一存储管的字线施加关断负电压。通过两个数据读取周期的配合，关断负电压产生的软擦除作用可以通过补偿正电压产生的软编程作用来补偿，从而在不增加额外电路和读周期时间的情况下，降低读取干扰发生的概率。
结构非易失性存储阵列数据读取方法

[发明专利]用于具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置-CN201480051457.3有效
发明人： 禹小军;范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·G·葛兹尼索夫;龙·T·辛赫;波·金 -专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：用于实现具有共源极线的存储单元的系统、方法和装置被公开。方法包括在第一晶体管接收第一电压。第一晶体管可以被耦合到第二晶体管和被包括在第一存储单元中。方法包括在第三晶体管接收第二电压。第三晶体管可以被耦合到第四晶体管和被包括在第二存储单元中。第一和第二存储单元可以被耦合到共源极线。方法包括在第二晶体管的栅极和第四晶体管的栅极接收可以使它们操作于截止模式的第三电压。方法可以包括在第一晶体管的栅极接收第四电压。第四电压通过Fowler‑Nordheim隧穿可以引起在包括在第一晶体管中的电荷存储层中的变化。
用于具有共源极线存储单元系统方法装置

[发明专利]非易失性存储器以及运行非易失性存储器的方法-CN201480048980.0有效
发明人：波·金;克里希纳斯瓦米·库马尔;禹小军;伊葛·葛兹尼索夫;范卡特拉曼·普拉哈卡 -专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储结构，其包括被以行和列布置的多个存储单元的存储阵列，所述多个存储单元包括在所述存储阵列的一行中的一对相邻的存储单元，其中所述一对相邻的存储单元包括单个共用的源极线，在所述一对相邻的存储单元中的存储单元中的每个通过所述单个共用的源极线耦合到电压源。还描述了运行包括该存储结构的存储器的方法。
非易失性存储器以及运行方法

[实用新型]管件端口整形机-CN201020233030.4有效
发明人： 禹小军;项光清;宗凯 -专利权人：浙江嘉兴亚达不锈钢制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： B21D3/14 文献下载
摘要：一种管件端口整形机，它包括机体，其特征在于在机体的上方有垂直设置的合模油缸，在机体的一侧有水平设置的涨圆挤压油缸。本实用新型的管件端口整形机，由于机体的上方有垂直设置的合模油缸，在机体的一侧有水平设置的涨圆挤压油缸，将管件放入下模，合模油缸带动上模合模后，水平设置的涨圆挤压油缸带动模头对管件端口进行涨圆整形。本实用新型能稳定可靠实现管件端口整形的要求。
端口整形

[实用新型]管件端口整形模-CN201020233025.3有效
发明人： 禹小军;项光清;宗凯 -专利权人：浙江嘉兴亚达不锈钢制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： B21D3/14 文献下载
摘要：一种管件端口整形模，它包括上模、下模和涨圆挤压模头，其特征在于在上模和下模上有与弯管对应的圆弧槽，涨圆挤压模头正对上模、下模合模后圆弧槽所形成的圆孔。本实用新型的管件端口整形模，将管件放入下模的圆弧槽中，上模合模后，水平设置的涨圆挤压模头对处于上模、下模合模后形成的圆孔内的管件端口进行涨圆整形。本实用新型具有结构简单、使用方便的特点。
端口整形

[实用新型]三通管接头油压机-CN201020233061.X无效
发明人： 禹小军;宗凯 -专利权人：浙江嘉兴亚达不锈钢制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： B21C37/28 文献下载
摘要：一种三通管接头油压机，它包括机体，其特征在于在机体的上方有合模油缸，在机体的左侧有左挤压油缸，在机体的右侧有右挤压油缸，在机体的下方有脱模顶出油缸。本实用新型的三通管接头油压机，由于机体的上方有合模油压缸，在机体的左侧有左挤压油缸，在机体的右侧有右挤压油缸，在机体的下方有脱料顶出油缸，可以完成上下合模、左右挤压、及下方顶出脱模的工作。本实用新型能稳定可靠完成三通管接头成形的工作。
三通管接头油压机

[实用新型]弯管油压机-CN201020233018.3无效
发明人： 禹小军;宗凯 -专利权人：浙江嘉兴亚达不锈钢制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： B21D5/06 文献下载
摘要：一种弯管油压机，它包括工作台和固定工作板，工作台和固定工作板之间有四根导柱，固定工作板上有工作油缸，活动工作板连接在工作油缸的垂直活塞上，并沿导柱上下运行，其特征在于在工作台的一侧有水平方向设置的侧向油缸，侧向油缸的侧向活塞连接一根顶杆。本实用新型的弯管油压机，连接在工作油缸垂直活塞上的活动连接板可提供弯管成型模上下模的合模力，连接在侧向油缸侧向活塞上的顶杆可提供将直管顶入弯管成形模的力。因此，本实用新型能稳定可靠实现冷挤压弯管的成形。
弯管油压机

[实用新型]弯管挤压模芯脱模装置-CN201020233005.6无效
发明人： 禹小军;宗凯 -专利权人：浙江嘉兴亚达不锈钢制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： B21D45/06 文献下载
摘要：一种弯管挤压模芯脱模装置，它包括支架，其特征在于支架上有一个绕支架转动的脱料板，上述脱料板受一个油缸和一个气缸控制。本实用新型的弯管挤压模芯脱模装置，由于支架上有一个绕支架转动的脱料板，上述脱料板受一个油缸和一个气缸控制，可以先用油缸慢顶脱料板，脱料板先将套置在模芯上的弯管顶松，最后由气缸带动脱料板翻转，将弯管从模芯上完全脱离。本实用新型具有结构简单、使用稳定可靠的特点。
弯管挤压脱模装置

[实用新型]管件扩口模具-CN201020233045.0无效
发明人： 禹小军;宗凯 -专利权人：浙江嘉兴亚达不锈钢制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： B21D41/02 文献下载
摘要：一种管件扩口模具，它包括模芯和扩口涨块，模芯穿置在扩口涨块的中间，其特征在于模芯的一端呈锥形，扩口涨块的端部内表面有与模芯对应的锥形。本实用新型的管件扩口模具，由扩口机的活塞带动扩口涨块沿模芯往复运动，活塞收回时，扩口涨块处于收缩状态，将加工的金属管件套在扩口涨块外，当活塞推出时，扩口涨块沿锥形模芯运动张开，对金属管件的端口冷挤压扩口成形。本实用新型具有结构简单、操作方便、工作效率高的特点。
管件扩口模具

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