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[发明专利]类金刚石涂层涂布方法及工件-CN202310554250.9有效
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种类金刚石涂层涂布方法及工件，其中，类金刚石涂层涂布方法包括：步骤S20：偏压沉积铬打底层，铬打底层包括以100V偏压沉积的第一铬层以及以300V至400V偏压沉积的第二铬层，第一铬层位于工件与第二铬层之间；步骤S30：在打底层的远离工件的表面上沉积过渡层；步骤S40：采用脉冲辉光放电PECVD工艺沉积DLC层，调整工艺参数，将沉积DLC层的电磁辅助线圈的输出磁场强度调整为8mT至10mT，偏压调整至220V至350V脉冲模式，将沉积DLC层所需的反应气体气压控制在1.5Pa至2.0Pa，沉积DLC层所需的工艺气体为乙炔和氢气的混合气，且混合气的流量比例控制在1:1‑1:3。应用本实施例的技术方案能够有效地解决现有技术中对长径比大于1的圆形深孔无法有效涂覆类金刚石涂层的问题。
金刚石涂层方法工件

[发明专利]等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统-CN202310620821.4有效
发明人：毛昌海;帅小锋;祖全先 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请涉及一种等离子蚀刻方法及等离子蚀刻系统，用于蚀刻至少一个工件的表面，方法包括如下步骤：利用电场发生装置生成电场；利用等离子体发生装置生成氩离子和电子，氩离子在电场的作用下轰击工件的表面，电子被辅助阳极接收并回流到等离子体发生装置；获取任一所述工件的状态信息，状态信息用于指示工件是否遮挡等离子体发生装置和辅助阳极之间的空间；当至少一个工件的状态信息指示工件遮挡等离子体发生装置和辅助阳极之间的空间时，利用磁场生成装置产生磁场，磁场用于引导电子以偏离工件的运动轨迹运动，被辅助阳极接收，并回流到等离子体发生装置。本申请通过磁场的引导，电子能顺利的回流，避免了潜在的风险。
等离子蚀刻方法系统

[发明专利]一种PVD预沉淀的离子氮化方法及复合涂层-CN202310421825.X有效
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种PVD预沉淀的离子氮化方法及复合涂层，该离子氮化方法的步骤为S1、提供一金属基材，并对该金属基材进行抛光以及清洗处理；S2、将金属基材置于真空环境下，以离子源辅助放电采用氩气对金属基材表面进行蚀刻清洗，去除表面氧化层；S3、采用磁控溅射工艺对金属基材表面沉积第一金属层，第一金属层采用金属的溅射产额低于金属基材采用金属的溅射产额；S4、在第一金属层表面进行离子氮化处理。复合涂层在上述基础上还设置有第二金属层、过渡层以及功能层。第一金属层采用金属的溅射产额低于金属基材采用金属的溅射产额，保证气体离子轰击强度不至于破坏金属基材表面粗糙度，防止或显著减弱对产品表面的蚀刻，保护产品表面的质量。
一种 pvd 沉淀离子氮化方法复合涂层

[发明专利]AlN掺杂的类金刚石涂层工艺-CN202310513817.8在审
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlN掺杂的类金刚石涂层工艺，包括如下步骤：S1：提供PECVD涂层机，配置有至少两组溅射阴极，其中一组为Cr靶，一组为Al靶，开启溅射Cr靶，溅射PVD工艺沉积Cr底层、CrC过渡层；S2：提供微波发生器作为离子源，以微波等离子体辅助技术离化乙炔气体，通过偏压电源施加偏压在CrC过渡层之上沉积DLC涂层，同时沉积的过程中通入氮气和氩气，开启溅射Al靶，氮气和溅射出的Al原子优先反应生成AlN并掺杂进入DLC涂层中，AlN相以嵌入式分布在DLC涂层中。本发明的AlN掺杂的类金刚石涂层工艺得到的DLC涂层退涂时，采用碱性退涂液即可溶解DLC涂层中的AlN相，达到退涂的目的。
aln 掺杂金刚石涂层工艺

