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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁存储装置-CN201910835894.9在审
发明人：大坊忠臣;中崎靖;甲斐正;河合宏树;石原贵光;伊藤顺一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施方式提供包括磁阻效应元件的磁存储装置，所述磁阻效应元件设有具有优异特性的隧道势垒层。实施方式涉及的磁存储装置包括层叠构造(10)，所述层叠构造具备具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)、具有固定了的磁化方向的第2磁性层(12)以及设在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间且含有镁(Mg)以及氧(O)的非磁性层(13)，所述非磁性层还含有从氟(F)、硫(S)、氢(H)以及锂(Li)选择的添加元素。
存储装置

[发明专利]磁存储器-CN201610811789.8有效
发明人：下村尚治;浅尾吉昭;石原贵光 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本实施方式的磁存储器具有至少一个存储器单元，所述存储器单元具有：导电层，具有第1端子和第2端子；一个磁阻元件，被配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层、并且具有第1磁性层、配置在所述导电层与所述第1磁性层之间的第2磁性层、及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；二极管，对所述第1磁性层电连接有阳极以及阴极中的一方；以及晶体管，具有第3及第4端子和控制端子，所述第3端子与所述第1端子电连接。
磁存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN201910143424.6在审
发明人：关春海;三谷祐一郎;石原贵光 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具有：第1配线层；第2配线层，与第1配线层邻近配置；半导体层，设置在第1配线层与第2配线层之间；第1电荷蓄积层，设置在第1配线层与半导体层之间；以及第2电荷蓄积层，设置在第2配线层与半导体层之间。第1配线层与第2配线层的第1距离比第1电荷蓄积层与第2电荷蓄积层的第2距离短。
半导体存储装置

[发明专利]磁存储装置及其制造方法-CN201811598484.9在审
发明人：矢加部惠弥;中崎靖;大坊忠臣;甲斐正;伊藤顺一;小池正浩;板井翔吾;石原贵光 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：实施方式主要涉及磁存储装置及其制造方法。实施方式的磁存储装置具备：下部区域；积层构造，设置在所述下部区域上，包含具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定的磁化方向的第2磁性层、及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间且包含含有第1阳离子元素与第1阴离子元素的第1化合物的非磁性层；及特定材料层，设置在所述积层构造的侧面上，包含含有第2阳离子元素与第2阴离子元素的第2化合物；且所述第2阳离子元素的价数的绝对值比所述第1阳离子元素的价数的绝对值小，所述第2阴离子元素的价数的绝对值比所述第1阴离子元素的价数的绝对值小。
存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法-CN200910128789.8无效
发明人： 石原贵光;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；源区和漏区，其形成在该半导体衬底中，彼此分离并限定它们之间的沟道区；形成在沟道区上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的绝缘电荷存储膜；形成在绝缘电荷存储膜上使得在沟道方向上比绝缘电荷存储膜短的导电电荷存储膜；形成在导电电荷存储膜上的层间绝缘膜；和形成在层间绝缘膜上的栅电极。
非易失性半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200410068603.1无效
发明人：小野瑞城;石原贵光 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。是一种在把金属氧化物等用做栅极绝缘膜的场效应晶体管中，栅极绝缘膜是包括在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜、第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜和在第2绝缘膜上边形成的第3绝缘膜的至少3层的叠层；第2或第3绝缘膜含有金属，第2绝缘膜的介电系数比第1绝缘膜的介电系数与第3绝缘膜的介电系数之积的平方根还高的半导体器件。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。
半导体器件

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