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[发明专利]被测试半导体装置的测试方法-CN202210890501.6在审
发明人： 石井宪一;吉田敦;森智礼;椎木崇 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种被测试半导体装置的测试方法，其精度良好地对半导体装置进行测试。该测试方法是对被测试半导体装置的测试方法，其包括：导通步骤，向一个以上的被测试半导体装置输入控制信号，将被测试半导体装置控制为导通状态；以及评价步骤，对将导通状态的被测试半导体装置控制为关断状态时的被测试半导体装置进行观测，从而对被测试半导体装置进行评价，在导通步骤中，基于一个被测试半导体装置中的多个区域之间、或者多个被测试半导体装置之间的控制信号的延迟时间的偏差的大小，对将被测试半导体装置设为导通状态的时间的长度进行调整。
测试半导体装置方法

[发明专利]开关装置以及点火装置-CN201710117590.X有效
发明人： 石井宪一;逸见徳幸 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种在多芯片型点火器中保护控制电路的开关装置以及点火装置。开关装置，具备：引线框架(10)；开关器件(30)，其将下表面与引线框架(10)接触，并将该下表面的集电极与上表面的发射极之间进行开关；以及控制器件(50)，其将下表面与引线框架(10)接触，并具有设置于上表面的控制开关器件(30)的控制电路以及从施加于引线框架(10)的过电压中保护控制电路的耐压结构部。本发明能够通过在控制器件(50)设置耐压结构部来保护控制电路。
开关装置以及点火装置

[发明专利]点火器用半导体装置、点火器系统及点火线圈单元-CN201610078505.9有效
发明人： 石井宪一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明提供不易受到向输入端子输入的导通信号电压的电压下降、浪涌电压的影响，能够使开关元件可靠地工作，防止点火不良的点火器用半导体装置、点火器系统及点火线圈单元。点火器用半导体装置，作为外部端子，至少具有输入端子(2)、与点火线圈导电连接的输出端子(3)、接地端子(4)、与点火器用半导体装置外部的稳定电源供给布线导电连接的电源端子(1)，上述点火器用半导体装置具备用于控制流过上述点火线圈的电流的开关元件(5)和经由上述电源端子(1)接收电源电力，基于从上述输入端子输入的信号驱动上述开关元件的驱动电路(7)。
点火器用半导体装置点火器系统线圈单元

[发明专利]半导体装置-CN201710722930.1在审
发明人： 石井宪一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，具备IGBT和用于保护该IGBT的二极管，能维持耐压且降成本。在有源区(41)，在半导体基板(1)的正面侧设有IGBT(10)的MOS栅。在边缘终端区(42)，在半导体基板(1)的正面隔着场氧化膜(31)设有齐纳二极管(20)。半导体基板(1)是将具备在n‑型的起始晶片(1)的一个主面的表面层使硼扩散成的p+型扩散层(2)的扩散晶片切断而单片化得到的半导体芯片。IGBT(10)的最外p+型区(6a)隔着场氧化膜(31)在深度方向上与齐纳二极管(20)对置。p+型扩散层(2)厚度为100μm以上。n‑型漂移区(3)厚度为100μm以上。半导体基板(1)厚度为200μm以上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201380074347.4有效
发明人： 石井宪一;中村浩 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：配置有IGBT的IGBT部(10)和配置有控制电路的电路部(20)被配置于同一半导体芯片上。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界配置有电介质分离区(40)。在半导体芯片的正面侧的表面层，从IGBT部(10)到电路部(20)的范围内设置有p+型区域(4)。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界，以从芯片正面贯通p+型区域(4)而到达n‑型漂移区(3)的深度设置有电介质分离层(5)，并构成电介质分离区(40)。p+型区域(4)通过电介质分离层(5)被分离为IGBT部(10)侧的第一p+型区域(4‑1)和电路部(20)侧的第二p+型区域(4‑2)。第一p+型区域(4‑1)、第二p+型区域(4‑2)成为接地电位。由此，能够实现电路整体的小型化以及低成本。
半导体装置

[发明专利]内燃机的点火控制装置-CN201510315539.0有效
发明人： 石井宪一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： F02P3/04 文献下载
摘要：提供一种使电压控制型半导体元件的断开动作时的响应特性提高的内燃机的点火控制装置。包括点火线圈(13)，将放电电压供给到内燃机的点火装置(12)；电压控制型半导体元件(21)，连接到该点火线圈的一次侧；点火控制部(20)，将栅极信号供给到所述电压控制型半导体元件(21)的栅极而能够使电压控制型半导体元件(21)的接通动作和断开动作在点火期间内反复进行多次。点火控制部(20)将使在电压控制型半导体元件(21)的断开动作时累积在该电压控制型半导体元件(21)的栅极电荷放电到接地的有源元件(24)连接到栅极侧的电阻(R2)与栅极之间，其中，电阻(R2)插入在连接到所述电压控制型半导体元件(21)的栅极的栅极配线上。
内燃机点火控制装置

[发明专利]单片式点火器和内燃机点火装置-CN201310276948.5有效
发明人： 石井宪一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： F02P3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种单片式点火器，能够实现动作电压的低电压化、高噪声容量化、小型化和低成本化。使MOS晶体管的栅极阈值电压（Vtgh）降低，使电流限制电路、过热检测电路、计时器电路、过电压保护电路和输入滞后电路等的动作电压成为低电压，能够使单片式点火器（100）的动作电压低电压化。使MOS晶体管的有效栅极阈值电压为1V以上，上述MOS晶体管的沟道长度为4μm以下。此外，使MOS晶体管的栅极氧化膜的厚度为5nm以上、不足25nm。
单片点火器内燃机点火装置

[发明专利]点火系统-CN200810184316.5有效
发明人：内藤达也;石井宪一;宫泽繁美;齐藤龙 -专利权人：富士电机电子技术株式会社
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： F02P13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种点火系统。线圈故障检测电路检测IGBT的集电极电流的上升，并且定时器电路测量上升周期的长度。如果该上升不是正常的上升，则ECU就判断出已出现线圈故障。ECU关闭IGBT以防止不点火，并且使燃料气体停止流向燃烧室以防止催化剂的熔化或恶化。
点火系统

[发明专利]制备苯氧基丙酸衍生物的方法-CN97195190.X无效
发明人：福田宪造;畑中雅隆;真壁孝裕;石井宪一 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 1997-05-21 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： C07D241/44 文献下载
摘要：公开了一种制备D(+)-2-[4-(6-氯-2-喹喔啉基氧)苯氧基]丙酸的方法，它包括在非质子极性溶剂的存在下，使4-(6-氯-2-喹喔啉基氧)苯酚的碱金属盐和L-2-氯丙酸的碱金属盐于芳烃溶剂中反应，得到D(+)-2-[4-(6-氯-2-喹喔啉基氧)苯氧基]丙酸的碱金属盐，并用酸对其进行处理。
制备苯氧基丙酸衍生物方法

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