[发明专利]一种耐腐蚀镀膜工艺及其制得的耐腐蚀镀膜涂层-CN202110445447.X有效
发明人：毛昌海;祖全先 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐腐蚀镀膜工艺及其制备得到的耐腐蚀镀膜涂层，包括：对金属基体表面进行预处理；在金属基体表面依次第一沉积Cr结合层、第一Cr/WC过渡层、第一WC‑C：H过渡层，再采用PECVD技术在所述第一WC‑C：H过渡层表面沉积含氢DLC层；用辉光蚀刻工艺蚀刻所述含氢DLC层背离所述第一WC‑C：H过渡层的表面；在所述含氢DLC层背离所述第一WC‑C：H过渡层的表面依次沉积第二WC‑C：H过渡层、第二Cr/WC过渡层、表层，形成所述耐腐蚀镀膜。本发明通过采用含氢DLC层作为中间层，具有同时增加涂层的抗腐蚀能力和增强结合强度的优点。
一种腐蚀镀膜工艺及其涂层

[发明专利]一种可导电溅射靶材表面的快速自清洁工艺-CN202111442116.7有效
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可导电溅射靶材表面的快速自清洁工艺，包括以下步骤：在常温下将溅射镀膜设备真空抽至1e‑4mBar以内，将溅射镀膜设备的阴极靶门全部打开，用可以正常起辉的阴极点燃氩气，发生辉光放电，并保持高溅射功率；提高电磁辅助线圈电流以增强磁场，使辉光放电区域延伸至待清洁靶材表面附近；开启待清洁靶材阴极，在低功率条件下使靶材起辉，待靶材表面放电稳定后逐步增大溅射功率并保持预设时长，即可完成靶材表面自清洁工艺。本发明提供的自清洁工艺避免拆卸操作，节省了大量人力和时间成本，有效提升了工作效率。
一种导电溅射表面快速清洁工艺

[发明专利]一种应用于工具钢材质的铝合金加工用刀具的涂层方法-CN202210034913.X有效
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于工具钢材质的铝合金刀具的涂层方法，用于在工具钢的铝合金表面涂布类金刚石薄膜，包括对完成磨削和涂层前处理的工具钢材质的铝合金用刀具进行清洗；装入涂层炉内抽真空、加热、等离子体蚀刻；对工具表面做离子氮化处理；在离子氮化层上沉积高偏压CrN层、CrN过渡层、金属Cr层；在真空状态下降温；在工具钢的铝合金表面沉积类金刚石薄膜。本发明可以提升工具钢材料的表面硬度，强化膜基结合效果，最终实现工具钢器具耐磨性的提升和使用寿命的提升。
一种应用于工具钢材质铝合金工用刀具涂层方法

[发明专利]一种针对长杆状工件进行PECVD的夹具-CN202210274903.3有效
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种针对长杆状工件进行PECVD的夹具，包括芯轴、套设且固定在芯轴上的第一定位板与第二定位板、设置于第一定位板上的若干定位筒以及固定在芯轴上的驱动盘，所述定位筒围绕芯轴轴芯设置，所述芯轴不带电；或者，当芯轴带电时，在芯轴上设隔绝件，所述隔绝件将芯轴的工作区完全遮蔽，所述隔绝件不带电。通过使芯轴不带电或者在芯轴带电时，在芯轴外套设不带电隔绝件，能够实现芯轴不再辉光放电，杆状工件的辉光放电区不再有重叠区域，则无法形成有效的空心阴极效应，在不改变杆状工件与芯轴距离的同时增加杆状工件的装夹密度，也能够保证通过脉冲辉光PECVD形成的涂层表面均匀、厚度一致，大大提高了生产效率，降低了生产成本。
一种针对杆状工件进行 pecvd 夹具

[发明专利]一种多层结构涂层的制备方法-CN202210217742.4有效
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种多层结构涂层的制备方法，该制备方法中提供了增加反应气体M的通入流量、以小电流模式开启第二组B靶材或控制靶材门的方案，解决了应用多弧离子镀膜方法沉积多层结构涂层时，膜层之间结合力较弱，容易发生膜层分离剥落的问题。
一种多层结构涂层制备方法

