专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装件-CN202210608010.8在审
  • 崔朱燕;石敬林;李元宰 - 三星电子株式会社
  • 2022-05-31 - 2023-03-07 - H01L23/552
  • 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:封装基底;中介体,在封装基底上;芯片堆叠体,在中介体上,芯片堆叠体包括在第一方向上堆叠的多个第一半导体芯片;第二半导体芯片,在中介体上,并且在与第一方向相交的第二方向上与芯片堆叠体间隔开;以及第一信号垫、第二信号垫和电力/接地垫,在中介体的顶表面上,其中,芯片堆叠体安装在第一信号垫上,其中,第二半导体芯片安装在第二信号垫上,其中,芯片堆叠体和第二半导体芯片连接到电力/接地垫,并且其中,电力/接地垫与芯片堆叠体的一部分和第二半导体芯片的一部分叠置。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN202210672529.2在审
  • 石敬林;李邦元;李锡贤 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-14 - 2023-02-21 - H01L23/367
  • 一种半导体封装件包括:封装基板;第一半导体芯片,安装在所述封装基板上;第一模制层,位于所述封装基板上并且围绕所述第一半导体芯片;再分布层,位于所述第一模制层上;第一贯穿通路,垂直地穿透所述第一模制层并且将所述封装基板连接到所述再分布层;第二半导体芯片,安装在所述再分布层上;第二模制层,位于所述再分布层上并且围绕所述第二半导体芯片;以及第二贯穿通路,所述第二贯穿通路垂直地穿透所述第二模制层并且连接到所述再分布层。所述第一贯穿通路的第一宽度小于所述第二贯穿通路的第二宽度。所述第二贯穿通路与所述第二半导体芯片的信号电路是电浮置的。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN202210368101.9在审
  • 石敬林;浏太元;李锡贤 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-08 - 2023-02-03 - H01L23/498
  • 提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括:第一基板,包括第一凸块下图案、第二凸块下图案和第三凸块下图案;半导体芯片,设置在第一基板上;导电结构,设置在第一基板上;以及第二基板,设置在半导体芯片和导电结构上。第三凸块下图案与第一凸块下图案和第二凸块下图案电隔离。导电结构包括:第一导电结构,耦接到第一凸块下图案;第二导电结构,耦接到第二凸块下图案;以及第三导电结构,耦接到第三凸块下图案并且被设置为与第一导电结构和第二导电结构相邻。第三导电结构设置在第一导电结构与第二导电结构之间,第一凸块下图案比第三凸块下图案宽,并且第二凸块下图案比第三凸块下图案宽。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN202210349940.6在审
  • 黄贤瀞;石敬林;李锡贤;张在权 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-02 - 2022-10-18 - H01L23/498
  • 公开了半导体封装件。半导体封装件包括:第一再分布基底,包括顺序地堆叠的第一互连层;半导体芯片,安装在第一再分布基底上;模制层,设置在第一再分布基底上并围绕半导体芯片;第二再分布基底,设置在模制层上并且包括顺序地堆叠的第二互连层;连接端子,设置在半导体芯片旁边以将第一再分布基底和第二再分布基底彼此连接;以及外部端子,设置在第一再分布基底的底表面上。第一互连层和第二互连层中的每个可以包括绝缘层和绝缘层中的布线图案。第一再分布基底可以具有与第二再分布基底的厚度基本相同的厚度,并且第一互连层可以比第二互连层薄。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装-CN202110746649.8在审
  • 石敬林;金京范;金东奎;金珉呈;李锡贤 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-30 - 2022-03-25 - H01L25/16
  • 半导体封装包括重分布基板和在其上的半导体芯片。重分布基板包括:接地凸块下图案;信号凸块下图案,与接地凸块下图案横向地间隔开;第一信号线图案,设置在信号凸块下图案上并耦接到对应的信号凸块下图案;以及第一接地图案,耦接到接地凸块下图案并与第一信号线图案横向地间隔开。信号凸块下图案和接地凸块下图案中的每一个包括:第一部分;以及第二部分,形成在第一部分上并且比第一部分宽。接地凸块下图案的第二部分比信号凸块下图案的第二部分宽。接地凸块下图案与第一信号线图案在竖直方向上重叠。第一接地图案不与信号凸块下图案在竖直方向上重叠。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN202110484044.6在审
  • 俞世浩;石敬林 - 三星电子株式会社
  • 2021-04-30 - 2022-02-18 - H01L23/488
  • 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:第一再分布结构,所述第一再分布结构包括第一再分布图案;第一半导体芯片,所述第一半导体芯片位于所述第一再分布结构上,所述第一半导体芯片包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底、位于所述半导体衬底的所述第一表面上并且包括第一互连图案的第一后道(BEOL)结构、以及位于所述半导体衬底的所述第二表面上并且包括第二互连图案的第二BEOL结构;模制层,所述模制层覆盖所述第一半导体芯片的侧壁;第二再分布结构,所述第二再分布结构位于所述第一半导体芯片和所述模制层上并且包括电连接到所述第二互连图案的第二再分布图案。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN202110765738.7在审
  • 黄贤净;石敬林;李锡贤;张在权 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-07 - 2022-02-18 - H01L25/16
  • 一种半导体封装件包括:第一重新分布衬底;第一半导体芯片,其安装在第一重新分布衬底上;第一模制层,其位于第一重新分布衬底上,并且覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧表面;第二重新分布衬底,其位于第一模制层上;以及粘合膜,其位于第二重新分布衬底与第一模制层之间。粘合膜与第一半导体芯片间隔开,并且覆盖第一模制层的顶表面。粘合膜的侧表面与第二重新分布衬底的侧表面共面。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201910806045.0在审
  • 张在权;李锡贤;石敬林 - 三星电子株式会社
  • 2019-08-29 - 2020-03-24 - H01L27/146
  • 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括:第一再分布层;位于第一再分布层上的第一半导体芯片;覆盖第一半导体芯片的模制层;围绕第一半导体芯片并连接到第一再分布层的多个金属柱;位于模制层上并连接到所述多个金属柱的第二再分布层;以及位于第二再分布层上的第二半导体芯片。金属柱延伸穿过模制层。当在俯视图中观察时,第二半导体芯片与第一半导体芯片和金属柱交叠。制造半导体封装件的方法从包括多个第一半导体芯片的第一衬底获得晶片图,以及使用晶片图在第一半导体芯片上选择性地堆叠第二半导体芯片。
  • 半导体封装及其制造方法
  • [发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201910822609.X在审
  • 石敬林;李锡贤 - 三星电子株式会社
  • 2019-09-02 - 2020-03-17 - H01L21/768
  • 提供了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括:提供半导体芯片;形成再分布基板;以及制造包括设置在所述再分布基板上的所述半导体芯片的封装件。形成所述再分布基板可以包括:在基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层中形成有第一开口;在所述第一开口中和所述第一绝缘层上形成一体形成的第一再分布图案;在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层,以覆盖所述第一再分布图案;以及对所述第二绝缘层执行平坦化工艺,以暴露所述第一再分布图案。
  • 半导体封装及其制造方法

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