[发明专利]一种四面体非晶碳复合涂层及其制备方法-CN202010390073.1有效
发明人：毛昌海;祖全先 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种四面体非晶碳复合涂层，包括：底部结合层：为CNX薄膜；表面功能层：为高SP3碳杂化键含量的四面体非晶碳薄膜；在所述底部结合层下方设有合金基材，所述底部结合层上方设有表面功能层；其成本较低、工艺流程简单，显著提升了膜基结合强度，另外由于其具有比其他类金刚石薄膜更高的硬度，所以减磨耐磨效果更佳优良。
一种四面体非晶碳复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种膜层、双极板及制备方法-CN202210154284.4在审
发明人：毛昌海;祖全先;帅小锋 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：本申请涉及一种膜层，该膜层包括从钛合金基底表面向上依次设置的Ti结合层、TiSiN层、TiSiN/石墨过渡层以及石墨层。通过特定的工艺使TiSiN层中形成非晶结构的Si3N4，可以对TiN晶粒形成一定的包裹作用，起到细化TiN晶粒的作用，最终使TiSiN层呈现出细粒晶结构，晶体间隙变少，且该细粒晶体结构层的设置使整体膜层的针孔缺陷变少，同时Ti结合层以及TiSiN/石墨过渡层的结构设计大幅提高了膜层与钛合金基底间以及膜层各镀层之间的膜基结合力。经该膜层改性后的钛合金双极板具有优异的导电性、耐腐蚀性、低通孔率等特性，腐蚀介质不易穿透，极大的降低了钛合金双极板表面点蚀现象的产生。
一种极板制备方法

[发明专利]一种具有多孔结构磨合层的DLC复合薄膜及其制备工艺-CN202110827785.X有效
发明人：毛昌海;祖全先 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多孔结构磨合层的DLC复合薄膜的制备工艺，包括以下步骤：对待涂层的零件基材表面进行预处理；在零件基材表面依次沉积Cr结合层、Cr/WC过渡层、WC‑C:H过渡层；采用PECVD技术在所述WC‑C:H过渡层表面沉积含氢DLC层；通入乙炔和惰性气体，在偏压恒压脉冲模式下在所述含氢DLC层背离所述WC‑C:H过渡层的表面沉积多孔碳基磨合层。本发明利用表面具有大量的孔隙的碳基磨合层，储存润滑介质，为摩擦提供润滑性的碳源，降低摩擦系数，在短时间内达到磨合效果。
一种具有多孔结构磨合 dlc 复合薄膜及其制备工艺

[实用新型]一种可调式清洗支架-CN202121137127.X有效
发明人：毛昌海;祖全先;邬云川 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种可调式清洗支架，包括：框体组件，框体组件的顶部设有三组以上的插接槽；支撑板，一个支撑板对应插接在一组插接槽中，且至少两个支撑板插接设置在框体组件的插接槽中，相邻两个支撑板之间的间距可调，支撑板上设有用于安装产品的安装槽。本技术方案的清洗支架，使用时，根据产品的长度，来将支撑板对应地插入至插接槽中，最后将产品放置在安装槽中，从而能够防止产品在清洗时的掉落。本技术方案的优点在于，通过将支撑板插入不同的插接槽，从而能够调整相邻支撑板之间的距离，以便于安装不同尺寸的产品。
一种调式清洗支架

[实用新型]一种刀片重叠式装夹涂层夹具-CN202121137129.9有效
发明人：毛昌海;祖全先;邬云川 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B05C13/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种刀片重叠式装夹涂层夹具，包括底座、盖板和支撑杆，所述支撑杆的一端可拆卸地安装在所述底座上，所述支撑杆的另一端可拆卸地安装在所述盖板上；所述底座和所述盖板之间形成一个夹持空间以容纳并压紧刀片，所述刀片的上表面和下表面均为平面，多个所述刀片堆叠放置在所述夹持空间中。本技术方案的技术效果是：通过将刀片堆叠放置在底座和盖板之间，然后盖板和底座对刀片进行压紧，从而实现了对刀片的堆叠和固定。
一种刀片重叠式涂层夹具

[发明专利]一种印刷电路板钻针ta-C涂层及其制备方法-CN201910674008.9有效
发明人：毛昌海;祖全先 -专利权人：艾瑞森表面技术（苏州）股份有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种印刷电路板钻针ta‑C涂层的制备方法，包括以下步骤：1)在真空条件下通入氩气和氢气的混合气体利用离子源对钻针进行蚀刻；2)再用氩气采用负偏压对钻针离子蚀刻；3)在钻针工作面表面沉积金属Cr底层；4)对钻针施加高脉冲负偏压，使石墨靶产生的碳原子注入到Cr底层中；5)降低负偏压继续沉积碳原子，形成ta‑C功能层；本发明提供的一种印刷电路板钻针ta‑C涂层及其制备方法，可使钻针的使用寿命提升5‑10倍，尤其可以加工超厚的印刷电路板和不涂层钻针难以加工的高硬度板。
一种印刷电路板 ta 涂层及其制备方法

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